• 폴리머
• /
• 제26권2호
• /
• pp.153-159
• /
• 2002

본 연구에서는 지하수 중의 NO$_{3}^{-}$ 이온을 선택적으로 흡착 제거시키기 위하여 E-beam 전조사법에 의해 GMA 단량체를 폴리프로필렌 섬유 기재에 그라프트 반응시켜 PP-g-GMA 공중합체를 제조한 후 아민화 반응을 통하여 강염기성 APP-g-GMA 음이온교환수지를 합성하였다. 공중합체의 그라프트율 및 TMA에 의한 아민화율은 반응온도가 증가할수록 증가하였으며, $60^{\circ}C$일 때 각각 133%, 88% 최대치를 나타내었고, 이때의 팽윤율과 이온교환용량은 각각 86%, 2.5 meq/g으로 IMAC HP555, Amberlite IRA 400와 같은 상용 이온교환수지 보다 높게 나타났다. $NO_3;^-$ 이온흡착의 최적 조건은 pH 5~6이었으며, trimethylammonium 기를 갖는 -Cl형의 APP-g-GMA 이온교환체가 가장 높은 선택 흡착성을 나타냈다.

• Journal of Radiation Protection and Research
• /
• 제33권2호
• /
• pp.53-59
• /
• 2008

X선과 같은 고에너지 방사선에 의한 DNA 손상 중 간접적인 손상을 확인하기 위하여 탄탈륨(Ta) 박막위에 동결건조 과정으로 만들어진 pGEM-3Zf(-) plasmid DNA 단일층(monolayer)의 박막을 만든 다음, 에너지가 1.5 keV인 Al $K{\alpha}$ X선을 0분, 3분, 7분, 10분 동안 초고진공 상태에서 이 DNA 단일층에 조사하여 평균 흡수선량(mean absorbed dose)의 변화에 따른 DNA 손상을 관찰하였다. 또한 3 eV의 낮은 에너지 전자선을 조사하여 그 결과를 X선을 조사한 경우와 비교하였다. X선과 낮은 에너지 전자선으로 조사된 plasmid DNA를 전기영동(electrophoresis) 방법을 이용해 supercoiled DNA와 unsupercoiled DNA로 분리한 후 각각을 정량적으로 분석하였다. Supercoiled DNA는 X선과 3 eV 전자선의 조사에 따른 평균흡수선량이 증가함에 따라 선형적으로 감소했다. 그와 반대로 circular DNA와 crosslinked form 1 DNA는 평균흡수선량이 증가함에 따라 선형적으로 증가했다. 이것은 supercoiled DNA가 낮은 에너지 전자와 상호작용하여 외가닥 절단(single strand break)을 일으켰고 그 결과 unsupercoiled DNA로 변화되었음을 보여준다. 본 실험을 통해 X선과 같은 고에너지 방사선에 의한 DNA의 간접적 손상이 일어남을 관찰할 수 있었고, DNA의 이온화 에너지보다 작은 에너지($0{\sim}10\;eV$)를 갖는 전자에 의해서도 DNA 손상이 일어날 수 있음을 확인할 수 있었다.

• 한국분말재료학회지
• /
• 제15권6호
• /
• pp.466-470
• /
• 2008

Experiments with a URT-0.5 accelerator (0.5 MeV, 50 ns, 1 kW) generating a nanosecond electron beam for irradiation of silver nitrate in various liquid solutions (water and toluene) were performed with the aim of producing silver nanopowders. A radiochemical reaction allows making weakly agglomerated pure Ag powders with particles of 10-15 nm and 30-50 nm in size by irradiation in toluene and water respectively. The injection of the nanosecond electron beam energy to the solution is optimal. As the absorbed dose increases, the output of the radiochemical reaction does not grow, but more agglomerated powders are synthesized.

