다이오드 레이저 펌핑 Nd:YAG 레이저를 평면 반일체 고리형 공진기를 이용하여 1064 nm 파장에서 단방향, 단일 모드로 발진시켰다. 실험에 사용된 반일체 고리형 공진기는 자기장 내에 놓여진 Nd:YAG 레이저 활성매질, 결정 석영판, 출력경으로 구성되어 전체적으로 광 다이오드로서 작용한다. 이에 대한 고유편광 이론 연구가 수행되었으며, 고유편광 모드에 대한 광손실이 계산되었다. 1.2 W, 809 nm 다이오드 레이저로 펌핑하여 155 mW의 단일 모드 출력을 얻었으며, 이때의 기울기 효율은 17%이었다. 동일한 두 레이저 시스템이 제작되었는데, 그 출력들의 맥놀이 주파수 스펙트럼으로부터 100 kHz 이하의 레이저 선폭을 갖는 것으로 측정되었고, 2 GHz 이상의 영역에서 연속적인 주파수 튜닝이 관측되었다.
809nm의 고출력 반도체 레이저(500mV의 출력광과 LD(Laser Diode) 여기 Nd:YVO4레이저의 파장 1064nm를 공진기 내부에서 비선형 광학 소자 KTP(Potassium titanyl posphate : KTPiOPO4)를 사용하여 합주파 발생 파장인 459nm의 청색레이저를 얻었다. 제2의 위상 정합 정합조건(${\psi}=90^{\circ},\;{\theta}=90^{\circ}$)에서 반도체 레이저의 입력광 세기가400mW일 때 청색레이저의 최대 출력 0.95mW를 얻었으며, 청색레이저의 발진문턱입력 세기는 120mW이었다.
Laser-induced breakdown of colloidal suspensions, such as polystyrene, $ZrO_2$, and $SiO_2$ particles in diameters of 100-400 nm in water is investigated by nanosecond flash-pumped Nd:YAG laser pulses operating at a wavelength ${\lambda}$= 532 nm. The breakdown threshold intensity is examined in terms of breakdown probability as a function of laser pulse energy. The threshold intensity for $SiO_2$ particles ($1.27{\times}10^{11}\;W/cm^2$) with a size of 100 nm is higher than those for polystyrene and $ZrO_2$ particles with the same size, namely $5.7{\times}10^{10}$ and $5.5{\times}10^{10}\;W/cm^2$, respectively. Results indicate that the absorption of five photons is required to induce ionization of $SiO_2$ particles, whereas the other particles necessitate four-photon absorption. These breakdown thresholds are compared with those measured by nanosecond pulses from a diode-pumped Nd:YAG laser having a different focusing geometry.
Since a pattern defects "repair" system using a diode pumped solid state laser for Flat Panel Display (FPD) was suggested, a lot of laser systems have been explored and developed for mass-production microfabrication process. A maskless lithography system using 405 nm violet laser and Digital Micromirror Device (DMD) has been developed for PDP and Liquid Crystal Display (LCD) Thin Film Transistor (TFT) photolithography process. In addition, a "Laser Direct Patterning" system for Indium Tin Oxide (ITO) for Plasma Display Panel(PDP) has been evaluated one of the best successful examples for laser application system which is applied for mass-production lines. The "heat" and "solvent" free laser microfabrications process will be widely used because the next-generation flat panel displays, Flexible Display and Organic Light Emitting Diode (OLED) should use plastic substrates and organic materials which are very difficult to process using traditional fabrication methods.
