본 논문에서는 인지질 단분자인 DMPC 유기초박막에 압력 자극을 이용하여 표면압과 변위전류의 검출에 따른 유전 완화현상에 대한 물리적 특성 평가를 하였다. 유기초박막에서 약간의 유전 완화 시간이 소요되었는데 이는 분자 영역에 의존한다는 사실을 알 수 있었다. 또한, 유기박막의 누적 조건에 의해 제작된 MIM 소자에 전압을 인가시, LB막의 누적층수가 증가 할수록 저항이 증가한다는 것을 알 수 있었는데 이는 유기초박막의 층수가 증가하여 전극간의 거리가 멀어질수록 더 높은 전계에서도 파괴되지 않는 절연특성이 나타남을 알 수 있었으며 나노단위의 유기초박막의 비교적 양호한 절연성을 확인, 제시 하였다.
The heterolayered thick/thin structure consisting of $Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ and $BaTiO_3(BT)$ were fabricated by a sol-gel process. PZT powders, prepared by the sol-gel method, were mixed with an organic vehicle and the PZT thick films were fabricated by the screen printing techniques on alumina substrate with Pt electrodes. The microstructural and dielectric characteristics of the stacked heterolayered PZT/BT/PZT films were investigated by varying the number of coating $BaTiO_3$ layers. The existence of a $BaTiO_3$ layer between the PZT thick films of the tri-layer $Pb(Zr_xTi_{1-x})O_3/BaTiO_3/Pb(Zr_xTi_{1-x})O_3$thick/thin/thick film can greatly improve the leakage current properties of the PZT thick films. The average thickness of a PZT(5248)/$BaTiO_3$ heterolayered thick/thin film was 25$\mu$m. The relative dielectric constant and dielectric loss of the PZT(5248)/$BaTiO_3$-3 heterolayered thin film coated three times were 1087 and 1.00% at 1[MHz].
We investigated the structural and dielectric properties of PZT(20/80)/PZT(80/20) heterolayered thin films that fabricated by the alkoxide-based Sol-Gel method. PZT(20/80)/PZT(80/20) heterolayered thin films were spin-coated on the Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrate with PZT(20/80) film of tetragonal structure and PZT(80/20) film of rhombohedral structure by turns. Each layers were dried to remove the organic materials at 30$0^{\circ}C$ for 30min and sintered at $650^{\circ}C$ for 1hr. This procedure was repeated several times to form PZT(20/80)/PZT(80/20) heterolayered films and thickness of the film obtained by one-times of drying/sintering process was approximately 80-90nm. PZt-1, 3, 5 films with top layer of PZT(20/80) film of tetragonal structure showed fine grain structure and PZT-2, 4, 6 films with top layer of PZT(80/20) film of rhombohedral structure showed the dense grain microstructure without rosette-type. Dielectric constant and dielectric loss of the PZT-6 film were approximaterly 1385 and 3.3% respectively. Increasing the number of coatings remanent polarization was increased and coercive field was decreased and the values of the PZT-6 film were 8.13$\mu$C/cm$^2$and 12.5kV/cm respectively.
Chemical mechanical polishing (CMP) 공정은 deep 서브마이크론 집적회로의 다층배선구조률 실현하기 위해 inter-metal dielectric (IMD), inter-layer dielectric layers (ILD), pre-metal dielectric (PMD) 층과 같은 절연막 외에도 W, Al, Cu와 같은 금속층을 평탄화 하는데 효과적으로 사용되고 있으며, 다양한 소자 제작 및 새로운 물질 등에도 광범위하게 응용되고 있다. 하지만 Cu damascene 구조 제작으로 인한 CMP 응용 과정에서, 기계적으로 깨지기 쉬운 65 nm의 소자 이하의 구조에서 새로운 저유전상수인 low-k 물질의 도입으로 인해 낮은 하력의 기계적 연마가 필요하게 되었다. 본 논문에서는 전기화학적 기계적 연마 적용을 위해, I-V 특성 곡선을 이용하여 active, passive, transient, trans-passive 영역의 전기화학적 특성을 알아보았으며, Cu 막의 표면 형상을 알아보기 위해 scanning electron microscopy (SEM) 측정과 energy dispersive spectroscopy (EDS) 분석을 통해 금속 화학적 조성을 조사하였다.
본 논문은 유한한 유전체 격자구조 내부에 형성되는 모드를 좀 더 정확하게 계산함으로써 근거리, 원거리 방사 필드 패턴을 분석하고자 한다. 유전체 내부의 필드 분포는 TE 모드가 형성되는 것으로 가정하여 각 층의 필드를 경계조건을 이용하여 계산하였다. 결과적으로 유한한 유전체 격자구조에서 필드들은 모드들을 형성하며 형성되는 모드의 수는 격자구조의 구조적 특징에 따라 달라진다. 본 논문은 특정 주파수에서 유전체 내부에 형성된 모드와 이들의 필드 분포를 계산하였다. 또한 계산된 모드의 FFT를 이용하여 원거리 방사패턴도 계산하였다.
