Purpose: The aim of this study was to observe a direct effect of irradiation on the periodontopathic Porphyromonas gingivalis (P. gingivalis). Materials and Methods: P. gingivalis 2561 was exposed to irradiation with a single absorbed dose of 10, 20, 30, and 40Gy. Changes in viability and antibiotic sensitivity, morphology, transcription, and protein profile of the bacterium after irradiation were examined by pour plating method, disc diffusion method, transmission electron microscopy, RT-PCR, and immunoblot, respectively. Results: Viability of irradiated P. gingivalis drastically reduced as irradiation dose was increased. Irradiated P. gingivalis was found to have become more sensitive to antibiotics as radiation dose was increased. With observation under the transmission electron microscope, the number of morphologically abnormal cells was increased with increasing of irradiation dose. In RT-PCR, decrease in the expression of fimA and sod was observed in irradiated P. gingivalis. In immunoblot, change of profile in irradiated P. gingivalis was found in a number of proteins including 43-kDa fimbrillin. Conclusion: These results suggest that irradiation may affect the cell integrity of P. gingivalis, which is manifested by the change in cell morphology and antibiotic sensitivity, affecting viability of the bacterium.
Recently particulate matter(PM) emission regulations are becoming more strict for diesel engines. There is increasing interest for measuring not only concentration but also size of the particles. Laser-induced incandescence (LII) has emerged as a promising technique for measuring particle volume fraction and size. In this study, the Simple Time Resolved-LII method was applied to exhaust of Ethylene diffusion flame and diesel engine exhaust for measuring soot and PM size. The particle size data from LII technique were calibrated using Field Emission Scanning Electron Microscope(FE-SEM) and Transmission Electron Microscope(TEM) photographs. In diesel engine experiments for particle size measurement, results from LII measurement are in a good agreement with those from TEM photograph, and difference between two measurements was less than 16%.
Kim, Hyung-Seok;Suh, Ju-Hyung;Park, Chan-Gyung;Lee, Sang-Jun;Noh, Sam-Gyu;Song, Jin-Dong;Park, Yong-Ju;Lee, Jung-Il
Applied Microscopy
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제36권spc1호
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pp.35-40
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2006
Self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) were grown by the atomic layer epitaxy (ALE) and molecular beam epitaxy (MBE) techniques, The structure and the thermal stability of QDs have been studied by high resolution electron microscopy with in-situ heating experiment capability, The ALE and MBE QDs were found to form a hemispherical structure with side facets in the early stage of growth, Upon capping by GaAs layer, however, the apex of QDs changed to a flat one. The ALE QDs have larger size and more regular shape than those of MBE QDs. The QDs collapse due to elevated temperature was observed directly in atomic scale, In situ heating experiment within TEM revealed that the uncapped QDs remained stable up to $580^{\circ}C$, However, at temperature above $600^{\circ}C$, the QDs collapsed due to the diffusion and evaporation of In and As from the QDs, The density of the QDs decreased abruptly by this collapse and most of them disappeared at above $600^{\circ}C$.
Kim, Jeong-Han;Kim, Yong-Ha;Lee, Chang-Sup;Jee, Geon-Hwa
한국우주과학회:학술대회논문집(한국우주과학회보)
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한국우주과학회 2010년도 한국우주과학회보 제19권1호
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pp.29.4-30
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2010
A VHF meteor radar at King Sejong Station ($162.22^{\circ}S$, $58.78^{\circ}W$), Antarctica has been observing meteors during a period of March 2007-July 2009. We analyzed the height profiles of the observed meteor decay times between 70 and 95 km by classifying strong and weak meteors according to their estimated electron line densities. The height profiles of monthly averaged decay times show a peak whose altitude varies with season in the range of 80~85 km: higher peak in southern spring and summer than in fall and winter. The higher peak during summer is consistent with colder temperatures that cause faster chemical reactions of electron removal, as effective recombination rates measured by rocket experiments. The height profiles of 15-min averaged decay times show a clear increasing trend with decreasing altitude from 95 km to the peak altitude, especially for weak meteors. This feature for weak meteors is well explained by ambipolar diffusion of meteor trails, allowing one to estimate atmospheric temperatures and pressures, as in previous studies. However, the strong meteors show not only significant scatters but also different slope of the increasing trend from 95 km to the peak altitude. Therefore, atmospheric temperature estimation from meteor decay times should be applied for weak meteors only. In this study, we present the simple model decay times to explain the height profiles of the observed decay times and discuss the additional removal processes of meteor trail electrons through the empirical recombination and by icy particles.
