무전해 동도금액에서의 각종 안정제, 촉진제등의 첨가제에 따른 영향을 고찰하였다. 욕의 기본성분은 황산구리 10g/1, EDTA-2Na 40g/1, 포르말린 3ml/1, pH조절용 수산화나트륨 용액으로 조성하였고, 안정제, 도금촉진제 및 계면활성제의 첨가에 따른 분극곡선을 검토하여 도금욕의 경향을 검토한뒤 농도변화에 따른 도금속도를 측정하여 최적조건을 구하였다. 안정제는 $\alpha$, $\alpha$'-dipyridy1과 NaSCN을 혼합 사용하는 것이 좋았으며 촉진제로는 pyridine이 계면활성제로는 PEG 4000이 좋았다. 첨가량은 5mg/1이하의 미량이었으며 이후 첨가량이 증가함에 따라 증가함에 따라 도금속도는 직선적으로 감소하였다.
무전해 구리 도금 공정에서 첨가제로 사용되는 HIQSA 화합물이 Damascene 공정을 이용한 60nm급 trench 패턴 내 무전해 구리 배선 형성 과정에 미치는 효과를 전기 화학적 기법과 광학적 기법을 이용하여 관찰하였다. HIQSA 농도별 open circuit potential의 변화를 관측한 결과, 3ppm 수준으로 첨가되었을 때, 무전해 도금 과정 중 가장 안정한 전위가 유지됨을 볼 수 있었다. 무전해 도금액 내 HIQSA 농도가 높아짐에 따라 구리 도금층의 두께는 지수적으로 감소하였으며, 표면의 결정 크기도 감소하였다. 60nm급 trench 내 무전해 구리 도금 시, 용액 내 침적 시간 60초가 무결함 superconformal copper filling을 얻기 위한 최적 시간이었다.
본 실험에서는 PET 위 무전해 도금을 위한 대안 공정 개발을 목적으로 은(Ag)와 과망간산염($MnO_4{^-}$)를 사용하여 기존에 일반적으로 사용된 Sn/Pd의 Sensitization과 Activation process를 대체하는 기술을 연구했다. Palladium(Pd)의 경우 공정비용에서 높은 부분을 차지하기 때문에 이를 대신하여 Ag를 사용했으며, PET 표면의 전처리를 위해 Ultra Violet과 과망간 산염을 이용하여 표면의 친수성을 높였다. 과망간산염을 사용하여 표면을 전처리하는 과정에서 이산화망간($MnO_2$)과 알코올 작용기가 생성되는데 Ag activation 단계에서 촉매 생성에 중간 매개체 역할을 하는 것으로 사료된다. 이와 같은 결론을 도출 하기 위해서 표면 위 Ag의 화학적 구조 및 상 분석을 위해 XPS와 TEM이 사용되었으며 표면에서 Ag는 Ag-O와 같은 Silver oxide의 형태와 Ag-Mn-O와 같은 Compound로 무전해 도금을 위한 촉매 역할 하는 것으로 판단된다.
무전해 도금법을 이용하여 고분자섬유의 형태를 가진 전도성 필러를 제조하였다. 나일론 6과 레이온 섬유 분체에 니켈과 구리를 도금한 복합 전도성 필러를 제조하였다. 입도 분석기를 이용하여 필러의 입자크기분포를 측정하였으며, 전도성 필러의 전도성을 측정하기 위해 전도성 분석기를 이용하였으며, 본 연구의 전도성 필러와 유사한 용도로 사용되는 탄소섬유의 전도성을 측정하여 전도성의 차이점을 비교하였다. ABS 수지에 제조된 전도성 필러를 주입하여 필름을 만들어서 1MHz$\sim$1GHz 주파수 대역에서 전자파 차폐 특성을 측정하였다. 제조된 전도성 필러가 첨가된 필름의 전자기파 차폐 특성을 측정하기 위하여 ASTM(D4935-89) 규격의 플랜지형 동축전송선 측정기구를 사용하였다. 제조된 전도성 필러는 기존의 탄소계 필러에 비해 전도성이 커서 전자파 차폐용 재료로 적합하였다.
하이드로퀴논 환원제를 사용하는 무전해 은도금 방법으로 은(Ag)코팅 구리(Cu) 플레이크를 제조하는 공정에서 전처리 용액, 반응온도, pH, Ag 도금액 조성 및 주입속도, 펄프농도 등 여러 변수를 변화시켜가며 우수한 품질의 Ag 코팅이 형성되는 공정조건들을 확보하였다. Cu 플레이크 표면의 산화층을 제거하기 위한 효과적인 전처리 용액이 제시되었고, 낮은 반응온도, 4.34 수준의 pH값, 느린 Ag 도금액 주입속도, Ag 도금액에서 증류수 제거, 높은 펄프농도 조건에서 분리형 미세 Ag 입자들의 생성이 억제되고, Cu 표면 커버리지가 우수한 Ag 코팅층이 형성됨을 확인할 수 있었다.