반도체 메모리 소자의 커패시터에서 셀 커패시턴스의 향상과 scale down을 위해 유전막으로써 적층형 ONO 구조가 도입되었고 이들의 박막화가 지속적으로 시도되고 있으나 공정 처리 과정에서 많은 문제들이 대두되고 있다. 본 연구에서는 L/L LPCVD를 사용하여 약 10Å의 자연산화막 성장을 억제함으로써 3fF/cell의 정전 용량을 확보할 수 있었다. 또한 유전막의 박막화에 따른 질화막의 이상산화에 미치는 영향을 고찰함으로써 내산화성을 확보할 수 있는 유전막 형성의 안정적인 공정 관리 방법을 제안하였다.
An asymmetric metal-semiconductor-metal Al0.24Ga0.76N ultraviolet (UV) sensor was fabricated, and the effects of local Joule heating were investigated. After dielectric breakdown, the current density under a reverse bias of 2.0 V was 1.1×10-9 A/cm2, significantly lower than 1.2×10-8 A/cm2 before dielectric breakdown; moreover, the Schottky behavior of the Ti/Al/Ni/Au electrode changed to ohmic behavior under forward bias. The UV-to-visible rejection ratio (UVRR) under a reverse bias of 7.0 V before dielectric breakdown was 87; however, this UVRR significantly increased to 578, in addition to providing highly reliable responsivity. Transmission electron microscopy revealed interdiffusion between adjacent layers, with nitrogen vacancies possibly formed owing to local Joule heating at the AlGaN/Ti/Al/Ni/Au interfaces. X-ray photoelectron microscopy results revealed decreases in the peak intensities of the O 1s binding energies associated with the Ga-O bond and OH-, which act as electron-trapping states on the AlGaN surface. The reduction in dark current owing to the proposed local heating method is expected to increase the sensing performance of UV optoelectronic integrated devices, such as active-pixel UV image sensors.
본 논문에서는 접지된 2개의 유전체층 위의 도체띠 격자구조에 의한 TE (Transverse Electric) 산란문제를 도체경계조건과 수치해석 방법인 FGMM (Fourier-Galerkin Moment Method)를 적용하여 해석하였으며, 이 때 유도되는 표면전류밀도는 미지의 계수와 단순한 함수인 지수함수의 곱의 급수로 전개하였다. 전반적으로, 제안된 구조에서 영역-2의 유전체층의 비유전율 ${\epsilon}_{r2}$과 유전체 층의 두께 $t_2$가 증가함에 따라 반사전력이 증가하였다. 반사전력의 급변점들은 공진효과에 기인한 것으로 과거에 wood's anomaly라고 불리워졌으며, 수치계산 결과들은 기존 논문의 결과들과 일치하였다.
Maxwell displacement current (MDC) measurement has been employed to study the dielectric property of Langmuir-films. MDC flowing across monolayers is analyzed using a rod-like molecular model. A method for determining the dielectric relaxation time ${\tau}$ of floating 'monolayers on the water surface is presented. MDC floing across monolayers is analyzed using a rod-like molecular model. It is revealed that the dielectric relaxation time ${\tau}$ of monolayers in the isotropic polar orientational phase is determined using a liner relationship between the monolayer compression speed a and the molecular area Am. Compression speed a was about 30,40,50mm/min. LB layers of Arachidic acid deposited by LB method were deposited onto slide glass as Y-type film.The physicochemical properties of the LB films were examined by UV absorption spectrum, SEM and AFM. The structure of manufactured device is Au/Arachidic acid/Al, the number of accumulated layers are 3~9. Also, we then examined of the MIM device by means of I-V characteristic of the device is measured from -3 to +3[V]. The insulation property of a thin film is better as the distance between electrodes is larger.
압전 actuator를 위한 새로운 형태의 재료를 개발하여, 그 특성들을 조사하였다. 이 압전 actuator는 세 층으로 구성되어 있다: 압전 세라믹 층, 조성이 점차로 변하는 중간층, 그리고 또 다른 압전 세라믹 층, 이러한 형태이 재료는 경사 기능 재료(Functionally Gradient Material, FGM)라 불리운다. 경사 기능 재료를 제작하기 위한 재료설계의 개념을 도입하여, FGM화에 있어서 열팽창에 의한 시편의 박리를 막기 위해 $(Pb,\;La)(Zr,\;Ti)O_3$계에서 서로 다른 세라믹스의 조성을 선택하였다. $1300^{\circ}C$, 2시간의 소성에 의해 경사 기능화된 PLZT는 약 $20\mu\textrm{m}$정도의 중간층을 형성하는 미세구조를 가지고 있었다. 경사 기능 재료에서의 유전 및 압전 등의 여러 특성은 두 접합 조성층 특성의 사이의 값을 나타내었다. 인가 전압에 따른 strain특성은 전반적으로 단일 시편의 특성보다 증가하였으며, 특히 접합 조성층에서 고압전-저유전성 조성과 저압전-고유전성 조성을 경사 기능화하였을 경우에 변위의 증가 정도가 더욱 향상되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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