Microstructure of oxide formed on Zr-Nb-Sn tube sample was intensively examined by scanning transmission electron microscopy after exposure to simulated primary water chemistry conditions of various concentrations of Zn (0 or 30 ppb) and dissolved hydrogen ($H_2$) (30 or 50 cc/kg) for various durations without applying desirable heat flux. Microstructural analysis indicated that there was no noticeable change in the microstructure of the oxide corresponding to water chemistry changes within the test duration of 100 days (pretransition stage) and no significant difference in the overall thickness of the oxide layer. Equiaxed grains with nano-size pores along the grain boundaries and microcracks were dominant near the water/oxide interface, regardless of water chemistry conditions. As the metal/oxide interface was approached, the number of pores tended to decrease. However, there was no significant effect of $H_2$ concentration between 30 cc/kg and 50 cc/kg on the corrosion of the oxide after free immersion in water at $360^{\circ}C$. The adsorption of Zn on the cladding surface was observed by X-ray photoelectron spectroscopy and detected as ZnO on the outer oxide surface. From the perspective of $OH^-$ ion diffusion and porosity formation, the absence of noticeable effects was discussed further.
탄소나노튜브(carbon nanotubes : CNTs)는 뛰어난 전기적, 물리적인 특성을 가지고 있기 때문에 다양한 분야에서 이를 활용하려는 노력들이 활발히 이루어지고 있다. CNTs의 전기적인 특성은 직경에 의해 결정되므로, 직경을 균일하게 제어하는 일이 CNTs를 기반으로 한 전자소자 응용에 가장 중요한 사항이라 할 수 있다. 일반적으로 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD)으로 합성된 CNTs의 직경은 촉매의 크기에 의존하기 때문에, 촉매의 크기를 제어하기 위한 다양한 연구들이 활발히 진행되고 있다[1-3]. 하지만 CNTs의 성장온도 근처에서 촉매 입자는 표면 확산(surface diffusion)에 의해 응집(agglomeration)되기 때문에 작고 균일한 크기의 촉매를 얻기 어렵다. 본 연구에서는 Si(001) 기판 위에 지지층(supporting layer)인 Al의 두께를 변화시켜 증착하고, 열적산화과정을 통해 $Al_2O_3$ 층을 형성한 후 Fe을 증착하여 CNTs를 합성하였다. $Al_2O_3$ 지지층과 Fe 촉매입자의 구조와 화학적 상태를 원자힘현미경 (atomic force microscopy, AFM), 주사전자현미경 (scanning electron microscopy, SEM), 투과전자현미경 (transmission electron microscopy, TEM), X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)를 통해 분석하였고, 성장된 CNTs는 SEM, TEM, 라만 분광법 (Raman spectroscopy)을 통해 분석하였다. 그 결과, $Al_2O_3$ 층은 두께에 따라 각기 다른 표면 거칠기(RMS roughness)와 결정립(grain)의 크기를 갖게 되며, 이러한 표면구조가 Fe 촉매입자의 표면확산에 의한 응집에 관여하여 CNTs의 직경에 영향을 미치는 것을 확인하였다. 또한 $Al_2O_3$ 지지층의 두께가 15 nm인 경우, Fe의 응집현상이 억제되어 좁은 직경분포를 지닌 고순도 단일벽 탄소나노튜브(Single-walled CNTs)가 성장되는 것을 확인하였다.
Jong Sik Park;Keu Hong Kim;Chul Hyun Yo;Sung Han Lee
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제15권9호
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pp.713-718
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1994
Manganese-incorporated neodymium oxide systems with a variety of Mn mol% were prepared to investigate the effect of doping on the electrical properties of neodymium oxide. XRD, XPS, SEM, DSC, and TG techniques were used to analyze the specimens. The systems containing 2, 5, 8, and 10 mol% Mn were found to be solid solutions by X-ray diffraction analysis and the lattice parameters were obtained for the single-phase hexagonal structure by the Nelson-Riley method. The lattice parameters, a and c, decreased with increasing Mn mol%. Scanning electron photomicrographs of the specimens showed that the grain size decreased with increasing Mn mol%. The curves of log conductivity plotted as a function of 1/T in the temperature range from 500 to 1000$^{\circ}C$ at $PO_2$'s of $10^{-5}$ to $10^{-1}$ atm for the specimens were divided into high-and low-temperature regions with inflection points near 820-890$^{\circ}C$. The activation energies obtained from the slopes were 0.53-0.87 eV for low-temperature region and 1.40-1.91 eV for high-temperature region. The electrical conductivities increased with increasing Mn mol% and $PO_2$, indicating that all the specimens were p-type semiconductors. At $PO_2$'s below $10^{-3}$ atm, the electrical conductivity was affected by the chemisorption of oxygen molecule in the temperature range of 660 to 850$^{\circ}C$. It is suggested that electron holes generated by oxygen incorporation into the oxide are charge carriers for the electrical conduction in the high-temperature region and the system includes ionic conduction owing to the diffusion of oxygen atoms in the low-temperature region.
