• 제목/요약/키워드: Distributed Bragg reflector

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Fabrication and Characterization of DBR Porous Silicon Chip for the Detection of Chemical Nerve Agents

  • 정경선
    • 통합자연과학논문집
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    • 제3권4호
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    • pp.237-240
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    • 2010
  • Recently, number of studies for porous silicon have been investigated by many researchers. Multistructured porous silicon (PSi), distributed Bragg reflector (DBR) PSi, has been a topic of interest, because of its unique optical properties. DBR PSi were prepared by an electrochemical etch of $P^{{+}{+}}$-type silicon wafer of resistivity between 0.1 $m{\Omega}cm$ with square wave current density, resulting two different refractive indices. In this work, We have fabricated a simple and portable organic vapor-sensing device based on DBR porous silicon and investigated the optical characteristics of DBR porous silicon. DBR porous silicon have been characterized by FT-IR, Ocean optics 2000 spectrometer. The device used DBR PSi chip has been demonstrated as an excellent gas sensor, showing a great senstivity to a toxic vapor (TEP, DMMP, DEEP) at room temperature.

SSGDBR 레이저 다이오드의 파장변환 특성 해석 (Analysis of Wavelength Conversion Characteristics in SSGDBR Laser Diode)

  • 김수현;정영철
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D2호
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    • pp.81-89
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    • 1999
  • 다양한 파장변화 기술중에서 레이져 다이오드의 발전상태에서 교차이득변도(Cross-Gain Modulation)을 이용한 파장변환은 고속의 신호를 매우 간단하고 효율적으로 처리할 수 있다. 본 논문에서는 SSGDBR (Superstructure Grating Distributed Bragg Reflector) 레이저 다이오드의 파장변환기로서 특성을 분석하고 광통신 네트웍 모델링을 위한 CAD 도구로서 개선된 시영역 대신호 동적모델(Time-Domain Large-Signal Dynamic Model)의 유용성을 제시하였다. 이 모델을 l용하여 이런 구조의 파장변환 소자는 10Gbps이상 고속데이터를 처리할 수 있고 광대역 파장변환이 가능하다는 것을 확인하였다. 입력 광신호의 세기와 주입되는 전류가 파장변환된 신호의 소광비 등에 미치는 영향 및 Eye Diagram 등을 살펴 보았으며, 기존에 발표된 실험결과들과 매우 유사한 경향을 보임을 관측하였다.

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디지털 합금 AlGaAs층을 이용하여 제작된 GaAs/AlGaAs DBR의 균일도 향상 (Improved Uniformity of GaAs/AlGaAs DBR Using the Digital Alloy AlGaAs Layer)

  • 조남기;송진동;최원준;이정일;전헌수
    • 한국진공학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.280-286
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    • 2006
  • 디지털 합금 (digital-alloy) 성장방법을 사용한 AIGaAs층을 이용하여 $1.3{\mu}m$ vertical cavity surface emitting laser (VCSEL)에 사용될 수 있는 AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflector (DBR)를 분자선 에피탁시 (molecular beam epitaxy) 방법을 통해 제작하였다. 3인치 1/4 크기의 기판에 디지털 합금 AlGaAs층을 사용한 DBR을 성장하고 기판 여러 부분에서의 반사율을 측정하여 각 부분 간의 반사율 편차가 0.35%이내임을 확인하였다. TEM 사진을 통한 계면분석을 통해 디지털 합금 AlGaAs층의 조성과 두께가 균일함을 확인하였는데, 이는 디지털 합금 AlGaAs층의 성장시 기판 표면의 온도가 불균일하더라도 크게 영향을 받지 않음을 보여준다. 이를 통해 DBR의 균일성에 따라 소자의 특성에 큰 영향을 받는 InAs 양자점을 활성층으로 사용하는 VCSEL의 수율을 향상시키는데 디지털 합금 AlGaAs층을 이용한 DBR이 응용될 수 있음을 보였다.

