• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제5권3호
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• pp.37-41
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• 2006

In this paper, a composition modulation of Dot-matrix display grayscale is presented. There's two method of expression of Dot-matrix Display grayscale. One is PWM by controlling pulse width. The other is PAM by controlling pulse amplitude. Composition modulation of Dot-matrix use PWM and PAM together. Composition modulation shows the number of grayscale as number of grayscale of PWM$\times$number of grayscale of PAM and have the effect of reduced size than existing single modulation.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제17권2호
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• pp.41-46
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• 2018

This paper proposes a new method for the number recognition on dot matrix LED display. The proposed method uses morphological processing that dilates dots of numbers and connects the dots into strokes. The size of numbers is normalized using horizontal projection because the gaps of dots are different according to the size of numbers. The numbers are segmented by connected component analysis and finally, template matching method recognizes the segmented numbers. The proposed method is implemented using C language in Raspberry Pi system with a camera module for a real-time image processing. Experiments were conducted by using various dot matrix LED displays. The results show that the proposed method is successful for the number recognition on dot matrix LED display.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1255-1257
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• 1998

In this study,$ 5{\times}5$ dot-matrix display was implemented with powder electroluminescent device (PELD). Generally PELD which have a luminance from powder phosphor with electric field, inserted phosphor and dielectric layer between electrodes is basic structure. To make high brightness PELD compared to conventional device, new type of PELD was proposed as follows. New PELD had only one layer, which was mixed phosphor (ZnS:Cu) and dielectric (BaTiO3) material appropriately between electrodes. To compare and estimate the conventional and new type of PELD, the EL spectrum, transferred charge density, brightness and decay time was measured. As above result, we fabricated a hish brightness $ 5{\times}5$ dot-matrix display with new type of PELD. Its brightness was 6400 $cd/m^2$ at 200 V, 400Hz.

• 대한전자공학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.12-17
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• 1977

현대 정보사회를 이끌어가는 컴퓨터의 효과적인 활용을 위하여 한글의 컴퓨터가 무엇보다도 시급하지만 한글의 특수성인 모아쓰기로 인하여 용이한 일이 아니다. 한글의 특수성을 분석하여 13×14 Dot Matrix방식의 한글문자 발생장치를 제작하여 소프트웨어 프로그램에 의한 컴퓨터의 한글 입출력을 가능하게 하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.1330-1336
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• 2012

영상 검색 방법은 텍스트 기반, 내용 기반, 영역 기반 영상 검색, 부분 영상 검색 방법 등 다양한 연구가 이루어지고 있다. 그 중에 부분 영상 검색은 질의 영상을 포함하는 대상 영상을 찾는 문제이다. 본 논문에서는 생물정보학에서 사용하는 점 행렬 방법을 이용한 새로운 부분 영상 검색 방법을 제안한다. 점 행렬은 두 DNA 서열 간에 유사도를 시각화하는 방법으로써 영상 검색에 적용하여 두 영상 간에 유사도를 비교하는 문제로 재정의한다. 이 알고리즘을 적용하기 위해서 이차원 배열 정보인 영상을 일차원 명암도 영상으로 변환한다. 두 일차원 명암도 영상을 정렬하여 생성된 점 행렬을 이용하여 부분 영상 후보 영역을 생성한다. 실험에는 10 개의 대상 영상과 대상 영상의 부분을 복사한 영상, 축소한 영상, 확대한 영상으로 5종류의 질의 영상을 사용하였다.

• 전자공학회지
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• 제18권11호
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• pp.1-10
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• 1991

• 한국산학기술학회논문지
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• 제10권5호
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• pp.979-984
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• 2009

본 논문에서는 2차원 인쇄물의 고유정보 즉, 텍스트, 도형 및 기호 등에 대응하는 음성, 영상 및 기타정보를 출력시킬 수 있도록 하기 위한 새로운 방법의 도트형 프린트 워터마크 생성 방법 및 부호화 기법을 제안하였다. 프린트 워터마크는 인쇄물의 고유정보에 대응하여 고유정보위에 다시 인쇄되는 특정마크로서 고유정보의 특성을 훼손하지 않으면서 음성, 또는 영상정보와 연결시키는 중간 매개 역할을 한다. 제안한 도트형 프린트 워터마크 패턴은 $0.4mm^2$의 면적 내에 $16{\times}16$의 행렬구조를 가지며, 256개의 원소(element) 중 23개의 위치에 도트가 인쇄된다. 인쇄되는 도트의 크기는 0.02mm고 매우 작아 가시화되지 않는다. 23개의 위치는 2진수 비트 위치와 매핑 되어 800만개 정도의 인쇄물 고유정보를 표현할 수 있으며, 도트가 인쇄되는 위치에 따라 쉽게 2진수로 부호화할 수 있다는 특징을 갖는다. 또한 실험을 통해 제안한 프린트 워터마크 패턴이 자체 제작된 인식장치에 의해 쉽게 인식됨을 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.207-207
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• 2012

Si quantum dot (QD) imbedded in a $SiO_2$ matrix is a promising material for the next generation optoelectronic devices, such as solar cells and light emission diodes (LEDs). However, low conductivity of the Si quantum dot layer is a great hindrance for the performance of the Si QD-based optoelectronic devices. The effective doping of the Si QDs by semiconducting elements is one of the most important factors for the improvement of conductivity. High dielectric constant of the matrix material $SiO_2$ is an additional source of the low conductivity. Active doping of B was observed in nanometer silicon layers confined in $SiO_2$ layers by secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profiling analysis and confirmed by Hall effect measurements. The uniformly distributed boron atoms in the B-doped silicon layers of $[SiO_2(8nm)/B-doped\;Si(10nm)]_5$ films turned out to be segregated into the $Si/SiO_2$ interfaces and the Si bulk, forming a distinct bimodal distribution by annealing at high temperature. B atoms in the Si layers were found to preferentially substitute inactive three-fold Si atoms in the grain boundaries and then substitute the four-fold Si atoms to achieve electrically active doping. As a result, active doping of B is initiated at high doping concentrations above $1.1{\times}10^{20}atoms/cm^3$ and high active doping of $3{\times}10^{20}atoms/cm^3$ could be achieved. The active doping in ultra-thin Si layers were implemented to silicon quantum dots (QDs) to realize a Si QD solar cell. A high energy conversion efficiency of 13.4% was realized from a p-type Si QD solar cell with B concentration of $4{\times}1^{20}atoms/cm^3$. We will present the diffusion behaviors of the various dopants in silicon nanostructures and the performance of the Si quantum dot solar cell with the optimized structures.

• 충청수학회지
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• 제9권1호
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• pp.175-181
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• 1996

We show that $\frac{{\partial}x}{{\partial}{\gamma}}(t,{\tau},{\gamma},{\lambda},{\varepsilon})$ is a fundamental matrix of the variational system $\dot{y}=fx(t,x(t,{\tau},{\gamma},{\lambda},{\varepsilon}),{\lambda},{\varepsilon})y$ corresponding to the solution $x(t,{\tau},{\gamma},{\lambda},{\varepsilon})$ of $\dot{x}=f(t,x,{\lambda},{\varepsilon})$.

• Kyungpook Mathematical Journal
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• 제27권1호
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• pp.55-60
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• 1987

A linear system $\dot{x}= A(t)x$, with A(t+w)=A(t) is considered. A step function approximation of a periodic matrix is constructed. The stability criteria is discussed.