• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2005년도 종합학술발표회 논문집 Vol.15 No.1
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• pp.39-44
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• 2005

A broadband DC to 40 GHz 5-bit MMIC digital attenuator has been developed. The ultra broadband attenuator has been achieved by newly inserted the transmission lines in conventional Switched-T attenuator and the optimization of the transmission line parameters. Momentum was employed in design for an accurate performance prediction at high frequencies and Monte Carlo analysis was applied to verify performance stability against the MMIC process variation. The attenuator has been fabricated with 0.15 $\mu$m GaAs pHEMT process. This attenuator has 1 dB resolution and 23 dB dynamic range. High attenuation accuracy has been achieved over all attenuation range and full 40 GHz bandwidth with the reference state insertion loss of less than 6 dB at 20 GHz. The input and output return losses of the attenuator are better than 14 dB over all attenuation states and frequencies.

• ETRI Journal
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• 제30권5호
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• pp.744-746
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• 2008

This letter presents a crosstalk-enhanced polymer thermo-optic digital optical switch operating at a low power consumption. Modified radiation-type attenuators are integrated in a series with a conventional $1{\times}2$ digital optical switch. A low optical crosstalk of less than -45 dB is attained at a low applied switching power of 60 mW, and an insertion loss of about 1.1 dB is exhibited.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제12권4호
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• pp.452-459
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• 2009

A 6-bit MMIC digital attenuator applicable to X-band TR module has been developed by using $0.5{\mu}m$GaAs pHEMT processes. The Switched-T attenuator scheme and the switched-path attenuator scheme were adopted to obtain low insertion loss and small phase variation, respectively. Resistors and transmission lines are optimized to achieve the digital attenuator with high attenuation accuracy and small phase variation. The digital attenuator has RMS error of 0.4dB, resolution of 0.5dB and dynamic range of 31.5dB. The measurement results show that in-out VSWRs are less than 1.5, phase variation is from -7 to +2 degrees and IIP3 is 36.5dBm.

• 한국전자파학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.101-109
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• 2006

본 논문은 광대역, DC to 40 GHz 5-bit MMIC 디지털 감쇠기의 설계 및 측정 결과를 나타내었다. 초광대역 감쇠기는 종래의 Switched-T 감쇠기에 전송 선로를 추가하고 전송 선로의 파라미터를 최적화하여 구현되었다. 고주파에서의 정확한 성능 예측을 위해 Momentum 시뮬레이션을 설계에서 수행하였고, 몬테 카를로 해석법을 적용하여 MMIC 공정 변동에 대한 성능의 안정성을 검증하였다. 감쇠기는 $0.15\;{\mu}m$ GaAs pHEMT 공정을 이용하여 제작하였다. 이 감쇠기는 1 dB의 해상도와 총 23 dB의 감쇠 동작 범위를 가진다. 전체 감쇠 범위와 40 GHz의 대역폭에서 높은 감쇠 정확도를 얻었으며, 20 GHz에서 6 dB 이하의 참조 상태 삽입 손실을 가진다. 전체 감쇠 상태와 주파수 범위에서 감쇠기의 입력단과 출력단 반사 손실은 14 dB 이상이다. 감쇠기의 IIP3는 33 dBm으로 측정되었다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2005년도 제16회 정기총회 및 동계학술발표회
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• pp.292-295
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• 2005

Variable optical attenuators (VOA) made of low-loss fluorinated polymers are demonstrated which shows a low operating power less than 30 mW due to the superior thermo-optic effect of polymer material and a low insertion loss less than 1.0 dB by incorporating highly fluorinated polymers to reduce the absorption loss at 1550 nm. An attenuator-integrated low-crosstalk polymeric digital optical switch (DOS) is also demonstrated. The switch and attenuator shares a single connected electrode which is controlled by a single current source. Due to the simple structure of the integrated attenuator, the device length is reduced to 1 cm so as to provide low insertion loss of 0.8 and 1.1 dB for 1300 and 1550 nm, respectively. The attenuator radiates remained optical signal on the switch-off branch in order to decrease the switching crosstalk to be less than -70 dB with an applied electrical power of 200 mW.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권5호
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• pp.68-75
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• 1994

A new Predistortor that is designed using Feedforward type is proposed to overcome the nonlinearity of HPA (High Power Amplifier). HPA has the nonlinearity of the gain compression and phase distorton, so digital communication system of multi-carrier TDMA needs the linear RF transmitter. Using IMD (Intermodulation Distortion) of drive amplifier, as Feedforward type, the inverse IMD is coupled to the main loop with variable attenuators, phase shifters, and sub-amplifiers well designed. At the input of main amplifier, the over-coupled IMD surpresses the main amplifier 's IMD. Adjusting the level and phase of IMD at the sub loop, C/I of HPA is better than before correction.

