다이오드 여기 고체레이저(DPSSL, Diode-Pumped Solid State Laser)는 레이저 마킹기, 미세가공기, Ti:sapphire 및 각종 레이저 매질 여기, 의료기기, 그리고 군사용 계측기 등에 다양하게 사용되고 있다. 이러한 응용분야들에 효과적으로 사용되기 위해서는 레이저 출력, 빔모드, 펄스폭, 파장 등이 응용분야에 적합하도록 설계되어야 하며, 고반사율을 갖는 금속의 가공 및 마킹, 그리고 몇가지 레이저 매질의 여기원으로 사용되기 위해서는 짧은 펄스폭과 고품질을 갖는 녹색 파장의 DPSSL 개발이 필요하다. (중략)
The crack behavior in the ceramic Nd:YAG at a laser-diode end-pumped Nd:YAG ceramic laser was investigated. The fracture critical temperature difference of the ceramic Nd:YAG is about $355^{\circ}C$. The fracture of the 2 at% and the 4 at.% ceramic Nd:YAG occurred more than 14.9 W and 6.9 W pump powers, respectively, under lasing conditions.
We report on the luminescent enhancement of the $Er^{3+}$ -doped germano-silicate fibers by the incorporation of Au nanoparticles in the core of the fibers. The absorption peak appeared at 498.4nm was found due to the surface plasmon resonance of Au nanoparticles. The incorporated Au nanoparticles were found to be effective absorbents for hydroxyl groups to enhance the luminescence of $Er^{3+}$ ions when pumped with the 980nm laser diode.
We have investigated the holographic grating formation on Ag-doped amorphous chalcogenide As2Se3 thin films with Ag layer. The basic optical parameter which is a refractive index and extinction coefficent was taken by n&k analyzer. The source of laser was selected based on these parameter. Holographic gratings have been formed using He-Ne laser (wavelength: 632.8 nm) Diode Pumped Solid State laser (DPSS, wavelength: 532.0 nm) under [P:P] polarized the intensity polarization holography. The diffraction efficiency was obtained by +1st order intensity.
저출력 다이오드 여기 레이저에서는 공간모드 특성을 좋게하고 여기 효율을 올리기 위하여 단면 여기 방식을 주로 사용한다. 특히 레이저 다이오드 (LD)로 여기하는 단일모드 녹색광 레이저는 홀로그램, 간섭계, 측정기 등의 응용분야에서 수요가 날로 증가하고 있다. 단일모드 녹색광 레이저의 발진방법으로는 여러 가지가 고안되어 왔다. 먼저 공진기 내부에 얇은 판을 브루스터 (Brewster) 각으로 두어서 편광시키고 이것을 복굴절특성을 가진 Nd:YVO$_4$ 결정과 결합시켜 복굴절 필터 기능을 하게 하는 방법이 있다. (중략)
여기 파워는 고체 레이저 매질 내부에 열을 발생시킨다. 매질 내부에서 발생한 열은 매질 표면을 따라 냉각이 진행되어 매질 내부에서는 불균일한 온도분포가 발생하게 된다. 레이저 매질의 굴절율은 온도에 따라 변하기 때문에 열복굴절 현상과 열렌즈 현상이 일어나 레이저 출력의 손실, 빔질의 저하를 유발하고 열적 스트레스는 매질의 손상 및 모드 동기된 극초단 펄스가 넓어지는 등의 문제를 초래한다. 선형 편광 광선을 이용하는 고체 레이저에서 열복굴절에 의해 레이저 출력이 약 30 %까지 감소하므로 레이저 공진기를 구성하는데 있어서 정량적인 열영향의 해석이 필요하다. 열복굴절에 의해 발생한 손실량은 다음과 같이 표현할 수 있다. (중략)
The correlation between electrical (derivativer) characteristics and electro-optical conversion characteristics of laser diodes has been investigated both theoretically and experimentally with emphasis on the nonideal behavior. Laser diodes are electrically pumped devices with the current resulting from the carrier recombination dynamics, and their junction voltage is given by the separation of the quasi-Fermi levels which are determined by the injected carrier concentration. Thus most of the informaiton related to laser diode operation characteristics is reveraled in the electrical characteristics which are relatively simple to measure with sufficient accuracy. Therefore the measurement of electrical characteristics and their derivatives is a very useful tool of laser diode characteristion.
Since a pattern defects "repair" system using a diode pumped solid state laser for Flat Panel Display (FPD) was suggested, a lot of laser systems have been explored and developed for mass-production microfabrication process. A maskless lithography system using 405 nm violet laser and Digital Micromirror Device (DMD) has been developed for PDP and Liquid Crystal Display (LCD) Thin Film Transistor (TFT) photolithography process. In addition, a "Laser Direct Patterning" system for Indium Tin Oxide (ITO) for Plasma Display Panel(PDP) has been evaluated one of the best successful examples for laser application system which is applied for mass-production lines. The "heat" and "solvent" free laser microfabrications process will be widely used because the next-generation flat panel displays, Flexible Display and Organic Light Emitting Diode (OLED) should use plastic substrates and organic materials which are very difficult to process using traditional fabrication methods.
In this paper we propose a cryogenic sensor system which can measure the temperature at higher resolution at low temperature using temperature-dependent amplified spontaneous emission of erbium-doped fiber pumped by a 1480 nm laser diode. The measurement resolution of the sensor system could be enhanced through the modulation of injection current of the pump laser diode. The measurement resolution considering the fluctuation of the light source in the sensor system was ${\sim}0.4$ K in the room temperature regime and ${\sim}0.07$ K in the liquid nitrogen temperature regime.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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