Tungsten disulfide($WS_2$) thin films were directly deposited by direct-current(DC) sputtering and annealed by rapid thermal processing(RTP) to materialize two-dimensional p-type transition metal dichalcogenide (TMDC) thin films on soda-lime glass substrates without any complicated exfoliation/transfer process. $WS_2$ thin films deposited at various DC sputtering powers from 80 W to 160W were annealed at different temperatures from $400^{\circ}C$ to $550^{\circ}C$ considering the melting temperature of soda-lime glass. The optical microscope results showed the stable surface morphologies of the $WS_2$ thin films without any defects. The X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) results and the Hall measurement results showed stable binding energies of W and S and high carrier mobilities of $WS_2$ thin films.
Glow Discharge를 이용한 고체 시료의 극미량 원소분석은 흡광, 방출, 형광 그리고 질량 분석 방법들이 특히 금속 시료들의 분석을 위해 많이 연구되어지고 있다. 본 연구에서는 자체 제작한 Gas-Jet-assisted Glow Discharge(GJGD)를 이용하여 각 실험변수에 따른 영향을 비교하여 보았다. 제작한 글로우 방전의 특성화 실험에 사용한 실험 변수로는 전류, 방전 가스의 흐름 속도, 압력 등이었고 시료는 황동을 사용하였다. 시료의 주원소인 구리(Cu)와 아연(Zn)의 방출선세기와 방전가스인 아르곤(Ar)의 상대적인 세기를 비교하여 보았는데, 대체적으로 전류의 증가는 튕겨나옴(Sputtering) 현상을 촉진시켜 방출선의 세기가 증가하였고 가스 흐름 속도는 플라즈마 속으로의 수송과 확산에 관여하여 증가될수록 방출선의 세기를 감소시켰다. 글로우 방전 내의 압력의 증가는 튕겨나옴 현상을 감소시킴과 더불어 시료 표면으로의 재부착을 증가시켜 방출선의 세기가 급격히 감소함을 보여 주었다.
The initial operation stability of hydrogen-fueled, solid oxide fuel cell with Ni thin-film anode fabricated by direct current sputtering was evaluated in terms of electrochemical properties such as peak power density, open circuit voltage, overpotential, and alternating current impedance at 500℃. Hydrogen and air were used as anode fuel and cathode fuel, respectively.
ITO thin film is generally fabricated by various. methods such as spray, CVD, evaporation, electron gun deposition, direct current electroplating, high frequency sputtering, and reactive DC sputtering. However, some problems such as peaks, bumps, large particles, and pin-holes on the surface of ITO thin film were reported, which caused the destruction of color quality, the reduction of device life time, and short-circuit. Chemical mechanical polishing (CMP) process is one of the suitable solutions which could solve the problems
Cr-CrO cermet solar selective coatings with a double cermets layer film structure were prepared using a special direct current (dc) magnetron sputtering technology. The typical films structures from surface to bottom substrate were measured to be an $Al_2O_3$ anti-reflection layer on a double Cr-CrO cermet layer on an Al metal infrared reflection layer. Optical properties of optimized Cr-CrO cermet solar selective coating were absorptance (${\alpha}$) = 0.95 and emittance (${\varepsilon}$) = 0.10 ($100^{\circ}C$). Atomic force microscopy (AFM) image showed that Cr-CrO cermet film was very smooth and their grain size was also very small The results of thermal stability test showed that the Cr-CrO cermet solar selective coatings were stable for use at temperature of $400^{\circ}C$.
Indium tin oxide (ITO) thin film is a transparent electrode, which is widely applied to solar battery, illuminators, optical switches, liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), and organic light emitting displays (OLEDs) due to its easy formation on glass substrates, goof optical transmittance, and good conductivity. ITO thin film is generally fabricated by various methods such as spray, CVD, evaporation, electron gun deposition, direct current electroplating, high frequency sputtering, and reactive DC sputtering. However, some problems such as peaks, bumps, large particles, and pin-holes on the surface of ITO thin film were reported, which caused the destruction of color quality, the reduction of device life time, and short-circuit. Chemical mechanical polishing (CMP) processis one of the suitable solutions which could solve the problems.
Transparent conductive ZnO/Ag/ZnO (ZAZ) multilayer films were deposited by Radio frequency (RF) magnetron sputtering and direct current (DC) magnetron sputtering. The effects of post deposition vacuum annealing temperature on the structural, electrical and optical properties of the ZAZ multilayer films were investigated. The thickness of ZAZ films is kept constant at ZnO 50 nm/Ag 5nm/ZnO 45 nm, while the vacuum annealing temperatures were varied from 200 and $400^{\circ}C$, respectively. As-deposited ZAZ films exhibit a sheet resistance of $6.1{\Omega}/{\Box}$ and optical transmittance of 72.7%. By increasing annealing temperature to $200^{\circ}C$, the resistivity decreased to as low as $5.3{\Omega}/{\Box}$ and optical transmittance also increased to as high as 82.1%. Post-deposition annealing of ZAZ multilayer films lead to considerably lower electrical resistivity and higher optical transparency, simultaneously by increased crystallization of the films.
Jingtao Zhu;Yang Liu;Jianrong Zhou;Zehua Yang;Hangyu Zhu;Xiaojuan Zhou;Jinhao Tan;Mingqi Cui;Zhijia Sun
Nuclear Engineering and Technology
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제55권9호
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pp.3121-3125
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2023
Neutron conversion detectors that use 10B-enriched boron carbide are feasible alternatives to 3He-based detectors. We prepared boron carbide films at micron-scale thickness using direct-current magnetron sputtering. The structural characteristics of natural B4C films, including density, roughness, crystallization, and purity, were analyzed using grazing incidence X-ray reflectivity, X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, time-of-flight secondary ion mass spectrometry, and scanning electron microscopy. A beam profile test was conducted to verify the practicality of the 10B-enriched B4C neutron conversion layer. A clear profile indicated the high quality of the neutron conversion of the boron carbide layer.
Focused ion beams are a potential tool for micro/nano structure fabrication while several problems still have to be overcome. Redeposition of sputtered atoms limits the accurate fabrication of micro/nano structures. The challenge lies in accurately controlling the focused ion beam to fabricate various arbitrary curved shapes. In this paper a basic approach for the focused ion beam induced direct fabricate of fundamental features is presented. This approach is based on the topography simulation which naturally considers the redeposition of sputtered atoms and sputtered yield changes. Fundamental features such as trapezoidal, circular and triangular were fabricated with this approach using single or multiple pass box milling. The beam diameter(FWHM) and maximum current density are 68 nm and $0.8 A/cm^2$, respectively. The experimental investigations show that the fabricated shape is well suited for the pre-designed fundamental features. The characteristics of ion beam induced direct fabrication and shape formation will be discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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