This study is to investigate the switching charac-teritics in the5V-programmable scaled MONOS nonvolatile memory devices, Modified Folwer-Nordheim tunneling mechanism become important when the electric field in the tunneling oxide is 6 MV/cm for E$\_$OT/ <6MV/cm the trap-assisted tunneling mechanism is dominant, The density of nitride bulk trap is found to be N$\_$T/=7.7${\times}$10$\^$18/ cm$\^$-3/ and the energy level of trap is determined to be ø$\_$T/=0.65 eV.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제2권3호
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pp.164-169
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2002
This paper mainly discusses the hard breakdown of 2.2-nm-thick $SiO_2$ films. It is shown that the hard breakdown event of a 2.2-nm-thick $SiO_2$ film greatly depends on the applied electric field. It is strongly suggested that the local weak spots created by applying a low initial stress to a 2.2-nm-thick $SiO_2$film resist the onset of hard breakdown. In other words, it is anticipated that the stored electrostatic energy is fast dissipated by trap-assisted tunneling in 2.2-nm-thick $SiO_2$ film. Consequently, it is strongly suggested that 2.2-nm-thick $SiO_2$ films are intrinsically quite robust.
Electircal characteristics of HgCdTe photodiodes with a heterostructure to achieve high performance are analyzed numerically. A two-dimensional device simulator which can handle a HgCdTe heterostructure, was developed for this work. The effects of band nonparabolicity, carrier degeneracy, and band-offset of heterointerace are included in a carrier transport model. A unified generation-recombination model includes simultaneously phonon-assisted tunneling and pure tunneling of carriers via traps is newly employed for describing the electric field and temperature dependency of dark current effectively. Furthermore, to accurately predict the effect mole fraction variations on genration rates, ray-trace algorithm is incorporated in the our simulator. Under the various circumstances such as dark, illumination, and surface states, electrical properties of planar heterostructure photodiode are presented and those of homojunction are compared. These results serve as a explanation of cap layer's role on performance.
Suda, Shoya;Ishibashi, Kenji;Riyana, Eka Sapta;Aida, Yani Nur;Nakamura, Shohei;Imahayashi, Yoichi
Journal of Radiation Protection and Research
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제41권4호
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pp.373-377
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2016
Background: Experiments with small electrochemical apparatus were previously carried out for detecting low-energy neutrinos under irradiation of reactor neutrinos and under natural neutrino environment. The experimental result indicated that the output current of reactor-neutrino irradiated detector was appreciably larger than that of natural environmental one. Usual interaction cross-sections of neutrinos are quite small, so that they do not explain the experimental result at all. Materials and Methods: To understand the experimental data, we propose that some biological products may generate AV-type scalar field B0, leading to a large interaction cross-section. The output current generation is ascribed to an electrochemical process that may be assisted by weak interaction phenomena. Dissolved oxygen concentrations in the detector solution were measured in this study, for the purpose of understanding the mechanism of the detector output current generation. Results and Discussion: It was found that the time evolution of experimental output current was mostly reproduced in simulation calculation on the basis of the measured dissolved oxygen concentration. Conclusion: We mostly explained the variation of experimental data by using the electrochemical half-cell analysis model based on the DO concentration that is consistent to the experiment.
Carbon nanotubes (CNTs) are one of the nanomaterials that were discovered by Iijima in 1991 for the first time. CNTs have long cylindrical and axi-symmetric structures. CNTs are made by rolling graphene sheets. Because of their large length-to-diameter ratio, they are called nanotubes. CNTs are categorized as single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) or multi-walled carbon nanotubes (MWCNTs) based on the shell structures. CNTs are broadly used in various fields, such as scanning probe microscopy, ultra fine nano balance and medicine, due to their extraordinary thermal conductivity, electrical and mechanical properties. Because long, straight CNTs have the same shape as asbestos, which cause cancer in cells lining the lung, there have been many studies on the effects of MWCNTs on human health that have been conducted. Stable atomization of CNTs is very important for the estimation of inhalation toxicity. In the present study, electro-static assisted axial atomizer (EAAA), which is the instrument that uses MWCNTs and aerosolizes them by transforming the single fiber shape using ultrasonic dispersion and electric field, was invented. EAAA consists of a ultrasonic bath for dispersion of MWCNTs and a particle generator for atomizing single fibers. The performance evaluation was conducted in order to assess the possibilities of 6-hour straight atomization with stability, which is the suggested exposure time in a day for the estimation of inhalation toxicity.