수직 공진기 반도체 레이저에서 전달 행렬 방법과의 비교를 통한 유효 공진기 모델의 타당성 검토 (On the Validity of the Effective Cavity Model with the Transfer Matrix Method as a Frame of Reference In VCSELs)

  • 김태용;김상배
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권7호
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    • pp.31-36
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    • 2004
  • Vortical-Cavity Surface-Emitting Laser(VCSEL)는 in-plane 형태의 레이저와는 달리 여러 층의 distributed Bragg reflector(DBR) mirror를 반사 면으로 사용하기 때문에 광출력이나 미분양자효율(differential quantum efficiency)을 계산하는 데에 많은 어려움이 따른다. 이러한 이유로 광출력, 광출력 비 및 미분양자효율 등의 성능 지수를 계산하는 방법으로 유효 공진기 모델과 전달행렬 방법(transfer matrix method) 등이 사용되고 있다. 유효 공진기 모델은 반사율 및 문턱이득을 계산하는 데에는 적합하지만 광출력, 광출력 비 및 외부양자효율을 계산하는 데에는 오차를 보인다. 그 이유는 유효 공진기 모델이 금속 전극 개구부 바로 아래 GaAs 층에서의 빛의 흡수는 고려하지 못하기 때문이다. 이 논문에서는 유효 공진기 모델로부터 구한 성능 지수 값들을 전달행렬 방법으로부터 구한 값들과 비교ㆍ검토하여, 유효 공진기 모델의 타당성에 대하여 살펴보고 전달행렬 방법의 유용성을 재확인하였다.

도파로 결합 구조에 따른 DBR-LD의 동작특성 (The Operating Characteristics of DBR-LD with Wavegudies Coupling Structure)

  • 오수환;박문호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권9호
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    • pp.666-672
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    • 2003
  • 본 논문에서는 광의 결합 메커니즘이 다른 ITG(integrated-twin-guide) 와 BT(butt coupled) 구조를 가지는 두 종류의 파장 가변 DBR-LD의 제작공정과 성능에 대해서 기술하였다. 두 종류의 DBR-LD는 PBH(planar buried heterostructure) 구조론 가지며, MOVPE 성장으로 제작하였다. 제작된 DBR-LD 광출력 특성을 측정한 결과 BT-DBR-LD가 ITG-DBR-LD보다 임계전류 변화폭, 광출력 변화 폭, 기울기 효율에서 2배 이상의 우수한 특성을 나타내었다. 그리고, 준 연속 파장 가변 특성은 BT-DBR-LD가 7.2nm, ITG-DBR-LD가 7.4nm 이며, SMSR이 35dB 이상으로 우수하게 나타났다. 이와 같이 BT DBR-LD가 특성이 우수한 것은 BT 구조가 ITG 구조보다 높은 결합 효율을 나타내기 때문이다.

비고정화 된 일차원 광결정의 DBR 다공성 실리콘을 이용한 센서와 Drug Delivery로의 응용 (1-D photonic crystals of free-standing DBR PSi for sensing and drug delivery applications)

  • 고영대;김지훈;박종선;김성기;김동수;조성동;손홍래
    • 센서학회지
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    • 제15권6호
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    • pp.391-396
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    • 2006
  • Free-standing multilayer distributed Bragg reflectors (DBR) porous silicon dielectric mirrors, prepared by electrochemical etching of crystalline silicon using square wave currents are treated with polystyrene to produce flexible, stable composite materials in which the porous silicon matrix is covered with caffeine-impregnated polystyrene. Optically encoded DBR PSi/polystyrene composite films retain the optical reflectivity. Optical characteristics of DBR PSi/polystyrene composite films are stable and robust for 2 hrs in a pH=7 aqueous buffer solution. The appearance of caffeine and change of DBR peak were simultaneously measured by UV-vis spectrometer and Ocean optics 2000 spectrometer, respectively.

