• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제38권3호
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• pp.175-183
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• 2021

The dependencies of the chemical element abundances in stellar atmospheres with respect to solar abundances on the second ionization potentials of the same elements were investigated using the published stellar abundance patterns for 1,149 G and K giants in the Local Region of the Galaxy. The correlations between the relative abundances of chemical elements and their second ionization potentials were calculated for groups of stars with effective temperatures between 3,764 and 7,725 K. Correlations were identified for chemical elements with second ionization potentials of 12.5 eV to 20 eV and for elements with second ionization potentials higher than 20 eV. For the first group of elements, the correlation coefficients were positive for stars with effective temperatures lower than 5,300 K and negative for stars with effective temperatures from 5,300 K to 7,725 K. The results of this study and the comparison with earlier results for hotter stars confirm the variations in these correlations with the effective temperature. A possible explanation for the observed effects is the accretion of hydrogen and helium atoms from the interstellar medium.

• 한국의학물리학회지:의학물리
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• 제13권2호
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• pp.55-61
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• 2002

본 연구는 제작된 방사선 측정시스템을 평가하기 위한 방법중의 하나인 유효측정점을 명확히 정하기 위하여 실행되었다. 일반적으로 원통형이나 두 전극간의 간격이 매우 작은 평행평판형 이온함의 경우 유효측정점은 잘 정의 되어있다. 그 정의에 의하면 그리 크지 않은 체적을 갖는 평행평판형 이온함의 유효측정점은 방사선이 입사되는 윗면의 바로 아래로 정의한다고 되어있다. 그러나 본 연구에서 제작한 이온함과 같이 두 전극간의 간격을 비교적 크게 할 경우 위의 정의는 더 이상 유효하지 않을 수도 있을 것으로 생각되어 평행평판형 이온함의 두 전극간의 간격을 3, 6, 10 mm로 하여 체적이 0.9, 1.9, 3.1 cc로 비교적 크게 한 경우에 그 유효측정점의 변화를 검토하고자 하였다. 실험은 의료용 선형가속기로부터 발생가능한 광자선 6, 10 MV와 전자선 6, 12 MeV에 대하여 시행되었으며, 방법은 이온함의 buildup의 두께를 증가시켜가면서 방사선의 측정선량이 최대가 되는 깊이를 조사하였다. 그 결과 광자선과 전자선의 경우 조사된 모든 에너지에 대하여 그 정도의 차이는 있으나 전반적으로 이온함의 체적이 커짐에 따라서 즉, 두 전극간의 간격이 멀어짐에 따라서 유효측정점이 이온함의 윗면에서부터 이온함의 중심 쪽으로 이동하는 경향을 보였다. 그 정도는 이온함 체적의 크기가 커질수록 더 크게 이동하는 양상을 보였다. 이와 같은 결과로 볼 때 평행평판형 이온함의 경우는 두 전극간의 간격이 어느 정도 큰 경우에는 유효측정점이 변하게 됨으로 이온함의 체적에 따라서 그 유효측정점을 조사할 필요가 있다고 생각된다.

• 전기학회논문지P
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• 제58권1호
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• pp.44-47
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• 2009

This paper describes the information for quantitative simulation of weakly ionized plasma. We must grasp the meaning of the plasma state condition to utilize engineering application and to understand materials of plasma state. $SF_6$ gas is widely used in industrial of insulation field. In this paper, $N_2$ is mixed to improve pure $SF_6$ gas characteristics. Electron transport coefficients in $SF_6-N_2$ mixture gases are simulated in range of E/N values from 70 to 400 [Td] at 300K and 1 Torr by using Boltzmann equation method. The results of this method. which are ionization coefficient, attachment coefficient, effective ionization coefficient, and critical E/N, can be important data to present characteristic of gas for insulation. Specially critical E/N is a data to evaluate insulation strength of a gas and is presented in this paper for various mixture ratios of $SF_6-N_2$ mixture gases.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 1999년도 춘계종합학술대회
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• pp.385-388
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• 1999

Non-local impact ionization 현상의 해석에 사용될 수 있는 새로운 local model이 제시되었다. 새로운 모델은 임의의 점에서 가상의 선형 전기장과 path integral로 계산되는 유효전기장의 값을 이용한다. 이 모델은 불순물 농도, 전자 및 홀 농도, 전기장의 기울기 둥의 local 변수만을 이용함으로써 기존의 drift-diffusion 소자 시뮬레이터에 쉽게 적용될 수 있다. 결과를 Monte Carlo 시뮬레이션과 비교하여 새로운 모델이 non-local 현상을 잘 설명하는 것을 확인할 수 있었다.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권4호
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• pp.129-135
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• 1996

