Effects of Substrate Cleaning on the Properties of GaAs Epilayers Grown on Si(100) Substrate by Molecular Beam Epitaxy (분자선에피택시에 의해 Si (100) 기판 위에 성장한 GaAs 에피층의 특성에 대한 기판 세척효과)
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- Journal of the Korean Vacuum Society
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- v.19 no.5
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- pp.371-376
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- 2010