MaCE (Metal-Assisted Chemical etching)에 의한 GaAs 마이크로 구조 제어 및 메커니즘 연구

  • 이아리;윤석훈;지택수;신재철
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.330.2-330.2
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    • 2014
  • III-V족 화합물반도체는 트랜지스터와 광다이오드, 레이저 등의 광전소자 제작물질로 오랫동안 사용 되어 왔다. III-V 화합물 반도체로 제작된 광전소자의 특성을 향상시키기 위해선 다양한 형태의 표면구조가 필요하며, distributed feedback 레이저나 distributed Bragg reflector 레이저의 경우 높은 aspect-ratio를 가지는 구조를 필요로 한다. 현재까지 높은 aspect-ratio를 가지는 III-V족 화합물반도체 구조제작을 위해 reactive ion etching (RIE) 방식을 사용 하였는데, 이 방법은 ion collision에 의한 표면손상과 더불어 에칭 잔여물이 남아 반도체 표면을 오염시키는 문제점을 가지고 있다. 이를 개선하기 위하여 MaCE (Metal-Assited chemical etching)법이 최근 제안되었는데, 본 연구에서는 MaCE 방법을 통하여 다양한 형태의 GaAs 표면구조를 제작하였다. 본 실험을 통하여 에칭용액 조건에 따라 GaAs의 구조적 특성과 morphology가 달라지는 것을 확인하였다.

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결합 링 반사기 레이저 다이오드의 광대역 파장 가변 및 변조 특성 해석 (Wide Tuning and Modulation Characteristics Analysis of Coupled-Ring Reflector Laser Diode)

  • 윤필환;김수현;정영철
    • 한국광학회지
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    • 제17권6호
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    • pp.544-547
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    • 2006
  • 본 논문에서는 기존의 DBR 격자 기반의 파장선택성 반사기를 대체시킬 수 있는 결합 링 반사기가 집적된 레이저 다이오드를 연산자 분리 시 영역 모델을 통해서 분석한다. 결합 링 반사기는 브래그 격자(Bragg grating) 필요로 하지 않는 평판 도파로 형태의 반사기이다. 결합 링 반사기는 하나의 직선 도파로와 두 개의 결합된 형태의 링 공진기가 하나의 직선 도파로에 결합되어 있다. 위상 조절 전류의 조절에 따른 파장 가변 범위는 수십 nm 정도가 되고, 파장 가변 과정에서 부모드 억압비도 35 dB 이상이 됨을 수치 해석을 통해 확인했다. 또한 결합 링 반사기 레이저 다이오드는 종래의 레이저 다이오드에 비해서 유효 공진기 길이(Effective Cavity Length)가 매우 길기 때문에 진폭 변조 시 20-30 GHz 주파수 영역에서 추가적인 공진 특성을 보이고, 이 특성으로 인해 진폭 변조 대역폭이 상당히 향상될 수 있으리라 기대된다.

Chemical Sensors Based on Distributed Bragg Reflector Porous Silicon Smart Particles

  • Sohn, Honglae
    • 통합자연과학논문집
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    • 제8권1호
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    • pp.67-74
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    • 2015
  • Sensing characteristics for porous smart particle based on DBR smart particles were reported. Optically encoded porous silicon smart particles were successfully fabricated from the free-standing porous silicon thin films using ultrasono-method. DBR PSi was prepared by an electrochemical etch of heavily doped $p^{++}$-type silicon wafer. DBR PSi was prepared by using a periodic pseudo-square wave current. The surface-modified DBR PSi was prepared by either thermal oxidation or thermal hydrosilylation. Free-standing DBR PSi films were generated by lift-off from the silicon wafer substrate using an electropolishing current. Free-standing DBR PSi films were ultrasonicated to create DBR-structured porous smart particles. Three different surface-modified DBR smart particles have been prepared and used for sensing volatile organic vapors. For different types of surface-modified DBR smart particles, the shift of reflectivity mainly depends on the vapor pressure of analyte even though the surfaces of DBR smart particles are different. However huge difference in the shift of reflectivity depending on the different types of surface-modified DBR smart particles was obtained when the vapor pressures are quite similar which demonstrate a possible sensing application to specify the volatile organic vapors.

Optical Structure of White OLED for 100% Color Gamut

  • Lee, Baek-Woon;Hwang, Young-In;Shin, Sung-Tae;Ju, Young-Gu
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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    • pp.245-248
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    • 2007
  • We report a novel optical structure for bottomemitting white OLEDs. The structure includes, reformulated color filter, dielectric mirror to enforce cavity resonance, and micro-scatterer to extract more light and diffuse the viewing angle dependency. With the new structure, the color gamut was 104% of that of NTSC, the combined transmission efficiency of the color filter was 83%/3 and the color shift at $45^{\circ}$ was maintained below 0.02 in the 1976 CIE color space. The color performance of White OLED + color filter system can match comparably that of RGB OLED + microcavity system.

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