In this paper, the hot carrier effect and device degradation of deep submicrometer SC-PMOSFETs have been measured and characterized. It has been shown that the substrate current of a 0.15$\mu$m PMOSFET increases with increasing of impact ionization rate, and the impact ionization rate is a function of the gate length and gate bias voltage. Correlation between gate current and substrate current is investigated within the general framework of the lucky-electron. It is found that the impact ionization rate increases, but the device degradation is not serious with decreasing effective channel length. SCIHE is suggested as the possible phusical mechanism for enhanced impact ionization rate and gate current reduction. Considering the hot carrier induced device degradation, it has been found that the maximum supply voltage is about -2.6V for 0.15$\mu$m PMOSFET.

• 천문학회보
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• 제43권1호
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• pp.53.1-53.1
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• 2018

During a major solar eruption, the erupting plasma is possibly out of the equilibrium ionization state because of its rapid heating or cooling. The non-equilibrium ionization process is important in a rapidly evolving system where the thermodynamical time scale is shorter than the ionization or recombination time scales. We investigate the effects of non-equilibrium ionization on EUV and X-ray observations by the Atmospheric Imaging Assembly (AIA) on board Solar Dynamic Observatory and X-ray Telescope (XRT) on board Hinode. For the investigation, first, we find the emissivities for all the lines of ions of elements using CHIANTI 8.07, and then we find the temperature responses multiplying the emissivities by the effective area for each AIA and XRT passband. Second, we obtain the ion fractions using a time-dependent ionization model (Shen et al. 2015), which uses an eigenvalue method, for all the lines of ion, as a function of temperature, and a characteristic time scale, $n_et$, where $n_e$ and t are density and time, respectively. Lastly, the ion fractions are multiplied to the temperature response for each passband, which results in a 2D grid for each combination of temperature and the characteristic time scale. This is the set of passband responses for plasma that is rapidly ionized in a current sheet or a shock. We investigate an observed event which has a relatively large uncertainty in an analysis using a differential emission measure method assuming equilibrium ionization state. We verify whether the observed coronal plasmas are in non-equilibrium or equilibrium ionization state using the passband responses.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제21권4호
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• pp.401-404
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• 2000

Matrix/Surface-assisted laser desorption/ionization (M/SALDI) mass spectrometry of polypropylene glycol and polystyrene, directly deposited on graphite plate, is demonstrated. Graphite plate is effective both as an en-ergy transfer medium and robu st sampling support for LDI of polymers. Mass spectra ofpolymers can be easily obtained due to homogeneous distribution on graphite surface and their ion signals are long-lived by large ef-fective desorption volume enough to investigate M/SALDI process.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권5호
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• pp.290-297
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• 2003

전자와 정공의 온도 관련 이온화 계수로부터 추출한 온도 함수의 유효 이온화 계수 및 전자 이동도를 이용하여 실리콘 전력 MOSFET의 항복 전압과 on 저항을 위한 온도 함수의 해석적 표현식을 유도하였다. 온도 함수의 해석적 항복 전압 결과를 4x10/sup 14/ cm/sup -3/, 1x10/sup 15/ cm/sup -3/, 6x10/sup 16/ cm/sup -3/의 도핑 농도에 대해 각각 실험 결과와 비교하였고, 온도 및 항복 전압 함수의 on 저항 변화도 각각 실험 결과와 비교하였다. 각농도에 따른 온도 함수의 해석적 항복 전압은 77∼300k의 온도 범위에서 실험 결과와 10% 이내의 오차로 잘 일치하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권6호
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• pp.1-5
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• 2009

6H-SiC 전자 및 정공의 이온화계수로부터 유효이온화계수를 추출하여 6H-SiC PN 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 표현식을 유도하였다. 해석적 모형으로부터 구한 항복전압을 $10^{15}{\sim}10^{18}\;cm^{-3}$의 도핑 농도 범위에서 실험 결과와 비교하여 10% 이내의 오차로 일치하였고, 농도 함수의 온-저항의 해석적 결과도 $5{\times}10^{15}{\sim}10^{16}\;cm^{-3}$의 범위에서 이미 발표된 수치적 결과와 매우 잘 일치하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.346-346
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• 2010

A capacitorless one transistor dynamic random access memory (1T-DRAM) on silicon-germanium-on-insulator substrate was investigated. SGOI technology can make high effective mobility because of lattice mismatch between the Si channel and the SiGe buffer layer. To evaluate memory characteristics of 1T-DRAM, the floating body effect is generated by impact ionization (II) and gate induced drain leakage (GIDL) current. Compared with use of impact ionization current, the use of GIDL current leads to low power consumption and larger sense margin.