The combined effects of electron-beam irradiation and ageing of beef were examined. The irradiated samples at dose of 0 or 2 kGy were kept and analyzed for the microbial growth, shear values, meat color, and nucleotide-related flavor compounds at different ageing temperatures (2, 10, or 25℃) for 8 d. The irradiation effect on inactivation of foodborne pathogens was also investigated. The population of Listeria monocytogenes and E. coli O157:H7 inoculated in beef samples decreased in proportion to the irradiation dose, showing D10 values of 0.66 and 0.65 kGy respectively. The irradiated beef eye of round had lower number of total aerobic bacteria (TAB) than nonirradiated one during the storage, but the TAB increased with higher ageing temperature (p<0.05). Especially, TAB increased sharply in non-irradiated samples aged at 25℃ after 4 d (p<0.05). With increasing ageing temperature and ageing time, shear force values decreased (p<0.05). The color a* values of the irradiated beef were lower than those of the non-irradiated throughout the ageing period (p<0.05). As ageing time and temperature increased, the amounts of inosine monophosphate decreased and the hypoxanthine increased (p<0.05). Relatively high ageing temperature could be used at irradiated beef eye of round to shorten the ageing time.
레이저빔에 의한 철강재의 Ti 표면합금화에 미치는 C함량의 영향을 관찰하였다. 철강재상에 Ti 코팅 후 레이저빔 조사시 질소를 취입가스로 사용하면 부분적으로 TiN과 F$e_2$Ti가 형성된다. 저탄소강의 경우 Ti함량의 증가에 따라 임계냉각 속도의 증가로 마르텐사이트화가 억제된다. 고탄소강의 경우 Ti의 함량이 1.5%정도 임에도 훼라이트 조직이 형성되지 않고 마르텐사이트 조직이 형성되어 경화된다. 그리고 고탄소강의 Ti 표면합금층 형성에 부분적인 TiC의 석출이 있어 더욱 경도를 증가시키는 것으로 생각된다.
Spatial distribution of binding state in depth direction is investigated in a hard skin layer on soft polydimethylsiloxane (PDMS) fabricated by Ar ion beam irradiations. The hard skin layer known as a silica-like homogenous layer was composed of two layers. Impinging Ar ions transfer energy to PDMS as a function of collisional energy transfer rate, which is the maximum at surface and decreases gradually as an ion penetrates. This formed the heterogeneous hard skin layer that consists of a top-most layer and an intermediate layer. XPS depth profiling showed the existence of the top-most layer and intermediate layer. In the top-most layer, scission and cross-linking were occurred simultaneously and Si-O bond showed dissociated status, SiOx (x = 1.25 - 1.5). Under the top-most layer, there was the intermediate layer in which cross-linking is mainly occurred and Si-O bond showed silica-like binding status, SiOx (x = 1.75 - 2). And theoretical analysis which calculates the collisional energy transfer and a displacement per atom explained the thickness variation of top-most layer according to Ar ion energy from 360 eV to 840 eV.
Ion bombardment in the keV range is known to induce drastic chemical modifications in organic and inoranic molecular comppounds. A degrading effects in orgainc materials such as the release of ppolymer compponents and the chemistry of the iradiation pprocess have been observed. The work to be described was carried out in order to understand the irradiation effect better. The sampple(ppolyimide : Kappton ) Were irradiated by Ar+, Ne+, H+ ions and electrons (3 keV) to fluence ranging from ~1$\times$1015 to ~1$\times$1017 ions/$cm^2$ at room tempperature. The impplant was usually rastered over an area of a few $cm^2$ . These ion impplantation were carried out in an electron sppectrometer ESCA 5700 (ppHI Ltd) at a residual gas ppressure of ~5$\times$10-10 Torr. X-ray pphotoelectron sppectroscoppy(XppS) measurements were made using a monochromatized Al Ka(1486.6 eV) excitation source. The pphotoemitted electrons were detected by hemisppherical analyser with a ppass energy of 23.5 eV. Core-level binding energies were referenced to the Fermi level. To avoid the charging effect it was used the neutralizer. We studied the irradiation effects on ppolyimide with Ar+, Ne+, He+ ions and electrons by XppS which 추 pprovide detailed information concerning the bonding-induced changes.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제8권6호
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pp.265-267
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2007
The liquid crystal(LC) aligning capabilities of a nematic liquid crystal(NLC) on a homeotropic polyimide(PI) surface using a new ion-beam method were studied. Exposure ion-beam of $45^{\circ}$ incidence angle shows a good LC alignment of the NLC on the homeotropic PI surface. Also, on the homeotropic PI surface, the tilt angle of the NLC by exposure ion-beam of $45^{\circ}$ incidence angle had a tendency to decrease as increased ion-beam energy density. And, on the homeotropic PI surface, the alignment character of the NLC with respect to ion-beam energy was good at 1500 eV. And we achieved satisfactory result for EO character.
