Metal plated plastics are becoming more prevalent in materials of communication parts. A new technique MmSH is a process of injecting plastics to produce innovated physical properties compared to the conventional injection process. This study involves two ways of coating plastics Ni by electroless plating and varying bath and plasma treatment for improved adhesion strength between plating layer and surface. MmSH injection processed ASS with plasma treated after neutralization showed a superior adhesion force and a gloss and rate of deposition when it was in pH 7.5. On the other hand, conventional injection processed ASS was in pH 6.5.
Park, Sung-Cheol;Min, Kyoung-Jin;Lee, Kyu-Hwan;Jeong, Yong-Soo;Park, Young-Bae
Korean Journal of Materials Research
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v.18
no.9
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pp.486-491
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2008
The effect of annealing treatment conditions on the interfacial adhesion energy between electrolessplated Ni film and polyimide substrate was evaluated using a $180^{\circ}$ peel test. Measured peel strength values are $26.9{\pm}0.8,\;22.4{\pm}0.8,\;21.9{\pm}1.5,\;23.1{\pm}1.3,\;16.1{\pm}2.0\;and\;14.3{\pm}1.3g/mm$ for annealing treatment times during 0, 1, 3, 5, 10, and 20 hours, respectively, at $200^{\circ}C$ in ambient environment. XPS and AES analysis results on peeled surfaces clearly reveal that the peeling occurs cohesively inside polyimide. This implies a degradation of polyimide structure due to oxygen diffusion through interface between Ni and polyimide, which is also closely related to the decrease in the interfacial adhesion energy due to thermal treatment in ambient conditions.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.14
no.1
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pp.39-47
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2007
It is investigated how KOH and Rthylenediamine(EDA) treatment conditions on Polyimide film surface affect the interfacial fracture energy between electroless plated Ni and Polyimide film by $180^{\circ}$ peel test. Estimated values of interfacial fracture energy were 24.5 g/mm and 33.3 g/mm for the KOH treatment times under 1 and 5 minutes, respectively, while, those were 31.6 g/mm and 22.3 g/mm for EDA treatment times under 1 and 5 minutes, respectively. Interfacial bonding between electroless plated Ni and Polyimide seems to be dominated by chemical bonding effect rather than mechanical interlocking effect. It is found that chemical treatment produces carboxyl and mine functional groups which are closely related the interfacial bonding mechanism. Finally, it is speculated that interfacial fracture energy seems to be controlled by O=C-O bonding near cohesive failure region.
Kim, Bum-Ho;Choi, Jun-Young;Lee, Eun-Joo;Lee, Soo-Hong
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2007.06a
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pp.250-253
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2007
An evaporated Ti/Pd/Ag contact system is most widely used to make high-efficiency silicon solar cells, however, the system is not cost effective due to expensive materials and vacuum techniques. Commercial solar cells with screen-printed contacts formed by using Ag paste suffer from a low fill factor and a high shading loss because of high contact resistance and low aspect ratio. Low-cost Ni and Cu metal contacts have been formed by using electroless plating and electroplating techniques to replace the Ti/Pd/Ag and screen-printed Ag contacts. Ni/Cu alloy is plated on a silicon substrate by electro-deposition of the alloy from an acetate electrolyte solution, and nickel-silicide formation at the interface between the silicon and the nickel enhances stability and reduces the contact resistance. It was, therefore, found that nickel-silicide was suitable for high-efficiency solar cell applications. The Ni contact was formed on the front grid pattern by electroless plating followed by anneal ing at $380{\sim}400^{\circ}C$ for $15{\sim}30$ min at $N_{2}$ gas to allow formation of a nickel-silicide in a tube furnace or a rapid thermal processing(RTP) chamber because nickel is transformed to NiSi at $380{\sim}400^{\circ}C$. The Ni plating solution is composed of a mixture of $NiCl_{2}$ as a main nickel source. Cu was electroplated on the Ni layer by using a light induced plating method. The Cu electroplating solution was made up of a commercially available acid sulfate bath and additives to reduce the stress of the copper layer. The Ni/Cu contact was found to be well suited for high-efficiency solar cells and was successfully formed by using electroless plating and electroplating, which are more cost effective than vacuum evaporation. In this paper, we investigated low-cost Ni/Cu contact formation by electroless and electroplating for crystalline silicon solar cells.
