Journal of electromagnetic engineering and science
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v.11
no.1
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pp.1-4
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2011
In this letter, we propose a novel tag antenna that has low performance degradation with nearby dielectric material. We obtained a stable reading performance and a broad matching bandwidth on nearby dielectric materials by employing a T-matching network with thick line width and capacitively slot-loaded arms. We then built the proposed antenna and measured the tag sensitivity to examine the reading characteristics with nearby dielectric materials. The measured results clearly demonstrate stable tag sensitivity with various nearby dielectric materials, such as foam, acrylic-plastic, glass, and ceramic plates. To more closely observe the antenna characteristics with nearby dielectric materials, we also examined the impedance variation and surface current distribution with respect to the dielectric constant of nearby target objects, which ranged from $1{\times}{\varepsilon}_0$ to $16{\times}{\varepsilon}_0$.
This paper treats the Ultrasonic effects on the break down characteristics of Liquid Dielectric Material 1) Relative Dielectric constant, Es of Liquid Dielectric Material at a constant temperature decreases in proportion to the irradiated time of Ultrasonic radiation and its intensity, and reaches to a certain saturated value. The saturated value varies with the intensity of Ultrasonic radiation. 2) Power factor of Liquid Dielectric Material at a constant temperature increases in proportion tothe irradiated time of Ultrasonic radiation and its intensity, and reaches to a certain saturated value. The saturated value varies with the intensity of Ultrasonic radiation. 3) Relative resistance of Liquid Dielectric Material at a constant temperature decrease with the irradiated time of Ultrasonic radiation, but the effect of its intensity is very irregular. 4) Break-down strength of Liquid Dielectric Material, at a constant temperature decreases with the irradiated time of Ultrasonic radiation and its intensity, and then reaches to a saturated value.
The cure behaviors, dielectric characteristics and fracture toughness of diglycidylether of bisphenol-A (DGEBA)/poly(ethylene terephthalate) (PET) blend system were investigated. The degree of conversion for the DGEBA/PET blend system was measured using Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy. The cure kinetics were investigated by measuring the cure activation energies ($E_a$) with dynamic differential scanning calorimetry (DSC). The dielectric characteristic was examined by dielectric analysis (DEA). The mechanical properties were investigated by measuring the critical stress intensity factor ($K_{IC}$), critical strain energy release rate ($G_{IC}$), and impact strength test. As a result, DGEBAIPET was successfully blended. The Ea of the blend system was increased with increasing PET content to a maximum at 10 phr PET. The dielectric constant was decreased with increasing PET content. The mechanical properties of the blend system were also superior to those of the neat DGEBA. These results were attributed to the increased cross-linking density of the blend system, resulting from the interaction between the epoxy group of DGEBA and the carboxyl group of PET.
Kang, Jong O;Lee, Onyou;Kim, Junil;Bang, Seungmin;Lee, Hongseok;Lee, Jong Doug;Kang, Hyoungku
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers P
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v.63
no.4
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pp.301-306
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2014
Recently in accordance with the rapid development of the industrial society, the accidents caused by dielectric breakdown have been increasing in power grid. It is important to prevent the dielectric breakdown of a high voltage apparatus to reduce the damage from electrical hazards. To establish an electrically reliable database of insulation design criteria for high voltage apparatus, a study on dielectric characteristics test is indispensable. In this study, dielectric characteristics according to field utilization factors (${\xi}$) which are represented as the ratio of mean electric field to maximum electric field are investigated. the dielectric breakdown experiments by using several kinds of electrode systems made with stainless steel are performed by AC breakdown voltage under air-insulation. Also, the experimental results are analyzed by the Weibull distribution. As a result, it is found that the dielectric characteristics of air-insulation are determined by ${\xi}$ as well as arrangement of electrode systems. It is considered that the results of this study would be applicable to designing the air-insulated high voltage apparatuses.
Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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2000.11a
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pp.65-68
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2000
Polyethylene, has long history and is widely used, was researched due to good electrical properties by many authors. But PE under stress has the critical defects of space charge accumulation and tree growth, so various methods such as catalyst, additives and blend to improve these problems have been execute, of which we selected blending method. As in our previous papers we investigated electrical conduction, dielectric and AC dielectric breakdown characteristics, we did DC dielectric breakdown characteristics in this paper. We selected pure LLDPE, pure EVA and LLDPE films mixed with EVA as specimens, which were mixed with the weight percentages of 50, 60, 70 and 80[wt%] to be thin film. DC applying voltage speed was 500[V/sec]. The relation between dielectric breakdown characteristics and the variations of super structure due to mixing was investigated, and especially trap level at amorphous region, threshold energy increment of conductive electron at free volume were considered.