• 한국지반환경공학회 논문집
• /
• 제13권10호
• /
• pp.69-76
• /
• 2012

본 연구에서는 전자빔공정(Electron beam process, E-beam)에서 생성되는 수산화라디칼의 생성특성을 조사하였고, 이 공정에 첨가제로 과산화수소와 $Fe^{3+}-EDTA$을 이용한 펜타클로로페놀(Pentachlorophenol, PCP)의 분해 특성을 조사하였다. 이를 위해 수산화라디칼의 측정은 벤조산(Benzoic Acid, BA)에 의한 hydroxylation으로 생성된 hydroxybenzoic acid(OHBA)의 농도를 정량화하여 수행하였다. 실험결과, 실제 측정된 수산화라디칼의 농도는 예측된 수산화라디칼에 비해 낮은 농도로 나타났으며, 이것은 아마도 E-beam 에너지의 조사와 동시에 형성되는 다양한 반응성 화학종이 수산화라디칼을 스케빈져(scavening)할 것으로 생각되었다. 특히, 1mM 이하의 과산화수소 주입은 PCP 분해를 촉진시킬 수 있으나 그 이상의 과산화수소의 주입은 오히려 PCP의 분해를 감소시키거나 PCP의 부산물인 염소이온과 Carbon yield(%)를 증가시키는 요인으로 작용하였다. 반면에, $20{\mu}M$의 $Fe^{3+}-EDTA$ 첨가는 효과적으로 PCP를 제거하였고, 이에 따른 G-value도 증가한 것으로 나타났다. OHBA의 형성과 PCP의 분해를 고려하여 보면, 결과적으로 E-beam공정에 가하는 $Fe^{3+}-EDTA$의 첨가는 상대적으로 낮은 세기에서도 효과적으로 PCP를 처리할 수 있을 것으로 생각된다.

• 한국표면공학회지
• /
• 제47권6호
• /
• pp.341-346
• /
• 2014

Ga-doped ZnO (GZO) single layer and $SiO_2/GZO$ bi-layered films were deposited on Polycarbonate(PC) substrate by radio frequency magnetron sputtering. Influence of the structural, electrical, and optical properties of the films was considered. We have considered the influence of electron irradiation energy of 450 and 900 eV on the stuctural, electrical and optical properties of $SiO_2/GZO$ thin films. The optical transmittance in a visible wave length region increased with the electron irradiation energy. The electrical resistivity of the films were dependent on the electron's irradiation energy. The $SiO_2/GZO$ films irradiated at 900 eV were showen the lowest resistivity of $7.8{\times}10^{-3}{\Omega}cm$. The film which was irradiated by electron at 900 eV shows 84.3% optical transmittance and also shows lower than contact angle of $58^{\circ}$ in this study.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제14권4호
• /
• pp.208-210
• /
• 2013

ZnO films were deposited on glass substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering and exposed to intense electron beam irradiation to investigate the effects of electron irradiation on the properties of the films. Although all of the films had ZnO (002) textured structure regardless of electron irradiation, the grain sizes of the films decreased with electron irradiation. Surface roughness also depended on electron irradiation. The surface roughness varied between 2.3 and 1.6 nm, depending on the irradiation energy. Based on photoluminescence (PL) characterization, the most intense UV emission was observed from ZnO films irradiated at 900 eV. Since the intensity of UV emission is dependent upon the stoichiometric of ZnO films, we conclude that 900 eV was the optimum electron irradiation energy to achieve the best stoichiometric of ZnO films in this study.

• 한국의학물리학회지:의학물리
• /
• 제25권4호
• /
• pp.205-209
• /
• 2014

의료기기에 사용되는 고분자제품은 주로 감마선 또는 전자 빔을 이용하여 살균을 하는데, 살균에 의해 재료특성이 변화한다. 카테터에 많이 사용되는 고분자 폴리머인 poly(ether-block-amides) (PEBA)는 살균에 의한 물성변화가 더욱 심하다고 알려져 있다. 따라서 본 연구에서는 살균 후 PEBA의 물성변화를 측정하여 전자선 살균이 미치는 영향에 대해 평가하였다. PEBA에 전자선을 조사하고 노화를 촉진시켜 유효기간 동안의 변화를 확인하였다. 급속노화가 이루어진 환경은 온도가 55도, 습도가 50%인 오븐에서 수행되었다. PEBA의 경도는 polyester 함량에 따라 달라지는데 본 연구에서 사용된 PEBA 시료의 경도는 35D (soft)부터 72D (hard)였다. 전자빔 살균에 의한 PEBA의 분자량 변화와 인장강도 변화를 측정 하였다. 측정결과, 노화로 인해 분자량이 현저히 감소함을 확인 하였다. 35D 시료의 경우 분자량이 54350 g/mol에서 39250 g/mol으로 감소하였다. 또한 전자 빔에 의해 살균된 PEBA의 인장 강도 및 신장율도 현저히 감소하였다. 35D PEBA시료의 인장강도 역시 28040 kPa에서 24118 kPa로 14% 이상 감소하였다. 결론적으로 전자선 빔으로 의료용으로 사용되는 PEBA제품을 살균할 경우 물성변화가 심각하게 발생하므로 전자 빔 살균은 문제가 많음을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제20권3호
• /
• pp.245-249
• /
• 2007