전기영동전착법은 제작장치와 공정이 간단하고 두께제어 및 다양한 형태의 초전도 막과 선재 제작이 가능한 경제적 효율성과 기술적 장점을 가지고 있다. 본 논문에서는 전착공정 개발을 통한 분말의 치밀성 및 배향성 향상을 위한 최적화 방안과, 건조 및 열처리 과정에서의 크랙 및 기공현상과 같은 문제점을 극복할 수 있는 균일한 표면의 확보에 관한 연구를 수행하였으며 전기영동전착 초전도 후 막 테이프 제조를 위한 공정의 최적화 방안에 대하여 연구하였다. YBCO 초전도 후막의 균일한 표면과 초전도특성 향상을 위한 공정개선방법으로는 수직방향 교류전계 인가 방식을 적용한 시스템을 최초로 개발하여 전기영동전착 공정에 적용하였다. 본 연구에서 제안한 수직방향 교류전계 인가 방식은 경제적 효율성을 위하여 60 Hz의 25∼120 V/cm의 상용전원을 사용하였으며, 제작된 후막은 기공과 크랙현상이 제거된 균일한 후막으로 여기서 얻어진 대표적인 특성 값들은 임계온도(Tc,zero) 90 K, 임계전류밀도 3419 A/$\textrm{cm}^2$의 값을 얻었다. 직류 전착전계만을 사용하여 제작된 후막의 임계전류밀값인 2354 A/$\textrm{cm}^2$에 비하여 45% 이상 향상된 특성을 확보하였다.
We investigated fault current limitation characteristics of the resistive superconducting fault current limiter(SFCL) which consisted of a Bi-2212 bulk coil and a shunt coil. The Bi-2212 bulk coil and the shunt coil were connected in parallel. The Bi-2212 bulk coil was placed inside the shunt coil to induce field-assisted quench. The fault test was conducted at an input voltage of 200 $V_{rms}$ and fault current of 12 $kA_{rms}$ and 25 $kA_{rms}$. The fault conditions were asymmetric and symmetric, and the fault period was 5 cycles. The test results show that the SFCL successfully limited the fault current of 12 $kA_{rms}$ and 25 $kA_{rms}$ to below $5.5{\sim}6.9kA_{peak}$ within $0.64{\sim}2.17$ msec after the fault occurred. Limitation was faster under symmetric fault test condition due to the larger change rate of current. We concluded that the speed of fault current limitation was determined by the speed of current rise rather than the amplitude of a short circuit current. These results show that the Bi-2212 bulk coil is suitable for distribution-class SFCLs.
When an electric field higher than a characteristic coercive field is applied to a ferroelectric such as $LiNbO_3$, the orientation of the spontaneous polarization is reversed, which causes the reversal of the sign of odd-rank tensor properties such as electro-optic and nonlinear optic coefficients. A fabrication process of insulator and periodic external field assisted poling of a z-cut $LiNbO_3$ have been optimized for a periodic $180^{\circ}$ phase inversion along z-axis. The poling jig and the poling control system, fully controlled by a computer, for high quality and reproducible PPLN fabrication have been devised. Periodically polarization reversed PPLN was adjusted based on the fabricated thickness of insulator. The poling structure of PPLN was observed under a microscope after etching PPLN samples by an etching solution ($HF:HNO_3$ = 1 : 2) for about 15 min.
고본 논문에서는 시뮬레이션 기법을 통하여 RAD법을 Ar 플라즈마 상태에서 구동하도록 설정하였다. 이것은 플라즈마를 구성하는 요소들이 PLAD법에 의해 방출된 각 입자들에 어떠한 영향을 미치는가를 확인하고자 하였으며, 특히 방출된 입자들의 운동 에너지 및 밀도를 제어할 수 있을 것으로 기대되어지기 때문이다. Ar 플라즈마의 방전 공간내에서, RAD법에 의한 전자, 탄소 이온$(C^+)$ 및 탄소 원자(C)의 운동 과정을 보다 정확히 계산하기 위해서 입자 및 유체 모델을 융합한 1차원 하이브리드 모델을 계발하였다. 그 결과 쉬스 내에 형성되는 전위를 제어함으로써 기판에 도달하는 $C^+$의 밀도 및 에너지를 제어할 수 있는 것으로 기대되어졌다.
Ti 확산 리튬나오베이트 채널 광도파로의 z-축 분극을 주기적으로 $180^{\circ}$ 위상 변화시키는 Ti:PPLN 제작 공정을 검토하고, 개선하였다. 분극반전 공정에 적합한 지그와 Labview 프로그램을 이용하여 전하량 제어시스템을 고안하였다. 분극반전에 필요한 전하량으로부터 분극에 적절한 고전압 펄스와 duty-cycle을 조절하였으며, 분극에 필요한 임계 전압 보다 작은 전압을 인가한 상태에서 누설전류의 변화를 관찰하여 절연파괴 현상을 또한 최소화하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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