• 제목/요약/키워드: Electrode damage

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이온 선택성 전극을 이용한 의약품 정량: Calix[4]arene과 Dibenzo-18-crown-6-ether에 의한 verapamil-선택성 polymeric membrane electrode (Ion-Selective Electrodes in Drugs Analysis: Verapamil-Selective Polymeric Membrane Electrodes Based on Calix[4]arene and Dibenzo-18-crown-6-ether Ionophores)

  • 이은엽;김성진;김영학;김재현;허문회;안문규
    • 약학회지
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    • 제39권1호
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    • pp.61-67
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    • 1995
  • PVC membrane electrodes based on the lipophilic neutral carrier, dibenzo-18-crown-6, cyclic oligomers of teit-butylphenol-formaidehyde condensates, calix[4]arenes as the active sensors for verapamil have been prepared and tested in a variety of plasticizers. At pH 5.0, the electrode exhibits a Nernstian response in the range of 10$^{-2}$~5$\times$10$^{-5}$ M verapamil with a slope of 49.1$\pm$0.5mV per concentration decade. The electrode constructed in this work can be used continuously for at least 1 month before any damage to the membrane occurs. And the analyses of the local anesthetic amine, which are good to select a specific compound in a mixed solution, were also accomplished by using of another neutral carrier, a DB18C6, for comparing with calix[4]arene.

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축 방향 자기장애 의한 아크의 거동과 전극표면의 손상 (Arc behaviors and electrode surface damage under the axial magnetic field)

  • 조주현;최영욱;한용기;한현;권오경
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2007년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.188-189
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    • 2007
  • Axial magnetic field was applied into the hollow anode of plasma torch for the purpose of extension of electrode lifetime. The average arc voltage increased because the arc column became longer, the arc voltage ripple frequency became low. The steady state of arc voltage was removed by applied magnetic filed. The lifetime of electrode was over 1000 hours which is 100 times longer than operation without magnetic field.

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스퍼터링법을 이용한 OLED용 Al 전극의 제작 (Preparing of the AI electrode for OLED by Sputtering Methode)

  • 김경환;금민종
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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    • pp.72-75
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    • 2005
  • In this study Al electrode for OLED was deposited by FTS(Facing Targets Sputtering) system which can deposit thin films with low substrate damage. The Al thin films were deposited on the cell(LiF/EML/HTL/Bottom electrode) as a function of working gas such as Ar, Kr or mixed gas. Also Al thin films were prepared with working gas pressure (1, 6 mTorr ). The film thickness and I-V curve of Al/cell were evaluated by $\alpha$-step and semiconductor parameter (HP4156A) measurement. In the results, when Al thin film were deposited using pure Ar gas, the turn-on voltage of Al/cell was about 11[V]. And the turn-on voltage of Al/cell can be decrease to about 7[V].

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Development of Plasma Damage Free Sputtering Process for ITO Anode Formation Inverted Structure OLED

  • Lee, You-Jong;Jang, Jin-N.;Yang, Ie-Hong;Kim, Joo-Hyung;Kwon, Soon-Nam;Hong, Mun-Pyo;Kim, Dae-C.;Oh, Koung-S.;Yoo, Suk-Jae;Lee, Bon-J.
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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    • pp.1323-1324
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    • 2008
  • We developed the Hyper-thermal Neutral Beam (HNB) sputtering process as a plasma damage free process for ITO top anode deposition on inverted Top emission OLED (ITOLED). For examining the effect of the HNB sputtering system, Inverted Bottom emission OLEDs (IBOLED) with ITO top anode electrode were fabricated; the characteristics of IBOLED using HNB sputtering process shows significant suppression of plasma induced damage.

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Antenna structure를 이용한 MIS(TaN/$HfO_2$/Si) capacitor의 plasma damage 연구 (Plasma damage of MIS(TaN/$HfO_2$/Si) capacitor using antenna structure)

  • 양승국;이승용;유한석;김한형;송호영;이종근;박세근
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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    • pp.551-552
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    • 2006
  • Plasma-induced charging damage was been measured during TaN gate electrode of MISFET(TaN/$HfO_2$/Si) or interconnection metal etching step using large antenna structures. The results of these experiments were obtained that $HfO_2$ gate dielectric layer was affected about plasma charging effects and damage increased with F-N tunneling. Therefore, the etching conditions should be optimized to avoid the defects caused by plasma charging.

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커프 신경전극을 위한 저잡음 증폭기 시스템 개발 (Development of a Low-Noise Amplifier System for Nerve Cuff Electrodes)

  • 송강일;추준욱;서준교;최귀원;유선국;윤인찬
    • 대한의용생체공학회:의공학회지
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    • 제32권1호
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    • pp.45-54
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    • 2011
  • Cuff electrodes have a benefit for chronic electroneurogram(ENG) recording while minimizing nerve damage. However, the ENG signals are usually contaminated by electromyogram(EMG) activity from the surrounding muscle, the thermal noise generated within the source resistance, and the electric noise generated primarily at the first stage of the amplifier. This paper proposes a new cuff electrode to reduce the interference of EMG signals. An additional middle electrode was placed at the center of cuff electrode. As a result, the proposed cuff electrode achieved a higher signal-to-interference ratio compared to the conventional tripolar cuff. The cuff electrode was then assembled together with closure, headstage, and hermetic case including electronic circuits. This paper also presents a lownoise amplifier system to improve signal-to-noise ratio. The circuit was designed based on the noise analysis to minimize the electronic noise. The result shows that the total noise of the amplifier was below $1{\mu}V_{rms}$ for a cuff impedance of $1\;k{\Omega}$ and the common-mode rejection ratio was 115 dB at 1 kHz. In the current study, the performance of nerve cuff electrode system was evaluated by monitoring afferent nerve signals under mechanical stimuli in a rat animal model.