The liquid crystal display (LCD) applications treated on the organic overcoat thin film surfaces by ion beam irradiation was successfully studied. The good LC aligning capabilities treated on the organic overcoat thin film surfaces with ion beam exposure of $60^{\circ}$ for 2 min above ion beam energy of 1200 eV can be achieved. But, the alignment of defect of NLC on the organic overcoat surface at low energy of 600 eV was measured. The pretilt angle of NLC on the organic overcoat thin film surface with ion beam exposure of $60^{\circ}$ for 2 min at energy of 1800 eV was measured about 1 degree. Finally, the good thermal stability of LC alignment on the organic overcoat thin film surface with ion beam exposure of $60^{\circ}$ for 2 min until annealing temperature of $200^{\circ}C$ can be measured.

• Journal of Radiation Protection and Research
• /
• 제46권1호
• /
• pp.8-13
• /
• 2021

Background: Salmonella enteritidis (SE) was the main cause of the pandemic of foodborne salmonellosis. The surface of eggs' shells can be contaminated with this bacterium; however, washing them with sodium hypochlorite solution not only reduces their flavor but also heavily impacts the environment. An alternative to this is surface sterilization using low-energy electron beam. It is known that irradiation with 1 kGy resulted in a significant 3.9 log reduction (reduction factor of 10,000) in detectable SE on the shell. FAO/IAEA/WHO indicates irradiation of any food commodity up to an overall average dose of 10 kGy presents no toxicological hazard. On the other hand, the Food and Drug Administration has deemed a dose of up to 3 kGy is allowable for eggs. However, the maximum dose permitted to be absorbed by an edible part (i.e., internal dose) is 0.1 Gy in Japan and 0.5 Gy in European Union. Materials and Methods: The electron beam (EB) depth dose distribution in the eggshell was calculated by the Monte Carlo method. The internal dose was also estimated by Monte Carlo simulation and experimentation. Results and Discussion: The EB depth dose distribution for the eggshells indicated that acceleration voltages between 80 and 200 kV were optimal for eggshell sterilization. It was also found that acceleration voltages between 80 and 150 kV were suitable for reducing the internal dose to ≤ 0.10 Gy. Conclusion: The optimum irradiative conditions for sterilizing only eggshells with an EB were between 80 and 150 kV.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
• /
• pp.430-430
• /
• 2007

In this study, the nematic liquid crystal (NLC) alignment effects treated on the ZnO thin film layers using ion beam irradiation were successfully studied for the first time. The ZnO thin films were deposited on indium-tin-oxide (ITO) coated glass substrates by rf-sputter and The ZnO thin films were deposited at the three kinds of rf power. The used DuoPIGatron type ion beam system, which can be advantageous in a large area with high density plasma generation. The ion beam parameters were as follows: energy of 1800 eV, exposure time of 1 min and ion beam current of $4\;mA/cm^2$ at exposure angles of $15^{\circ}$, $30^{\circ}$, $45^{\circ}$, and $60^{\circ}$. The homogeneous and homeotropic LC aligning capabilities treated on the ZnO thin film surface with ion beam exposure of $45^{\circ}$ for 1 min can be achieved. The low pretilt angle for a NLC treated on the ZnO thin film surface with ion beam irradiation for all incident angles was measured. The good LC alignment treated on the ZnO thin film with ion beam exposure at rf power of 150 W can be measure. For identifying surfaces topography of the ZnO thin films, atomic force microscopy (AFM) was introduced. After ion beam irradiation, test samples were fabricated in an anti-parallel configuration with a cell gap of $60{\mu}m$.