최근에 금속산화물을 증착하는 방법으로 용액공정이 주목 받고 있다. 용액 공정은 대기압에서 매우 간단한 방법으로 복잡한 공정과정을 요구하지 않기 때문에 박막을 경제적으로 간단하게 형성할 수 있다. 하지만 용액공정을 통해 형성한 박막에는 소자의 특성을 열화 시키는 solvent와 탄소계열의 불순물을 많이 포함하고 있어 고온의 열처리가 필수적이다. 박막의 품질을 향상시키기 위해서 다양한 열처리 방법들이 이용되고 있으며, 일반적인 열처리 방법으로는 furnace를 이용한 conventional thermal annealing (CTA)이 많이 이용되고 있다. 하지만, 최근에는 microwave를 이용한 공정이 주목 받고 있다. Microwave energy는 CTA보다 효과적으로 비교적 낮은 온도에서 높은 열처리 효과를 나타낸다. 본 실험은 n-type Silicon 기판에 solution-ZrO2 산화막을 형성 후, oven baking을 한 뒤, CTA와 microwave를 이용하여 solvent와 불순물을 제거 하였다. 전기적 특성을 확인하기 위해 solution ZrO2 산화막 위에 E-beam evaporator를 이용해 Ti 금속 전극을 증착하여 Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) capacitor를 제작하였다. 다음으로, PRECISION SEMICONDUCTOR PARAMETER ANALYZER (4156B)를 이용하여, capacitance-voltage (C-V) 특성 및 current-voltage (I-V) 특성을 비교하였다. 다음으로, CTA를 통하여 제작한 소자와 전기적 특성을 비교하였다. 그 결과, Microwave irradiation으로 열처리한 MOS capacitor 소자에서 capacitance 값과 flat band voltage, hysteresis 등이 개선되는 효과를 확인하였다. Microwave irradiation 열처리는 100oC 미만의 온도에서 공정이 이루어짐에도 불구하고 시료 내에서의 microwave 에너지의 흡수가 CTA 공정에서의 열에너지 흡수보다 훨씬 효율적으로 이루어지며, 결과적으로 ZrO2 용액의 불순물과 solvent를 낮은 온도에서 제거하여 고품질 박막 형성에 매우 효과적이라는 것을 나타낸다. 따라서, microwave irradiation 열처리 방법은 비정질 산화막이 포함되는 박막 transistor 소자 제작에 대하여 결정적인 열처리 방법이 될 것으로 기대한다.
전자 빔 조사 민감 물질인 gibbsite(${\gamma}-Al(OH)_3$)의 전자 빔 조사 상전이 연구에서 전자회절 자료의 기록에 대한 imaging plate와 필름의 기록 특성을 실험적으로 비교하였다. Imaging plate는 극단적으로 낮은 전자 강도와 높은 전자 강도를 동시 기록하기에 충분한 선형 dynamic range를 갖기 때문에, 매우 낮은 전자 조사 조건(${\leq}0.1\;e^-/{\mu}m^2$)에서 전자 회절 자료를 기록할 때 필름에 비해 회절 자료의 spatial frequency 범위가 두 배 이상 확장되었다. 심지어 이미 기록 포화된 투과 빔 주위의 신호 정보 레벨을 세분화하는 데에도 훨씬 우수한 분해 성능을 나타내었다. 따라서 본 연구 결과는 imaging plate가 극단적으로 낮은 전자 강도 기록이 필요한 전자 빔 조사 민감 물질이나 cryo-biological 시편들의 구조 연구 관점에서 가장 적절한 기록 매체임을 나타낸다.
The micro-patterning by a Bow energy FIB whish has been conventionally utilized far mask-repairing was investigated. Amorphous Se$\_$75/Gee$\_$25/ resist irradiated by 9[keV]-defocused Ga$\^$+/ ion beam(∼10$\^$15/[ions/$\textrm{cm}^2$]) resulted in increasing the optical absorption, which was also observed also in the film exposed by an optical dose of 4.5${\times}$10$\^$20/[photons/$\textrm{cm}^2$]. The ∼0.3[eV] edge shift for ion-irradiated film was about twice to that obtained for photo-exposed. These large shift could be estimated as due to an increase in disorder from the decrease in the sloop of the Urbach tail. For Ga$\^$+/ FIB irradiation with a relatively low energy, 30[keV] and above the amount of dose of 1.4${\times}$10$\^$16/[ions/$\textrm{cm}^2$], the irradiated region in a-Se$\_$75/Ge$\_$25/ resist was perfectly etched in acid solution for 10[sec], which is relatively a short development time. A contrast was about 2.5. In spite of the relatively low incident energy,∼0.225[$\mu\textrm{m}$] pattern was clearly obtained by the irradiation of a dose 6.5${\times}$10$\^$16/[ions/$\textrm{cm}^2$] and a scan diameter 0.2[$\mu\textrm{m}$], from which excellent results were expected fur incident energies above 50[keV] which was conventionally used in FIBL.
본 연구에서는 전자빔공정에서 반응표면법의 하나인 Box-Behnken법을 이용하여 주요 인자로서 diazinon 농도($X_1$), 조사강도($X_2$)와 pH($X_3$)를 토대로 3개 수준으로 구성된 실험설계에 따라 diazinon의 제거와 무기화 특성에 대해 연구하였다. 우선 pH와 diazinon 농도의 영향이 반응표면법(RSM)에 적용될 적정 범위를 결정하기 위해 수행되었다. 통계적 접근은 회귀분석과 분산분석(ANOVA)를 각 인자별 정량적 비교를 도출하기 위해 적용하였으며, 인자별 영향은 조사강도>diazinon 농도>pH의 순으로 나타났다. 회귀모델은 최적화도구를 이용하여 운영조건의 영향을 고려한 최적점을 예측하였으며, 그에 따른 모델식은 $Y_1=81.73-5.58X_1+23.69X_2-14.23X{_2}^2+4.22X{_3}^2(R^2=99.7%)$, $Y_2=35.23-3.01X_1+10.79X_2-7.58X_2{^2}(R^2=97.9%)$로 도출하였다. 그에 따른 결과는 diazinon 농도 12.75mg/L와 조사강도 4.26kGy에서 diazinon 제거율 95.7%, TOC 저감율은 41.8%로 나타났다. pH 조건은 기존의 다른 고도산화공정(AOPs)에 비해 전자빔 공정에서는 유의한 영향이 없는 것으로 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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