• 한국통신학회논문지
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• 제36권5A호
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• pp.543-550
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• 2011

UHF FRID 리더에서 태그 인식률을 향상시키기 위한 누설신호 상쇄회로 시스템을 제안하였다. 제안된 구조는 송/수신 신호의 전력 차이를 감지하는 전파환경 모니터링 블록과 누설신호를 상쇄시키는 누설신호 상쇄블록으로 구성되었다. Feed-forward 상쇄 방식을 기본으로 하여 방향성결합기, 디지털제어감쇄기, 위상천이기 등으로 구성된다. 누설신호 상쇄회로 시스템은 안테나와 리더 사이에 설치해서 기존 리더의 성능을 향상시킬 수 있다. 측정 결과 국내 UHF RFID 리더 표준에서 사용하는 주파수 대역에서 29.4~30.9dB의 누설신호 상쇄 효과를 얻었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권9호
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• pp.2109-2116
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• 2014

본 논문은 무선랜 시스템에서 성능 향상을 위해, 안테나 빔을 전 방향으로 방사하는 기존의 방법과는 달리, 접속한 단말이 존재하는 방향으로만 안테나 빔을 방사하는 빔포밍 시스템을 설계 및 구현하였다. 해당 시스템은 패치형 배열 안테나를 통해 통신을 하며, DSP(Digital Signal Processor)에서 패킷 타입과 단말의 정보를 퀄컴사의 상용 칩으로부터 제공받아 FPGA(Field Programmable Gate Array)로 전송하는 방식으로 동작한다. DSP와 FPGA의 통신 방식은 데이터 송수신시 생기는 지연을 최소화하기 위해 PCI express(Peripheral Component Interconnect express)를 사용하였다. 단말 고유의 MAC(Media Access Control) 주소를 FPGA에서 저장하고 데이터베이스화함으로써 단말들의 위치를 관리할 수 있도록 하였다. 따라서 해당하는 단말로 패킷을 전송할 때, 추정한 위치로 빔을 방사하여 T/P(throughput)를 높일 수 있다. 단말의 위치는 패치형 배열 안테나를 통해 수신한 단말의 SINR(Signal to Interface plus Noise Ratio)을 프리앰블 구간에서 극대화하는 알고리즘을 사용하여 추정하였다. 제안하는 빔포밍 시스템을 Verilog HDL(Hardware Description Language)을 이용하여 FPGA와 퀄컴사의 상용 칩과 연동하여 구현하였으며 실제 운용 환경에서 시험을 통해 구현된 장비가 일반 AP(Access Point) 보다 더 높은 성능을 보이며 통신하는 것을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권12호
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• pp.6-13
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• 2009

X-대역의 위상 배열 시스템에 응용 가능한 전력 증폭기, 6-bit 위상 변위기, 6-bit 디지털 감쇠기 및 SPDT 송수신 스위치를 각각 설계 및 측정하였다. 모든 회로는 CMOS 0.18 um 공정을 사용하여 구현되었다. 전력 증폭기는 2-단 차동 및 cascode 구조를 가지며, 20 dBm 의 P1dB, 19%의 PAE 의 성능을 8-11 GHz 주파수 대역에서 보였다. 6-bit 위상 변위기는 Embedded switched filter 구조를 가지며, 스위치용 nMOS 트랜지스터 및 마이크로스트립 선로로 인덕턴스를 구현하였다. $360^{\circ}$ 위상 제어가 가능하며 위상 해상도는 $5.6^{\circ}$ 이다. 8-11 GHz 주파수 대역에서 RMS phase 및 amplitude 오차는 $5^{\circ}$ 및 0.8 dB 이하이며, 삽입손실은 약 $-15.7\;{\pm}\;1,1\;dB$ 이다. 6-bit 디지털 감쇠기는 저항 네트워크와 스위치가 결합된 Embedded switched Pi-및 T-구조이며, 위상 배열 시스템에서 요구하는 낮은 통과 위상 변동 특성을 가지는 구조가 적용되었다. 최대 감쇠는 31.5 dB 이며 진폭 해상도는 0.5 dB 이다. 8-11 GHz 주파수 대역에서 RMS amplitude 및 phase 오차는 0.4 dB 및 $2^{\circ}$ 이하이며, 삽입손실은 약 $-10.5\;{\pm}\;0.8\;dB$ 이다. SPDT 송수신 스위치는 series 및 shunt nMOS 트랜지스터의 쌍으로 구성되었으며 회로의 면적을 최소화하기 위해 1개의 수동 인덕터만으로 SPDT 기능을 구현하였다. 삽입손실은 약 -1.5 dB, 반사손실은 -15 dB 이하이며, 송수신 격리 특성은 -30 dB 이하이다. 각각의 칩 면적은 $1.28\;mm^2$, $1.9mm^2$, $0.34\;mm^2$, $0.02mm^2$ 이다.