해수전해장치 전해조 개선에 의한 전극 부착물 저감 (Reduction of Deposits on the Electrode by the Cell Modification in Direct Sea Water Electrolysis System)

  • 박승수;김기형;안희수;박광규;이태원
    • 공업화학
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    • 제16권4호
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    • pp.563-569
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    • 2005
  • 발전소에서 운영하고 있는 해수전해장치의 전극에 부착물이 다량으로 부착하여 성능이 저하되고 전극 손상사고가 발생하고 있어 전극 부착물을 억제할 수 있는 방안을 연구하였다. 현재 사용하고 있는 grating type의 양극을 plate type으로 변경하고 양극판 수를 9매에서 8매로 줄이는 한편, 전극 간격을 2.4 mm에서 3.0 mm로 늘리고, 극간 간격을 유지하기 위한 스페이서를 27개에서 10개로 줄인 전해조를 개발하였다. 발전소 현장에 개발 전해조를 설치하여 성능을 시험한 결과 기존의 제품에 비하여 전류효율은 15~20% 높았고, 전극 부착물은 36~60% 감소하였으며, 전력소비율은 20% 정도 낮은 것으로 나타났다.

A Study on the Effects of Needle Electrode Electrical Stimulation on the Number of c-Fos Response Cells and c-Fos Expression in the Global Ischemic Rats

  • Kim, Sung Won;Song, Young Wha;Lee, Jung Sook
    • 국제물리치료학회지
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    • 제7권2호
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    • pp.1031-1036
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    • 2016
  • c-Fos is known to related to synaptic plasticity and apoptosis in damage from ischemia or external injury. The purpose of this study was to investigate whether needle electrode electrical stimulation(NEES) is effective in increasing the number of c-Fos response cells and c-Fos expression in striatum after global ischemia in rats. There were no treatment and occlusion in the control group, global ischemia(GI) group were no treatment after carotid artery occlusion, and needle electrode electrical stimulation(NEES) group were treated with NEES after GI induced. The number of striatum c-Fos response cells and c-Fos protein expression significantly decreased in the NEES group compared to the GI group after 12, 24, 48 hours. The results of the present study suggest that NEES is ineffective in improving global ischemia in rats and may also be ineffective in the globally ischemic human brain.

탄소나노튜브 도전재 적용을 통한 리튬이온 이차전지용 고용량 SiOx 음극의 사이클 성능개선 (Improved Cycle Performance of High-Capacity SiOx Negative Electrodes with Carbon Nanotube Conducting Agents for Lithium-Ion Batteries)

  • 전향선;류지헌
    • 전기화학회지
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    • 제26권3호
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    • pp.35-41
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    • 2023
  • 리튬이온 이차전지용 음극 활물질인 탄소가 코팅된 실리콘 일산화물(carbon-coated silicon monoxide, c-SiOx)은 용량이 높지만, 충방전 중의 부피변화로 인해 사이클 수명이 제한된다. 특히, 활물질의 큰 부피 변화는 전극의 구조를 변형시켜 전자의 전달경로가 쉽게 손상될 수 있다. 전극에서 전자전달 경로를 형성하는 도전재인 카본블랙 중 일부를 선형의 형태를 지니는 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT)로 대체하여 활물질의 부피변화로 인한 전극의 손상을 완화하여 성능을 개선하고자 한다. 전극 내의 전체 도전재의 함량을 10 중량%로 고정하고, 탄소나노튜브의 상대적인 함량을 0, 2, 5, 10, 25 중량%로 카본블랙의 일부를 대체하여 전극을 제조하고 전기화학적 성능을 평가하였다. 전극 내의 탄소나노튜브의 함량이 증가함에 따라 사이클 수명과 속도특성이 모두 향상된다. 부피 변화가 큰 c-SiOx 음극에 소량의 CNT를 도전재로 적용하는 것으로 전지의 전기화학적 성능을 크게 향상시킬 수 있다. 또한 CNT를 잘 분산시키게 되면 더 적은 양을 사용하면서도 동등한 성능을 구현할 수 있다.

ITO 전극 형성 방법이 청색 발광 다이오드의 전기 광학적 특성에 미치는 영향 (Influence of ITO-Electrode Deposition Method on the Electro-optical Characteristics of Blue LEDs)

  • 한재호;김상배;전동민
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제44권11호
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    • pp.43-50
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    • 2007
  • ITO(Indium Tin Oxide) 전극 형성방법은 ITO 박막 자체의 전기 광학적 특성 뿐 아니라 ITO를 전극으로 하는 청색 발광 다이오드(파장 469nm)의 전기 광학적 특성 및 신뢰성에도 큰 영향을 미침을 확인하였다. 세 가지 ITO 전극 형성 방법 즉 electron beam evaporation법과 sputtering법, 그리고 electron beam evaporation법으로 먼저 증착한 뒤에 sputtering법으로 증착한 hybrid법 등을 사용하여 청색 발광 다이오드를 제작한 다음에 ITO 박막의 특성과 aging에 따른 발광 다이오드의 전기 광학적 특성 변화를 고찰하였다. 그 결과, ITO 전극을 sputtering 또는 electron beam evaporation 방법으로 형성한 발광 다이오드는 각각 sputtering damage의 문제와 전기저항이 증가하는 문제점을 안고 있음을 발견하였다. 그리고 이 문제점들을 hybrid 방법으로 해결하였다.