• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제8권5호
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• pp.35-41
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• 2008

본 논문은 디지털 오디오 신호처리의 고속 및 저전력 동작을 구현하기 위한 전류모드 신호처리의 고성능 회로에 관하여 설계방안을 제시한다. 디지털 오디오 프로세서는 FFT(fast Fourier transform)와 같은 디지털 연산 동작이 필요하며, FFT 프로세서는 그 설정 포인트에 따라, 전력이 많이 필요하게 되며, 또한 고속 동작의 요구에 따라, 전력의 부담은 증대되고 있다. 따라서, 디지털 오디오 프로세서에 SI(switched current) circuit을 이용하는 analog current-mode 신호처리의 응용이 적용되게 되었다. 그러나 SI circuit을 구성하는 current memory는 clock-feedthrough의 문제점을 갖기 때문에, 전류 전달 특성에 있어서 오차를 발생시킨다. 본 논문에서는 current memory의 문제점인 clock- feedthrough의 해결방안으로 switch MOS에 dummy MOS의 연결을 검토하고, 0.25um process로 제작하기 위하여 switch MOS와 dummy MOS의 width의 관계를 도출하고자 한다. 시뮬레이션 결과, memory MOS의 width가 20um, 입력전류와 바이어스전류의 비가 0.3, switch MOS의 width가 2~5um일 경우에 switch MOS와 dummy MOS의 width는 $W_{M4}=1.95W_{M3}+1.2$의 관계로 정의되고, switch MOS의 width가 5~10um일 경우에 width는 $W_{M4}=0.92W_{M3}+6.3$의 관계로 정의되는 것을 확인하였다. 이 때, 정의된 MOS transistor의 width관계는 memory MOS의 설계에 유용한 지침이 될 것이며, 저전력 고속 동작의 디지털 오디오 프로세서의 적용에 매우 유용할 것으로 기대된다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.159-164
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• 2016

무선통신시스템은 한정된 에너지를 갖는 배터리를 사용하기 때문에 저전력 회로로 구현되어야 하며, 이를 위하여 주파수와 상관없이 일정한 전력을 나타내는 전류모드 회로가 연구되어왔다. 본 논문에서는 초저전력 동작이 가능하도록 Dynamic Voltage Scaling 전원을 유도하며, 전류모드 신호처리 중 메모리 동작에서 저장된 에너지가 누설되는 Clock-Feedthrough 문제를 최소화하는 전류메모리 회로를 제안한다. $0.35{\mu}m$ 공정의 BSIM3 모델로 Near-threshold 영역의 전원 전압을 사용한 시뮬레이션을 진행한 결과, 1MHz의 스위칭 동작에서 $2{\mu}m$의 메모리 MOS Width, $0.3{\mu}m$의 스위치 MOS Width, $13{\mu}m$의 Dummy MOS Width로 설계할 때, Clock-Feedthrough의 영향을 최소화시킬 수 있었으며 1.2V의 Near-threshold 전원전압에서 소비전력은 $3.7{\mu}W$가 계산되었다.

• 전기학회논문지
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• 제58권4호
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• pp.857-866
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• 2009

In this paper, a noise cancellation-method using microphone array for digital hearing aids is proposed. The microphone array is located around the ear of a dummy. Speech sound is generated from the forward speaker positioned in the front of the dummy and noise sound is generated from the backward speaker. The speech and noise are mixed in the air space and entered into the microphones. VAD(voice activity detector) and ANC(adaptive noise cancellation) methods were used to eliminate noise in the sound of the microphones. 10 two-syllable words and 4 sentences were used for speech signals. Babble and car interior noise were used for noise signals. The performance of the proposed algorithm was evaluated by SNR(signal-to-noise ratio) and PESQ-MOS(perceptual evaluation of speech quality-mean opinion score). In babble noise condition, SNR was improved as much as $7.963{\pm}1.3620dB\;and\;3.968{\pm}0.6659dB$ for words and sentences respectively. In the case of car interior noise, SNR was improved as $10.512{\pm}2.0665dB\;and\;6.000{\pm}1.7642dB$ for words and sentences respectively. PESQ-MOS of the babble noise was improved as much as $0.1722{\pm}0.0861$ score for words and $0.083{\pm}0.0417$ score for sentences. And PESQ-MOS of the car interior noise was improved as $0.2661{\pm}0.0335$ score and $0.040{\pm}0.0201$ score for words and sentences respectively. It is verified that the proposed algorithm has a good performance in noise cancellation of microphone array for digital hearing aids.

• ETRI Journal
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• 제30권6호
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• pp.826-832
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• 2008

The metal-ferroelectric-metal (MFM) capacitor in the ferroelectric random access memory (FeRAM) embedded RFID chip is used in both the memory cell region and the peripheral analog and digital circuit area for capacitance parameter control. The capacitance value of the MFM capacitor is about 30 times larger than that of conventional capacitors, such as the poly-insulator-poly (PIP) capacitor and the metal-insulator-metal (MIM) capacitor. An MFM capacitor directly stacked over the analog and memory circuit region can share the layout area with the circuit region; thus, the chip size can be reduced by about 60%. The energy transformation efficiency using the MFM scheme is higher than that of the PIP scheme in RFID chips. The radio frequency operational signal properties using circuits with MFM capacitors are almost the same as or better than with PIP, MIM, and MOS capacitors. For the default value specification requirement, the default set cell is designed with an additional dummy cell.