• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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• pp.260-264
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• 1996

In this study, the dieiectric breakdown of epoxy composites used for transformers was experimented and then its data were simulated by Weibull distribution probability . As a result. first of all, speaking of dielectric breakdown properties, the more hardener increased the stronger breakdown strength at low temperature, and the breakdown strength of specimens because it is believed that the adding filler farms interface and charge is accumulated in it, therefore the molecular motility is raised, the electric field is concentrated, and the acceleration of electron and the growth of electron avalanche are early accomplished. In the case of filled specimens with treating silane, the breakdown strength become much higher since the suggests that silane coupling agent improves interfacial combination and relays electric field concentration. Finally, from the analysis 7f weibull distribution. it was confirmed that as the allowed breakdown probability was given by 0.11[%].

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 기술교육전문연구회
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• pp.159-163
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• 2003

In this study, the DC dielectric breakdown of epoxy composites used for PCB material was experimented and then its data were simulated by Weibull distribution equation. The more hardener increased the stronger breakdown strength at low temperature because of cross-linked density by the virtue of ester radical, and the breakdown strength of specimens with filler was lower than it of non-filler specimens because it is believed that the adding filler forms interface and charge is accumulated in it, therefore the molecular motility is raised, the electric field is concentrated, and the acceleration of electron and the growth of electron avalanche are early accomplished. From the analysis of Weibull distribution, it was confirmed that as the allowed breakdown probability was given by 0.1[%], the applied field value needed to be under 21.5[kV/mm].

• Composites Research
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• 제32권6호
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• pp.301-306
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• 2019

정전 소자는 기계적 에너지를 전기적 에너지로 바꿀 수 있는 소자로, 제작 공정이 간단하고 높은 전기적 출력을 발생시키는 장점이 부각되어 주목받고 있는 소자이다. 정전 소자가 소개된 이례 높은 출력으로 휴대형 전자기기를 충전할 수 있는 시스템이 소개되었으나, 최근 연구에서는 기체 항복과 전계 방출 현상으로 인한 출력의 한계가 보고되고 있다. 이와 같은 한계를 극복하기 위하여 본 연구에서는 금속-금속 표면 간 접촉을 활용하여 정전 소자에 이온 강화 전계 방출 현상과 전자 사태를 유도해 전자가 직접적으로 전극 사이를 흐를 수 있는 정전 소자 설계를 소개한다. 본 정전 소자의 출력은 평균 피크 개로 전압 340 V, 평균 피크 폐회로 전류 10 mA 정도로 측정되었고, 표면 전하 생성층의 표면 전하의 양에 따라 출력이 변화하였다. 본 연구에서 개발된 정전 소자는 실효 출력이 약 0.9 mW로, 기존 정전 소자에 비해 2.4배 높은 일률을 보였다. 본 정전 소자는 높은 출력을 통해 배터리, 커패시터 등을 사용하는 휴대형 전자기기 및 센서들을 독립적으로 충전시켜 유용하게 사용될 수 있을 것으로 사료된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권10호
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• pp.32-38
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• 2003

SIMOX 웨이퍼를 사용하여 제작된 GAA 구조 SOI MOSFET의 열전자에 의한 소자열화를 측정·분석하였다. nMOSFET의 열화는 스트레스 게이트 전압이 문턱전압과 같을 때 최대가 되었는데 이는 낮은 게이트 전압에서 PBT 작용의 활성화로 충격이온화가 많이 되었기 때문이다. 소자의 열화는 충격이혼화로 생성된 열전자와 홀에의한 계면상태 생성이 주된 원인임을 degradation rate와 dynamic transconductance 측정으로부터 확인하였다. 그리고 pMOSFET의 열화의 원인은 DAHC 현상에서 생성된 열전자 주입에 의한 전자 트랩핑이 주된 것임을 스트레스 게이트 전압변화에 따른 드레인 전류 변화로부터 확인 할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 기술교육위원회 창립총회 및 학술대회 의료기기전시회
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• pp.43-46
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• 2001

The DC dielectric breakdown of epoxy composites used for transformer was experimented and then its data were simulated by Weibull distribution equation in this study. The more hardener increased the stronger breakdown strength at low temperature because of cross-linked density by the virtue of ester radical, and the breakdown strength of specimens with filler was lower than it of non-filler specimens because it was believed that the adding filler formed interface, charges were accumulated in it, the molecular mobility was raised, the electric field was concentrated, electrons were accelerated and then electron avalanche was early accomplished. From the analysis of Wei bull distribution equation, it was confirmed that as the allowed breakdown probability was· given by 0.1[%], the value of 'applied field was needed to be under 17.20[kV/mm].

