$CH_4/(C_2H_5O)_4Si/H_2$/Ar가스 혼합물을 출발 반응원료로 하여 플라즈마 화학기상증착법으로 Si 기판 위에 유사 다이아몬드 나노복합체(diamond-like nanocomposite, DLN) 박막을 증착하였다. 성장된 막의 화학구조와 미세구조를 확인하였으며 막의 마모특성을 평가하였다. 증착된 DLN 막은 다이아몬드와 유사한 a-C:H 구조와 실리카와 유사한 a-Si:O 구조가 네트워크 형태로 구성되어 있음을 확인하였으며 극도로 낮은 마모계수와 마모속도를 나타내어 내마모 코팅용 보호막으로 의 응용에 적합한 것으로 나타났다.
한국윤활학회 2002년도 proceedings of the second asia international conference on tribology
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pp.175-176
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2002
Our study is to search for tribological properties of diamond-like carbon (DLC) films as known as anti- wear hard thin film on various polymers. This report deals with the deposition of DLC films on various polymer substrates in vacuum by magnetron radio frequency (RF) sputtering method with using argon plasma and graphite, titanium target. The properties of friction and wear are measured using a ball-on-disk wear -testing machine. The properties of friction and wear have been remarkably improved by DLC coating. Moreover the composition of DLC films has been analyzed by using auger electron spectroscopy(AES). The wear rate of titanium-containing DLC film is lower than that of no-metal-containing DLC film.
In this study Diamond-like carbon (DLC) films were deposited on p-type Si substrates using a Radio-Frequency magnetron Sputtering system. The DLC film was deposited by bombarding graphite target with a N2/Ar plasma mixture with various conditions: substrate, pressure, deposition time, temperature of substrate, power and ratio of gas mixture. The effect on the conduction and hardness of DLC thin films were investigated. The conduction of DLC films were measured by I-V measurement. In addition, Raman analysis was performed to study the chemical bonding structure. The hardness was measured by Nano indentation. Atomic Force Microscopy was used for determined surface morphology of DLC film.
Diamond like carbon(DLC) thin films possesed not only marvelous material characteristics such as large thermal conductivity, high hardness and being chemically inert, but also possesed negative electron affinity (NEA) properties. The NEA is an extremely desirable property of the material used in microelestronics and vacuum microelestronics device. DLC films were fabricated by pulsed laser deposition(PLD). Theeffect of the laser energy density and the substrate temperature on the properies of DLC films was investigated. The experiment was accomplished at temperatures in the range of room temperature to $600^{\circ}C$. The laser energy density was in the range of 6 $J/cm^2$ to 16 $J/cm^2$.
Diamond thin films were deposited on Si wafer from a mixture of CE$_4$ and H$_2$ by RF Plasma CVD. The films were de77sited under the following conditions : discharge power of 500w, H$_2$ flow rate of 30sccm, chanter pressure of 20∼50Torr, and CH$_4$ concentration of 0.5∼2%. The deposition time was 30∼40 hours because of low growth rate. The deposited films were characterized by Scanning Electron Microscopy and X-ray Diffraction method.
We deposited diamond-like carbon (DLC) films using ion beam sputtering of a graphite target on flat substrates for use as a thin film field emitter. An n-type silicon wafer, titanium-coated silicon, and indium tin oxide (ITO) coated glass were used as a substrate. All films exhibited a sudden increase in the emission after a breakdown occurred at high voltage. The morphology of the films after the breakdown depended on the substrate. On ITO and Ti substrates, the DLC film peeled off upon breakdown, but on the Si substrate the surface melting due to breakdown resulted in the formation of various structures such as a sharp point, mound, and crater. By scanning the deformed surface with a tip anode, we found that the emission was concentrated at the deformed sites, indicating that the field enhancement due to the morphology change was responsible for the increased emission.
In this study, polycrystalline diamond was synthesized by chemical vapor deposition (CVD). Diamond films were deposited on a-plane sapphire substrates while changing the concentration of methane for hydrogen (CH4/H2), and the concentrations of methane were 0.25, 0.5, 1, 2, 3 and 4 vol%, respectively. Crystallinity and nucleation density according to changes in methane concentration were investigated. At this time, the discharge power, vacuum pressure, and deposition time were kept constant. In order to deposit polycrystalline diamond, the sapphire substrate was etched with sulfuric acid and hydrogen peroxide (ratio 3:7), and the sapphire surface was polished for 30 minutes with 100 nm-sized nanodiamond particles. The deposited diamond thin film was analyzed by a scanning electron microscope (SEM), a Raman spectra, Atomic force microscope (AFM) and an X-ray diffractometer (XRD). By controlling the ratio of methane to hydrogen and performing appropriate pre-treatment conditions, a polycrystalline diamond thin film having excellent crystallinity and nucleation density was obtained.
CO와 $H_2$의 탄소원을 사용한 마이크로파 플라즈마 화학기상증착 방법으로 SOD 구조에 적용될 양질의 다이아몬드 박막을 형성하였고, SOD 구조를 형성하기 위해 diamond/Si(100) 구조 위에 poly-Si 박막을 저압화학기상 증착법으로 제작하였다. CO/$H_2$탄소원의 유량비 증가에 따라 다이아몬드의 결정은 octahedron 구조에서 cubo-octahedron 구조로 바뀌었으며, 결정면은 {111}과 {100}으로 혼합되어 형성되었다. 비정질 carbon과 non-diamond성분이 없는 양질의 다이아몬드 박막은 CO/$H_2$의 유량비가 0.18일 때 형성되었으며, 주 결정상은 (111) 면이었다. diamond/Si(100) 계면은 void가 없는 평활한 계면을 이루었으며, 다이아몬드 박막의 유전상수, 누설전류와 비저항은 각각 $5.31\times10^{-9}A/cm^2$ 그리고 $9\times{10^7}{\Omega}cm$이었다.
RF-PECVD 방법을 이용하여 DLC(diamond-like carbon)박막을 메탄-수소 가스 혼합비 및 바이어스 전압에 따라 실리콘 웨이퍼 위에 증착하였다. DLC 박막의 결합구조적 특성 및 기계적 성질은 FT-IR, Raman, 그리고 nano-indenter를 이용하여 평가하였다. 혼합가스내 메탄의 유량과 바이어스 전압이 증가함에 따라 증착속도가 증가하였다. 박막내 탄소의 $sp^3/sp^2$ 결합비와 경도는 반응가스내 수소의 유량 및 바이어스 전압이 증가함에 따라 증가하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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