• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제23권2호
• /
• pp.89-92
• /
• 2010

A bolometer sensor used in an infrared thermal imaging system has many advantages on the process because it does not need a separate cooling system and its manufacturing is easy. However the sensitivity of the bolometer is low and the fixed pattern noise(FPN) is large, because the bolometer sensor is made by micro electro mechanical systems (MEMS). These problems can be fixed-by using the high performance readout integrated circuit(ROIC) with noise reduction techniques. In this paper, we propose differential delta sampling circuit to remove the mismatch noise of ROIC itself, the FPN of the bolometer. And for reduction of FPN noise, the reference signal compensation circuit which compensate the reference signal by using on-resistance of MOS transistor was proposed.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제18권6호
• /
• pp.854-862
• /
• 1993

CMOS아날로그 및 아날로그 디지탈시스템은 여러 개의 기본회로로 구성되어지며 그중에서도 증폭회로 부분은 시스템의 성능을 결정할 수도 있는 중요한 블럭중에 하나이다. 증폭회로는 시스템에서 사용되어지는 용도에 따라서 여러가지 구조(고이득, 저전력, 고속회로등)를 가지며 이러한 증폭회로를 설계하기 위하여 증폭기내의 입력증폭단의 설계 방법도 다양하다. 본 논문에서는 CMOS 상보형 차동이득 구조를 갖는 새로운 형태의 입력 차동증폭 회로를 제안하였다. 제안된 회로는 CMOS 상보형 회로에 의하여 고이득 특성을 가지며, 바이어스 전류를 내부적으로 공급하여 전체 시스템 구성시, 바이어스회로를 구성하기 위한 트랜지스터의 수를 줄일 수 있다. 이 회로를 표준 $1.5{\mu}m$ 공정파라메타를 이용한 SPICE 시뮬레이션을 통하여 광범위하게 이용되고 있는 CMOS 차동증폭 회로와 비교해 본 결과, 오프셋, 위상마진등의 특성이 그대로 유지된 상태에서 이득이 배가 되었다. 또한 제안된 회로를 이용하여 높은 출력스윙(-4.5V-+4.5V)과 함께 7nsec(CL-1pF) 이하의 세틀링시간을 갖을 수 있는 CMOS비교기를 설계하였다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제20권2호
• /
• pp.193-199
• /
• 2009

본 논문에서는 microstrip line 구조를 가지는 differential pair의 2 drop 구조에 대한 임피던스 해석을 reflection theory를 바탕으로 분석하였다. 또한 시뮬레이션을 통한 transient 해석을 통해 임피던스 해석의 타당성을 검증하였다. 위와 같은 해석 과정을 통하여 다양한 drop 구조의 신호 전달 특성을 이해할 수 있다. 임피던스 해석을 바탕으로 2 drop 구조 해석을 통하여 최적의 signal integrity를 가지는 설계 기법을 제안하였고, circuit 시뮬레이션 해석(Ansoft designer)을 통해 signal integrity 효과를 검증하였다.

• ETRI Journal
• /
• 제28권4호
• /
• pp.495-501
• /
• 2006

This paper presents a new CMOS fully-differential second-generation current conveyor (FDCCII). The proposed FDCCII is based on a fully-differential difference transconductor as an input stage and two class AB output stages. Besides the proposed FDCCII circuit operating at a supply voltage of ${\pm}1.5\;V$, it has a total standby current of $380\;{\mu}A$. The applications of the FDCCII to realize a variable gain amplifier, fully-differential integrator, and fully-differential second-order bandpass filter are given. The proposed FDCII and its applications are simulated using CMOS $0.35\;{\mu}m$ technology.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제44권6호
• /
• pp.89-93
• /
• 2007

본 논문은 3.3V, $0.35{\mu}m$ CMOS 기술을 이용하여 I/O 인터페이스를 설계, 검증하였다. LVDS (low-voltage differential signaling)는 차동전송 방식과 저 전압의 스윙으로 저 전력 고속의 데이터를 전송할 수 있다. 본 논문은 기존의 차동증폭기나 감지 증폭기를 사용한 LVDS와 달리 telescopic 증폭기를 이용하여 2.3 Gbps의 빠른 전송속도를 갖는 LVDS 고속 인터페이스를 구현하였다. LVDS의 표준을 모두 충족하였고 25.5mW의 전력소모를 갖는다. 이 회로는 삼성 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 설계하였으며, HSPICE를 통하여 검증하였다.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제26권9호
• /
• pp.1359-1368
• /
• 1989

In this paper, the composite BiCMOS transistor which combines a bipolar transistor and a MOS transistor in a cascade type, is analyzed in terms of I-V characteristics and small signal equivalent circuit. As a result, it has a larger driving capability than MOS transistor and a more extended rante of input voltage than bipolar transistor. Next, a BiCMOS differential amplifier as its application example is designed and compared with the CMOS one and the bipolar one. It increases the driving capability of the CMOS differential amp and improves the linear operation region of the bipolar differential amp.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
• /
• pp.731-734
• /
• 2005

In this study, the design of advanced LVDS(Low Voltage Differential Signaling) I/O interface circuit with new structural low triggering ESD (Electro-Static Discharge) protection circuit was investigated. Due to the differential transmission technique and low power consumption at the same time. Maximum transmission data ratio of designed LVDS transmitter was simulated to 5Gbps. And Zener Triggered SCR devices to protect the ESD phenomenon were designed. This structure reduces the trigger voltage by making the zener junction between the lateral PNP and base of lateral NPN in SCR structure. The triggering voltage was simulated to 5.8V. Finally, we performed the layout high speed I/O interface circuit with the low triggered ESD protection device in one-chip.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제9권4호
• /
• pp.33-37
• /
• 1972

징분특성을 갖는 증폭회로, 즉 전압이득이 복소주파수에 비례하는 증폭회로에 대하여 논술하였다. 트랜지스터의 누레이터-노레이터 모델에 의거하여 구성한 회로의 특성이 상세한 해석의 결과와 부합되며 또 측정된 실제의 특성이 이론과 일치함을 밝혔다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2002년도 합동 추계학술대회 논문집 정보 및 제어부문
• /
• pp.517-520
• /
• 2002

This paper has been studied Operational Amplification Circuit that has high power specification of 90 W is designed. In the input differential amplifier stage, the current source for circuit bias is designed to protect device from high voltage source. the criving state has the voltage gain more than input differential stage. With temperature compensation design, output stage works stable in different to temperature.

• 전기의세계
• /
• 제25권4호
• /
• pp.59-62
• /
• 1976

This study on the characteristics of the leakage circuit breakers handles the rolls of each itemized parts of the mentioned apparatus and their influence in determining of the characteristic curve of leakage circuit breaker. Furthermore the differential current transforms in the mentioned apparatus for detecting the fault is handled as a heavy point.