백금 회전전극을 이용하여 확산지배영역에서의 구리 착화합물의 환원에 대한 전기화학적 특성조사 및 이에 대한 속도인자들을 구하였다. 황산염 용액내에서 Cu(II)의 환원은 2전자, 1단계 반응이며, 염화물 용액내에서의 Cu(II)는 1전자, 2단계 반응으로 환원된다. 환원반응에서의 전달계수는 황산염 용액내에서 Cu(II)가 가장 작으며, 할로겐염 중에서 Cu(I)의 전달계수는 1에 가까운 값을 나타내었다. 염화물 용액안에서 구리이온의 환원에 대한 표준속도상수는 Cu(II)의 환원이 Cu(I)을 출발물질로 할 경우보다 100배 정도 빠른 값을 나타내었다. 그리고 확산계수는 $Cl^-$존재시의 Cu(II), $I^-$, $Br^-$, $Cl^-$존재시의 Cu(I) 및 $SO_4^{-2}$존재시의 Cu(II)의 순으로 증가하였으며, 각 용액 내에서의 구리이온의 반지름 및 확산에 대한 활성화 에너지도 위의 순서와 동일하게 감소하였다. 회전전극상의 구리전착의 경우 전착전위 및 농도에 따라 불균일한 전착표면을 형성하였으며, 이러한 전착표면의 불균일성은 UV/VIS로 분석이 가능하였다.
ECR 산소 플라즈마를 사용한 건식산화법에 의해 두 가지 실리콘 배향에 대하여 실리콘 산화막을 제조한 후 Deal-Grove(D-G)모델과 Wolters-Zegers-van Duynhoven (W-Z)모델에 적용하여 시간에 따르는 막 두께의 변화를 살펴보았으며 산화속도와 산화막의 표면 morphology의 상관관계를 조사하였다. 실리콘 산화막의 두께는 Si(100)과 Si(111) 모두 반응 시간이 짧은 영역에서 선형적으로 증가하였으나 반응시간이 경과함에 따라 화학반응 속도 보다 산화막을 통과하는 반응성 라디칼들의 확산이 율속단계로 작용하여 산화속도의 증가폭이 다소 둔화되었다. D-G모델과 W-Z모델에서 확산 및 반응속도는 Si(100)보다 Si(111)이 더 큰 값을 갖기 때문에 반응속도는 1.13배 더 크게 나타났으며 이들 모델은 실험 값과 잘 일치하였다. 표면 morphology는 산화 속도가 증가해도 식각현상이 일어나지 않는 실험 조건에서 산화막의 표면 조도가 일정하였으며, 기판의 위치가 하단 전자석에 근접하고 마이크로파 출력이 증가하여 식각현상이 일어나는 실험 조건에서 표면 조도는 산화속도와 관계없이 크게 나타났다.
We report on the capacitively coupled O2 plasma etching of PMMA and polycarbonate (PC) with a diffusion pump. Plasma process variables were process pressure and CCP power at 5 sccm $O_2$ gas flow rate. Characterization was done in order to analyze etch rate, etch selectivity, surface roughness, and morphology using stylus surface profilometry and scanning electron microscopy. Self bias decreased with increase of process pressure in the range of 25$\sim$180 mTorr. We found an important result for optimum pressure for the highest etch rate of PMMA and PC, which was 60 mTorr. PMMA and PC had etch rates of 0.46 and 0.28 ${\mu}m$/min under pressure conditions, respectively. More specifically, etch rates of the materials increased when the pressure changed from 25 mTorr to 60 mTorr. However, they reduced when the pressure increased further after 60 mTorr. RMS roughnesses of the etched surfaces were in the range of 2.2$\sim$2.9 nm. Etch selectivity of PMMA to a photoresist was $\sim$1.5:1 and that of PC was $\sim$0.9:1. Etch rate constant was about 0.04 ${\mu}m$/minW and 0.02 ${\mu}m$/minW for PMMA and PC, respectively, with the CCP power change at 5 sccm $O_2$ and 40 mTorr process pressure. PC had more erosion on the etched sidewall than PMMA did. The OES data showed that the intensity of the oxygen atomic peak (777.196 nm) proportionally increased with the CCP power.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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