• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제6권1호
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• pp.15-21
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• 1993

Silane과 Disilane를 사용하여 화학증착법으로 제작한 다결정 실리콘의 미세구조를 증착온도의 변화에 따라 조사하였다. Silane과 Disilane의 증착온도는 각각 550에서 640.deg.C와 485에서 620.deg.C로 변화시켰다. Disilane은 silane에 비해 반응성이 크고 비정질에서 결정으로 변하는 전이온도는 약 20.deg.C정도 높았다. 전이온도에서 증착한 시편은 실리콘 source에 관계 없이 (311)조직의 거친 표면으로 되어있었다. 900.deg.C에서 열처리하는 동안 비정질로 부터는 (111)쌍정립계를 갖는 수지상의 결정성장을 하였다. 반면에 다결정 상태로 증착한 시편은 열처리하는 동안 구조가 거의 변하지 않았고 매우 작은 결정립으로 이루어진 주상구조를 하였다.

• 대한화학회지
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• 제64권4호
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• pp.231-235
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• 2020

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제17권1호
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• pp.16-19
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• 1996

The bulk photopolymerization of methyl methacrylate (MMA) with disilanes such as 1,2-diphenyldisilane and 2-phenyl-1,3-disilapropane was carried out to yield poly(MMA)s containing the corresponding disilyl moiety presumably as an end group. It was found that while the polymerization yields and the polymer molecular weights decreased as the relative disilane concentration increased, the TGA residue yields and the relative intensities of SiH IR stretching bands increased with increment of molar ratio of disilane over MMA. The photopolymerization of MMA with 2-phenyl-1,3-disilapropane produced higher-molecular-weight polymer with lower TGA residue yield when compared to the photopolymerization of MMA with 1,2-diphenyldisilane. The disilanes seemed to significantly influence on the photopolymerization as both chain initiation and chain transfer agents.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권3호
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• pp.731-734
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• 2010

• 한국진공학회지
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• 제6권S1호
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• pp.59-65
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• 1997

Efficient Si(100) etching by thermal H atoms at low substrate temperatures has been achieved. Gas-phase etching product $SiH_4$(g) upon H atom bombardment resulting from direct abstraction of $SiH_3$(a) by impinging H atoms was detected with a quadrupole mass spectrometer over the substrate temperature range of 105-408 K Facile depletion of all surface silyl ($SiH_3$) groups the dissociative adsorption product of disilane ($Si_2H_6$) at 105K from Si(100)2$\times$1 by D atoms and continuous regeneration and removal of $SiD_3$(a) were all consumed. These results provide direct evidence for efficient silicon surface etching by thermal hydrogen bombardment at cryogenic temperatures as low as 105K We attribute the high etching efficiency to the formation and stability of $SiH_3$(a) on Si(100) at lowered surface temperatures allowing the $SiH_3$(a) abstraction reaction by additional H atom to produce $SiH_4$((g).

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1468-1470
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• 1998

Using a solution of polyamic acid salt obtained in combination with polyimide acid, we successfully prepared thermally stable multilayers(41, 35, 31 layers) films disilane-containing polyimide by Langmuir-Blodgett(LB) technique. We studied the electrically phenomena occurring at the metal(Au)/polyimide(Pl) LB film/metal(Au). Also, we then examined the of Pl LB films by means of current-voltage (I-V) and resistance measurement.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1550-1552
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• 1996

Poly-Si films were deposited by Laser CVD using 193nm ArF Excimer Laser from disilane($Si_{2}H_{6}$) and then the films were etched by Laser Etching using the same Laser with SF6 etching gas. Dependence on various film deposition conditions and etching conditions was investigated respectively.

• 한국진공학회지
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• 제4권4호
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• pp.350-357
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• 1995

SiH4와 Si2H6를 1-3 Torr 정도의 저압에서 열분해시켰을 때, 반응물의 농도 변화를 살펴보고 이로부터 열분해의 반응 기구를 예측하였다. 분석기로는 질량 분석기를 이용하였으며, 분해 온도 범위는 SiH4의 경우는 $350~475^{\circ}C$, Si2H6의 경우는 275-375$^{\circ}C$이었다. SiH4의 분해 양상은 1차 비가역 반응에 잘 들어 맞았으며, 그 속도 상수는 문헌에 보고되어 있는 상압에서의 속도보다 작았다. Si2H6는 낮은 온도 범위에서도 잘 분해되었으며, 중간 생성물로 많은 양의 SiH4를 만들었다. 그리고, SiH4는 고분자화되는 반응을 거치지 않고 고체실리콘을 생성하지만, Si2H6는 중간 생성물로 만들어진 SiH4와 SiH2에 의하여, 고분자화 반응을 거쳐서 고체실리콘을 만들 수 있음을 알았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.471-475
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• 2000

P-type (100) Si wafer patterned with 1000$\AA$ SiO$_2$island was used as substrate and the Si films were deposited under low pressure using Si$_2$H$_{6}$-H$_2$gas mixture where the total gas flow rate and deposition pressure were 16.6sccm and 3.5mtorr, respectively. In this condition, we selectively obtained high-quality epitaxial Si layer of the 350~1050$\AA$ thickness. In order to extend the incubation period, we kept high pressure H$_2$ environment without Si$_2$H$_{6}$ gas for few minutes after first incubation period and then we conformed the existence of second incubation period.iod.

• 한국재료학회지
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• 제6권3호
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• pp.309-317
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• 1996

세가지 다른 방법을 이용하여 형성시킨 비정질 실리콘(SiH4 a-Si, Si2H6 a-Si, Si+ implanted SiH4 a-Si)들에 대한 저온 결정화 기구의 차이를 고전적 이론인 Avrami 식(X=1-exptn, X=결정화 분율, t=열처리 시간, n=지수)을 이용하여 검토하였다. Silane으로 형성된 비정질 실리콘의 결정화 과정에서는 Avrami 식에서의 n의 값이 2.0을 나타내고 있어, 결정성장이 이차원적으로 이루어지면서 핵생성률이 시간에 따라 감소하고 있음을 알 수가 있었다. Si+ 이온 주입에 의하여 형성된 비정질 실리콘의 결정화에서는 3.0의 지수 값이 얻어지고 있어, 정상상태의 핵생성과 함께 2차원적인 결정 성장이 이루어지고 있었다. Disilane으로 형성된 비정질 실리콘에 대한 결정화에서는 2.8의 지수값이 얻어져, 정상상태의 핵 생성이 우세하게 일어나는 2차원적인 결정성장이 일어나고 있음을 알 수 있었다. 또한 TEM을 이용하여 시간에 따라 변하는 핵생성률을 조사하여, Avrami 식의 적용이 타당성 있음을 증명하였다. 마지막으로, 최종 입자의 크기가 열처리 온도에 크게 영향을 받고 있지 않음을 확인하였다.