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권9호
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• pp.638-643
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• 2003

Channel width dependence of hot-carrier effect in nMOSFET with shallow trench isolation is analyzed. $I_{sub}$- $V_{G}$ and $\Delta$ $I_{ㅇ}$ measurement data show that MOSFETs with narrow channel-width are more susceptible to the hot-carrier degradation than MOSFETs with wide channel-width. By analysing $I_{sub}$/ $I_{D}$, linear $I_{D}$- $V_{G}$ characteristics, thicker oxide-thickness at the STI edge is identified as the reason for the channel-width dependent hot-carrier degradation. Using the charge-pumping method, $N_{it}$ generation due to the drain avalanche hot-carrier (DAHC) and channel hot-electron (CHE) stress are compared. are compared.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권2호
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• pp.184-189
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• 1995

The electrical property of ultra thin PVA films(several hundreds .angs.-several .mu.m in thickness) formed by sphere bulb blowing technique, has been studied. The electrical conductivity of relatively thick films(>several thousands .angs.) has been very high and enhanced by the exposure either to high humidity of air or $NH_3$, which can be explained in terms of the role of ionic transport. The use of PVA films as NH$_{3}$ sensor is also proposed. In ultra thin PVA films less than 1500.angs., two conducting states ; high conducting and low conducting states, are observed. The nonlinear current-voltage characteristics in the low conducting state and the switching between these two states are also confirmed. These properties are discussed in terms of electronic conduction processes. The breakdown strength of the ultra thin PVA film is found to be very high(-30MV/cm), supporting the electron avalanche process in a thick polymer films.

• 한국컴퓨터정보학회:학술대회논문집
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• 한국컴퓨터정보학회 2012년도 제45차 동계학술발표논문집 20권1호
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• pp.233-236
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• 2012

본 연구에서는 변성기용으로 사용되는 에폭시 복합체에 대해 절연 파괴 실험을 하고 그 데이터를 와이블 분포 확률을 이용해서 시뮬레이션을 하였다. 에스테르기의 기여에 의한 가교밀도 때문에 저온에서 경화제가 증가할수록 파괴강도가 증가하고 충진제를 첨가한 시료들의 파괴강도는 비충진 시료들의 경우 보다 더 낮았는데 이는 충진제 첨가가 계면을 형성하고 전하가 축적되어 분자의 이동도가 증가되고, 전계가 집중되어 전자 가속화 및 전자 사태의 성장이 초기에 도달되기 때문으로 사료된다. 또한 와이블 분포의 분석으로부터 허용 절연파괴 확률이 0.1[%]로 주어질 때, 인가 전계값은 21.5[kV/mm] 이하가 되어야 함을 확인하였다.

• 전기의세계
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• 제19권6호
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• pp.18-25
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• 1970

The object of this project is to manifest the mechanism of deterioration phenomena for dielectrics causing corona discharge and applies it for determine the standard corona detection technique. As the results, we observed that corona discharges may occur more strongly around cylindrical shape electrode in air than hemisphere shape electrode in vacuum, so that it depends on effects such as shape of the electrode, moisture, surface coditions, etc. According to observed the deterioration of dielectrics takes place in following stages. At first the attacked surface by an electron avalanche is uniformly eroded; then pits are formed; after that sharp channels are formed which lead to break-down as a treeing. The test are accelerated with higher frequencies by the cylindrical bar shape electrode in the pulse stright detection method more sensitive than Lissajous patterns. Lissajous patterns detection method is simple but usually insensitive and has disadvantage that the magnitude of the individual discharge is not measured.

• 한국컴퓨터정보학회:학술대회논문집
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• 한국컴퓨터정보학회 2012년도 제45차 동계학술발표논문집 20권1호
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• pp.41-43
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• 2012

현대 사회는 환경에 대한 관심을 많이 가지고 있다. 특히 먹거리가 풍부해지면서 음식물 쓰레기량이 더욱 늘고 있다. 이를 처리하기 위해 전 세계적으로 많은 고민을 하고 있다. 국내에서는 이를 줄이기 위해 쓰레기 종량제 봉투를 사용하여, 쓰레기를 정해진 량만큼 버리도록 하고 있어 연간 배출되는 쓰레기량을 줄이고 있다. 그런데 주민들이, 쓰레기 봉투를 다시 사용 하는 사례가 많아지고 있다. 본 연구의 목적은 종량제 봉투의 재사용을 방지하는 알고리즘을 제안하는데 있다.