Highly conductive yarn was successfully obtained using electroless nickel plating method with palladium activation. In the presence of palladium seed on surface of fibers as a catalyst, continuos nickel layer produced on surface of fibers by reducing $Ni${2+}$ ion in the electroless plating bath to $Ni^0$. It was found that the Pd-activation using $SnCl_2$ and $PdCl_2$ to deposit palladium seeds on the surface of fibers plays a key role in the subsequent electroless plating of nickel. It also found that electroless nickel plating on the fibers can induce the nickel-plated $ELEX^{(R)}$ fibers to improve the electrical conductivity of the fibers. The thickness of nickel coating layer on the Pd-activated $ELEX^{(R)}$ fibers and specific conductivity of the fiber were increased through electroless plating time. The temperature of nickel plating bath was very effective to enhance the nickel deposition rate.
Electroless Ni plating is applied to form bumps and UBM layer for flip chip interconnection. Characteristics of electroless Ni are also investigated. Zincate pretreatment is analyzed and plated layer characteristics are investigated according to variables like temperature, pH and heat treatment. Based on these observations, characteristics dependence to each variables and optimum electroless Ni plating conditions for flip-chip interconnection are suggested. Electroless Ni has 10wt% P, $60\mu\Omega$-cm resistivity, 500HV hardness and amorphous structure. It changes crystallized structure and hardness increases after heat treatment After interconnection of electroless Ni bumps by ACF flip chip method, we show their advantages and possibility in microelectronic package applications.
Lee, Sang Hee;Rehman, Atteq ur;Shin, Eun Gu;Lee, Doo Won;Lee, Soo Hong
Journal of the Optical Society of Korea
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v.19
no.3
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pp.217-221
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2015
Developing a metallization that has low cost and high efficiency is essential in solar-cell industries, to replace expensive silver-based metallization. Ni/Cu two-step metallization is one way to reduce the cost of solar cells, because the price of copper is about 100 times less than that of silver. Alkaline electroless plating was used for depositing nickel seed layers on the front electrode area. Prior to the nickel deposition process, 2% HF solution was used to remove native oxide, which disturbs uniform nickel plating. In the subsequent step, a nickel sintering process was carried out in $N_2$ gas atmosphere; however, copper was plated by light-induced plating (LIP). Plated nickel has different properties under different bath conditions because nickel electroless plating is a completely chemical process. In this paper, plating bath conditions such as pH and temperature were varied, and the metal layer's structure was analyzed to investigate the adhesion of Ni/Cu metallization. Average adhesion values in the range of 0.2-0.49 N/mm were achieved for samples with no nickel sintering process.
We used an etching process to control the line-width of screen printed Ag paste patterns. Ag paste was printed on anodized Al substrate to produce a high power LED. In general, Ag paste spreads or diffuses on anodized Al substrate in the process of screen printing; therefore, the line-width of the printed Ag paste pattern increases in contrast with the ideal line-width of the pattern. Smudges of Ag paste on anodized Al substrate were removed by neutral etching process without surface damage of the anodized Al substrate. Accordingly, the line-width of the printed Ag paste pattern was controlled as close as possible to the ideal line-width. When the etched Ag paste pattern was used as a seed layer for electroless Ni plating, the line width of the plated Ni film was similar to the line-width of the etched Ag paste pattern. Finally, in pattern formation by Ag paste screen printing, we found that the accuracy of the line-width of the pattern can be effectively improved by using an etching process before electroless Ni plating.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.11a
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pp.260-260
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2009
In high-efficiency crystalline silicon solar cell, If high-efficiency solar cells are to be commercialized, It is need to develop superior contact formation method and material that can be inexpensive and simple without degradation of the solar cells ability. For reason of plated metallic contact is not only high metallic purity but also inexpensive manufacture. It is available to apply mass production. Especially, Nickel, Copper are applied widely in various electronic manufactures as easily formation is available by plating. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusin as well as desirable contact metal to silicon. Nickel monosilicide has been suggested as a suitable silicide due to its lower resistivitym lower sintering temperature and lower layer stress than $TiSi_2$. In this paper, Nickel as a seed layer and diffusion barrier is plated by electroless plating to make nickel monosilicide.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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