A comparative study on thermal, static mechanical and dielectric characteristics were made over a temperature range of ca.20.deg.C to 320.deg.C and a frequency range of KHZ to MHZ band on low density polyethylene specimens crosslinked, respectively, by radiation and chemical method. The thermal property of both specimens shows that softening point appears to unchange by crosslinking, however, melting and liquidizing temperatures attain rapid increase at the imitiation of crosslinking. Mechanical properties show little difference to both specimens crosslinked by different method, further the behaviors were discussed in connection with the relaxation of molecular segments in amorphous phase. Dose dependent dielectric characteristics observed at ambient temperature under several fixed frequencies exhibit extremities at ca. 20 Mrad and the behaviors also were interpreted qualitatively by taking into consideration of dipole concentration change in amorphous phase together with the role of specimen geometry to the depth of oxidative layer. Observing frequency dependent dielectric characteristics, it was also proved that ionic conduction loss is appreciably greater in the specimen prepared by chemical method than that by radiation.
In order to investigate the effect and reliability coming up to properties of the matter due to the change of solid structure in dielectrics, the effect of dielectric characteristics for thermal treated LDPE film was made researches. Specimens of LDPE with thickness 100 [$\mu\textrm{m}$] were investigated into the change of solid structure by ageing. Thermal treated specimen were made, that were after applying heat at 100 [$^{\circ}C$] for 1 [hour] \circled1 air-cooled specimen slowly, \circled2 water-cooled specimen under the ,com temperature, \circled3 liquid nitrogen gas-cooled specimen rapidly. With specimen of thermal treated three types turn out and original, it was for dielectric characteristics to be experimented in the temperature range of 20~120 [$^{\circ}C$], frequency range of 30~1.5${\times}10^5/$[Hz], appling voltage from 300 to 1500[㎷]. Consequently, the degree of crystallinity was changed with 49~57 [%] according to the thermal treatment. In case of frequency, 100 [Hz], on the thermal dependance in dielectric characteristics, tan decreases due to cooling method.
The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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v.9
no.6
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pp.630-636
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2016
In this paper, a novel triple-mode cavity structure, designed for compactness and operating at 850 MHz, is analyzed. A cylindrical dielectric resonator is loaded into a metallic cylindrical cavity. Previous study has been focused on the analysis of the cylindrical dielectric resonator, but in this paper, the effect of the cylindrical metallic cavity has been analyzed. Enclosing the dielectric resonator inside the metallic cavity increases the resonant frequency of the dielectric resonator; however, this increases the quality factor and introduces the possibility of installing coupling screws. The principle of generation of triple-mode was investigated by parametric analysis. The generated triple-mode is TE011 mode and two orthogonally generated HEM121 modes. By adjusting the radius of the dielectric resonator, the height of the dielectric resonator, or the radius of the cylindrical metallic cavity, three modes could be coincided. However, the height of the metallic cavity keeps three modes separated. The mode characteristics of the proposed cavity are analyzed using a full-wave electromagnetic (EM) simulation. The proposed triple-mode cavity could be developed to triple-mode filter using a coupling screw, and the commercial application for the miniaturized filter below 1 GHz could be expected.
In this paper, reflectance and the dielectric characteristics for $P_2O_5-ZnO-BaO$ system and $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ system have been investigated as a function of contents of $TiO_2$. The reflectance was decreased with increasing the contents of $TiO_2$ and the reflectance of $P_2O_5-ZnO-BaO$ system was lowered than that of $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ system. The dielectric constant of $P_2O_5-ZnO-BaO$ system was higher than $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ system, and the dielectric constant in the both system was increased with increasing of $TiO_2$ contents. This can be explained as the space charge effects. These results are could be applied to the under plate dielectrics of PDP required high reflective ratio and breakdown strength.
In this paper, a 4H-SiC UMOSFET was studied which is suitable for high voltage and high current applications. In general, SiO2 is a material most commonly used as a gate dielectric material in SiC MOSFETs. However, since the dielectric constant value is 2.5 times lower than 4H-SiC, it suffers a high electric field and has poor characteristics in the SiO2/SiC junction. Therefore, the static characteristics of a device with high-k material as a gate dielectric and a device with SiO2 were compared using TCAD simulation. The results show BV decreased, VTH decreased, gm increased, and Ron decreased. Especially when the temperature is 300K, the Ron of Al2O3 and HfO2 decreases by 66.29% and 69.49%. and at 600K, Ron decreases by 39.71% and 49.88%, respectively. Thus, Al2O3 and HfO2 are suitable as gate dielectric materials for high voltage SiC MOSFET.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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