SiC 보강재 표면에 도금된 Cu금속층이 Al/SiC복합재료의 젖음성에 미치는 영향을 검토하였다. 보강재에 대한 금속층의 도금은 무전해도금법을 이용하였으며, Al/SiC 복합재료의 제조는 텅스텐 발열체 진공로의$ 670^{\circ}C$~$900^{\circ}C$에서 제조하여 보강재와 기지간의 접촉부위를 촬영하여 젖음성을 측정하였다 젖음성 측정 결과 보강재에 도금된 Cu층은 젖음성을 향상시켰고, 젖음성의 개선은 보강재에 도금된 금속층과 기지간의 반응에 의해 계면에너지를 변화시킴으로서 나타난 결과이며. 반응을 통한 산화피막의 배제도 영향을 미친 것으로 판단된다
L-ascorbic acid 환원제를 사용하는 무전해 은도금 공정으로 Ag 코팅 Cu 플레이크를 제조하는 과정에서 전처리 방법 및 L-ascorbic acid의 농도에 따른 Ag 코팅층의 균일도 변화와 대기 중 승온에 따른 내산화 특성을 평가하였다. 전처리 방법에 따른 Cu 플레이크 표면 산화층의 제거 정도가 Ag 코팅층의 균일도에 큰 영향을 미치는 것을 관찰할 수 있었고, 플레이크에서의 홀 결함 발생정도도 Ag 코팅 Cu 플레이크의 내산화 특성에 다소 영향을 미쳤다. 또한 L-ascorbic acid 환원제의 농도는 Ag 코팅층의 생성 균일도 및 두께 등에 큰 영향을 미치는 대표 공정변수임을 확인할 수 있었는데, L-ascorbic acid의 농도가 0.04 M일 경우 가장 우수한 품질의 Ag 코팅 Cu 플레이크가 제조되었나, 농도를 0.06 M로 증가시킬 경우 미세한 순수 Ag 입자들의 생성으로 인해 Ag가 코팅되지 않은 Cu 표면 면적이 증가하면서 시료의 내산화 특성을 크게 감소시켰다.
An evaporated Ti/Pd/Ag contact system is most widely used to make high-efficiency silicon solar cells, however, the system is not cost effective due to expensive materials and vacuum techniques. Commercial solar cells with screen-printed contacts formed by using Ag paste suffer from a low fill factor and a high shading loss because of high contact resistance and low aspect ratio. Low-cost Ni and Cu metal contacts have been formed by using electro less plating and electroplating techniques to replace the Ti/Pd/Ag and screen-printed Ag contacts. Ni/Cu alloy is plated on a silicon substrate by electro-deposition of the alloy from an acetate electrolyte solution, and nickel-silicide formation at the interface between the silicon and the nickel enhances stability and reduces the contact resistance. It was, therefore, found that nickel-silicide was suitable for high-efficiency solar cell applications. Cu was electroplated on the Ni layer by using a light induced plating method. The Cu electroplating solution was made up of a commercially available acid sulfate bath and additives to reduce the stress of the copper layer. In this paper, we investigated low-cost Ni/Cu contact formation by electro less and electroplating for crystalline silicon solar cells.
Microchannel plates (MCPs) have been developed by introducing new materials and process technologies. Main body was made of alumina by programmable punching, laminating, and firing. The channel walls of pore arrays of an MCP were deposited with thin films by electroless copper plating and sol-gel process. Our MCP has advantages such as easy fabrication, durability, high temperature endurance, and applicability to the large size comparing with the conventional MCPs. Experiments on the brightness of an MCP incorporated FED revealed that the FED with a MCP is three to four times brighter than a conventional FED. Moreover, the focusing in a FED is improved. Incorporating an MCP into a FED is one of promising methods to enhance the characteristics of the FED. In addition, amplification yield of the MCP is measured for varying the aspect ratio and the input current.
High-efficiency silicon solar cells have potential applications on mobile electronics and electrical vehicles. The fabrication processes of the high efficiency cells necessitate com placated fabrication precesses and expensive materials. Ti/Pd/Ag metal contact has been used only for limited area In spite of good stability and low contact resistance because of Its expensive material cost and precesses. Screen printed contact formed by Ag paste causes a low fill factor and a high shading loss of commercial solar cells because of high contact resistance and a low aspect ratio. Low cost Ni/Cu metal contact has been formed by using a low cost electroless and electroplating. Nickel silicide formation at the interface enhances stability and reduces the contact resistance resulting In an energy conversion efficiency of $20.2\%\;on\;0.50{\Omega}cm$ FZ wafer. Tapered contact structure has been applied to large area solar cells with $6.7\times6.7cm^2$ in order to reduce power losses by the front contact The tapered front metal contact Is easily formed by the electroplating technique producing $45cm^2$ solar cells with an efficiency of $21.4\%$ on $21.4\%\;on\;2{\Omega}cm$ FZ wafer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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