본 연구에서는 355 nm의 파장을 갖는 Nd:YVO$_4$ 3고주파 DPSS 레이저를 이용하여 폴리머의 3차원 미세형상 가공기술을 개발하였다. UV레이저와 폴리머의 어블레이션에 관한 메커니즘을 설명하였으며 비교적 UV영역에서 파장이 긴 355 nm파장의 영역에서는 광열분해 반응으로 가공되고 이에 따른 폴리머의 광학적 특성을 살펴보았다. 광 흡수율 특성이 우수한 폴리머가 광가공 특성이 좋은 것으로 나타났으나 벤젠구조가 많이 포함되어 있는 폴리이미드의 경우는 광분해후 다시 새로운 화학적 결합이 이루어져 가공부 면이 좋지 않은 면을 보였다. 레이저의 다중 주사방식으로 가공하기위하여 표면의 오염이 적은 폴리카보네이트를 시편으로 사용하여 3차원 적으로 모델링한 직경 1 mm와 500 $\mu\textrm{m}$의 마이크로 팬을 가공하였다. 레이저 발진 효율이 높고 유지비가 적은 355 nm의 DPSSL을 이용한 3차원 가공기술의 개발로 향후 저비용으로 빠른 시간에 미세부품을 개발하는 기술에 기여할 것으로 예상된다.
파장 792 nm의 AlGaAs 레이저 다이오드로 펌핑되는 Nd:YLF 레이저를 제작하여 펌핑세기와 펌핑빔의 파장에 대한 출력특성을 조사하였다. Brewster 각으로 되어있는 Nd:YLF봉에서 발생하는 비점수차를 보정하기 위하여 공진기 구조를 접힌형태로 하였다. 연속 출력 2.6Watt로 펌핑하였을 때 발진파장 1053 nm에서 최대 출력 1.1Watt를 얻었으며, 이때 전체효율이 39% 였다.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.476-477
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2009
The smallest green laser containing a built-in temperature controlling unit has been demonstrated. The device volume was just 0.5 cubic centimeters, which is nearly the same size as existing red and blue diode lasers, has an electrical-to-optical conversion efficiency of 10% and 150 mW power output. Furthermore as an alternative approach for compact green laser development, a quasi-phase matching method with wide spectral bandwidth for the reduction of speckle noise will be presented.
Lambertian 산란 특성을 갖는 난반사체를 적용하고 1kW의 출력을 갖는 고출력 레이저 다이오드를 여기광원으로 이용하여 고출력 Nd:YAG 레이저를 제작하였다. 지름이 5mm인 레이저봉을 사용하고 짧은 공진기를 구성하여 연속발진시켰을 때 약 500W의 고출력을 얻을 수 있었고 이때 기울기 효율은 49% 광변환효율 46.7%로 매우 높은 효율을 얻었다. 지름이 6mm인 레이저봉을 사용하였을때에는 LD여기광의 흡수 분포가 불균일해져서 광변환효율은 감소하였다. 발생한 레이저빔의 빔질인자(Beam Quality Factor) M$^2$는 약 70 정도로 관측되었으며 이는 측정된 열렌즈 초점거리로부터 계산된 빔질인자보다 약간 작은 값으로 여기광의 흡수 분포가 매우 균일함을 보여준다.
3준위 레이저 rate equation 및 overlap integral로부터 파장 1.48 ${\mu}m$에서 여기된 E$r^{3+}$ 첨가 광섬유 광증폭기를 위한 광섬유 매개 변수의 최적 조건을 계산하였다. 이 계산으로부터 Er3+ 첨가 광섬유 광섬유 광증폭기의 소신호 이득(small signal gain) 특성을 개구수 (N.A.), V값, 광섬유 길이, 차단 파장(cutoff wavelength) 등의 함수로 알아 보았으며 또한, 최대 소신호 이득을 갖기 위한 광섬유 매개 변수를 결정하였다.
The correlation between electrical (derivativer) characteristics and electro-optical conversion characteristics of laser diodes has been investigated both theoretically and experimentally with emphasis on the nonideal behavior. Laser diodes are electrically pumped devices with the current resulting from the carrier recombination dynamics, and their junction voltage is given by the separation of the quasi-Fermi levels which are determined by the injected carrier concentration. Thus most of the informaiton related to laser diode operation characteristics is reveraled in the electrical characteristics which are relatively simple to measure with sufficient accuracy. Therefore the measurement of electrical characteristics and their derivatives is a very useful tool of laser diode characteristion.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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