The measurement method of the spectral emissivity by using hemispherical mirror which has an inclined observation hole is studied. This method is useful in measuring the spectral emissivity of the solid material both conductor and non-conductor. In this study, the effective reflectivity of the hemispherical mirror is also measured for calculating the spectral emissivity of materials. The effective reflectivity measured is 0.9.
It is observed that the mode spacing of an cxternal cavity semiconducror laser can be altered dramatically by the insertion of an intracavity etalon. 111e mode spacing is decreased as a function of etalon's reflectivity and this effect is quantitatively explained by an analysis of resonant modes. We abo show that this effect provides a precise and convenient alternative for determining the coating reflectivity of a high reflectivity etalon. talon.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.37
no.11
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pp.36-42
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2000
We calculate the facet reflectivity as a function of the waveguide width of buried channel waveguides using the angular spectrum method and the field profiles obtained by the effective index method, the variational method and the modified variational method, respectively and discuss the results. As the waveguide width increases, the facet reflectivity of buried channel waveguides approaches to that of slab waveguides. As the waveguide width decreases, the facet reflectivity of quasi-TE mode decreases from that of slab waveguides, while that of quasi-TE mode increases from that of slab waveguides. The variation of the facet reflectivity of quasi-TE mode as a function of waveguide width is much larger than that of quasi-TM mode. When the aspect ratio is one, the difference between the facet reflectivity of quasi-TE mode and that of quasi-TM mode using the variational method and the modified variational method is negligible, while the difference between the facet reflectivity of quasi-TE mode and that of quasi-TM mode using the effective index method is large. In the case of quasi-TE mode, the facet reflectivity using the angular spectrum method and the field profiles obtained by the modified variational method could be more accurate than that obtained by the effective method. In the case of quasi-TM mode, the facet reflectivities obtained by the various methods are almost the same.
Microcircuit fabrication requires precise control of impurities in tiny regions of the silicon. These regions must be interconnected to create components and VLSI circuits. The patterns to define such regions are created by lithographic processes. In order to image features smaller than 70 nm, it is necessary to employ non-optical technology (or next generation lithography: NGL). One such NGL is extreme ultra-violet lithography (EUVL). EUVL transmits the pattern on the wafer surface after reflecting ultra-violet through mask pattern. If particles exist on the blank mask, it can't transmit the accurate pattern on the wafer and decrease the reflectivity. It is important to care the blank mask. We removed the particles on the wafer using focused ion beam (FIB). During removal, FIB beam caused damage the multi layer mask and it decreased the reflectivity. The relationship between particle removal and reflectivity is examined: i) transmission electron microscope (TEM) observation after particle removal, ii) reflectivity simulation. It is found that the image mode of FIB is more effective for particle removal than spot and bar mode.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.27
no.6
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pp.789-795
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2003
It is studied that the measuring method of the spectral emissivity by using hemispherical mirror with an inclined observation hole. The in-service calibration method of mirror reflectivity is also dealed with. It is possible to apply this method on measuring emissivity of conductor or non-conductor.
This paper shows a new effective approach to measure crystallization temperature of soft magnetic underlayer (SUL) for next generation of heat assisted perpendicular recording media. This approach uses temperature dependent reflectivity, which shows a clear jump when samples are crystallized. To achieve this measurement, an optical system is set up using hot plate and infrared laser. Reflectivity of SUL $(Co_{70}Fe_{30})_{92}Ta_3Zr_5$ shows a clear jump at its amorphous-crystalline transition temperature. Experiment results show this effect is clear in infrared region, and is weak for visible light.
Purpose: To measure the level of reflection, this study analyzes diaries written by third-year nursing students before and after the debriefing stage in simulation training. A qualitative study using diary entries from 15 nursing students to explore reflection depth. Methods: Students engaged in simulation training and the debriefing stage, documenting their reflections in diaries. Before and after debriefing, reflections were rated from Level 1 (reflectivity) to Level 7 (theoretical reflectivity). Results: The total number of reflection levels rose significantly from 545 to 829 post-debriefing, enhancing higher-order reflection. The shift signifies a move from superficial to deep reflection, highlighting debriefing's role in fostering critical thinking. Conclusion: The findings underscore the critical role of debriefing in enhancing reflective thinking in nursing education. There is a demonstrated need for further research into the specific elements of debriefing that are most effective at promoting deep reflection. Future studies should conduct comparative analyses of different debriefing methods and approaches across various educational settings. This research could lay the foundation for designing more effective debriefing strategies that foster critical thinking and improve learning outcomes in nursing education.
Kim, Sang-Taek;Kim, Dong-Hu;Kim, Bu-Gyun;Yu, Myeong-Sik
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.38
no.9
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pp.634-642
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2001
We calculate the facet reflectivity of buried channel waveguides and ridge waveguides as a function of the waveguide width for various thicknesses using the angular spectrum method and the two dimensional field profiles obtained by the variational method (VM) and the effective index method (EIM). The variation of the reflectivity of buried channel waveguides as a function of the waveguide width is large, while that of ridge waveguides is very small. The accuracy of the field profiles necessary for the calculation of the facet reflectivity using the angular spectrum method greatly affects that of the facet reflectivity. The difference between the exact reflectivity and that using EIM increases as the waveguide width and thickness decreases due to the inaccuracy of the field profiles obtained by EIM. However, the difference between the exact reflectivity and that using VM is smaller than that using EIM regardless of waveguide width and thickness. The difference between the facet reflectivities u sing EIM and VM is small in the area where the EIM works very well.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.32
no.3
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pp.257-264
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1999
Thin reflective films are synthesized by using PVD methods with a bright metal of Al or Ag. For purposes of improving the reflectance and adhesion of such films particularly, substrate bias was applied during sputtering (namely, ion-plating) to enhance the deposition process with higher energy. And we succeeded in fabricating a quality silver film which possesses an adhesion of $85{\;}Kg/\textrm{cm}^2$ and a high reflectivity of more than 96%. Both of reflectivity and adhesion are better in case of bias sputtering as controlled than nonbias sputtering, particularly the bias of 50-100 V showed most effective. The microstructures of sample films were examined by using various equipments and the XRD spectrum in particular showed that <111> direction is the preferred growth orientation.
Traveling wave type semiconductor optical amplifiers integrated with spot-size-converter (SSC-TW-SOA) have been extensively studied for the improvement of coupling effiClency With single-mode fiber and fO! the cost reducClon 111 a packaging In tlIis paper the slructural dependence of the spot-slZe-converter on the effective facet reflectlvllY $R_{eff}$ was experimentally as well as thcoretienlly mvestlgated. It was shown that not only a sufficient mode-conversion in a sse region along the latersl and tran~verse directions but also an introductIOn of angled-facet were very essential in order to reduce $R_{eff}$ Very small ripple less than 0.1 dB in an amplified spontaneous emission spectrum was observed with the fabncated SSC-lW-SOA which consists of the wrndow length of $20\mu\textrm{m}$, facet angle of $7^{\circ}$, and antlrelleetioll-coated facet of ] % reflectivity.tivity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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