본 논문에서는 달팽이관의 정원창 이식용으로 최근 새롭게 제안된 3코일 벨로우즈형 진동체(tri-coil bellows transducer, TCBT)를 이용하는 반이식형 인공중이(semi-implantable middle ear hearing device)를 위한 신호처리회로를 설계하였다. 설계된 반이식형 인공중이는 높은 효율을 가지는 유도결합 방법을 이용하여 귀 뒤편에 착용되는 체외기와 대응되는 피부 내측에 위치하는 체내기 간에 데이터를 전송한다. 귀 뒤 부위의 피부두께를 포함하는 반이식형 인공중이의 송수신 거리를 고려하여 송수신 코일과 신호처리 회로를 설계 및 구현하였다. 또한 데이터 전송 효율을 높이기 위하여, 전력을 충분히 증폭하기 위한 체외기의 출력부도 설계 하였다. 유도결합 방식을 이용한 반이식형 인공중이의 동작을 확인하기 위하여, PSpice를 이용하여 회로해석을 수행하였으며, 활용 가능한 크기의 신호처리 보드를 제작하여 그 성능을 검증하였다.
Electrical properties of organic light-emitting diodes were studied in a device with 7,7,8,8-tetracyano-quinodimethane (TCNQ) to see how the TCNQ affects on the device performance. Since the TCNQ has a high electron affinity, it is used for a charge-transport and injection layer. We have made a reference device in a structure of ITO(170 nm)/TPD(40 nm)/$Alq_3$(60 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(100 nm). And two types of devices were manufactured. One type of device is the one made by doping 5 and 10 vol% of TCNQ to N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine (TPD) layer. And the other type is the one made with TCNQ layer inserted in between the ITO anode and TPD organic layer. Organic layers were formed by thermal evaporation at a pressure of $10^{-6}$ torr. It was found that for the TCNQ doped devices, turn-on voltage of the device was reduced by about 20 % and the current efficiency was improved by about three times near 6 V. And for devices with TCNQ layer inserted in between the ITO anode and TPD layer, it was found that the current efficiency was improved by more than three times even though there was not much change in turn-on voltage.
The organic electroluminescent(EL) device has gathered much interest because of its large potential in materials and simple device fabrication. We fabricated EL devices which have a blended single emitting layer containg poly(Nvinylcarbazole)[PVK] and poly(3-dodecylthiophene)[P3DoDT]. The molar ratio between P3DoDT and PVK changed with 1:0, 2:1 and 1:1. To improve the external quantum efficiency of EL devices, we applied insulating layer, LiF layer between polymer emitting layer and AI electrode. All of the devices emit orange-red light and it's can be explained that the energy transfer occurs from PVK to P3DoDT. Within the molar ratio 1:0, 2:1 and 1:1, the energy transfer was not saturated, which results in the not appearance of PVK emission in the blue region. In the voltage-current and voltage-light power characteristics of devices applied LiF layer, current and light power drastically increased with increasing with applied voltage. In the consequence of the result, the light power of the device have a molar ratio 1:1 with LiF layer was about 10 times larger than that of the device without PVK at 6V.
Chattopadhyay, S.N.;Overton, C.B.;Vetter, S.;Azadeh, M.;Olson, B.H.;Naga, N. El
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제10권3호
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pp.213-224
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2010
An optically controlled silicon MESFET (OPFET) was fabricated by diffusion process to enhance the quantum efficiency, which is the most important optoelectronic device performance usually affected by ion implantation process due to large number of process induced defects. The desired impurity distribution profile and the junction depth were obtained solely with diffusion, and etching processes monitored by atomic force microscope, spreading resistance profiling and C-V measurements. With this approach fabrication induced defects are reduced, leading to significantly improved performance. The fabricated OPFET devices showed proper I-V characteristics with desired pinch-off voltage and threshold voltage for normally-on devices. The peak photoresponsivity was obtained at 620 nm wavelength and the extracted external quantum efficiency from the photoresponse plot was found to be approximately 87.9%. This result is evidence of enhancement of device quantum efficiency fabricated by the diffusion process. It also supports the fact that the diffusion process is an extremely suitable process for fabrication of high performance optoelectronic devices. The maximum gain of OPFET at optical modulated signal was obtained at the frequency of 1 MHz with rise time and fall time approximately of 480 nS. The extracted transconductance shows the possible potential of device speed performance improvements for shorter gate length. The results support the use of a diffusion process for fabrication of high performance optoelectronic devices.
최근 기지국(Base Station)의 도움 없이 이동 단말기(Mobile Device) 간의 다중 무선 홉을 사용하여 송수신자 간의 데이타 전송을 가능하게 하는 Ad-hoc 통신망에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 현재 인터넷 상에서 광범위하게 사용되고 있는 전송 규약인 TCP(Transmission Control Protocol)는 수동적인 혼잡 제어(Reactive Congestion Control)방식을 사용하여 망의 혼잡으로 인한 패킷 손실 발생 이전까지 혼잡 윈도우의 크기를 증가시킨다. 따라서 반복적인 혼잡과 그로 인한 패킷 손실로 인해 재전송을 반복하게 된다. 이와 같이 기존 TCP는 Ad-hoc 통신망에서 동작하는 이동 단말의 한정된 배터리 전원을 고려하지 않고 동작하기 때문에 이동 단말의 에너지를 불필요하게 낭비하는 문제를 가지게 된다. 본 논문은 Ad-hoc 통신망에서 이동 단말의 에너지 효율을 개선하기 위해 불필요한 재전송 방지 및 망상태에 따라 전송률을 적절하게 조절하는 새로운 혼잡 제어 기법인 TCP-New Veno를 제안하였다. 제안한 TCP-New Veno는 이동 단말의 에너지 효율 및 대역폭의 사용률(Utilization)을 향상시킬 있도록 설계되었다. 또한 ns-2 시뮬레이터를 이용한 실험을 통해 제안한 TCP-New Veno에 의해 이동 단말의 에너지 효율이 향상되었음을 확인하였다.
전 세계적으로 환경오염 문제로 국제해사기구인 IMO(International Maritime Organization)에서는 이산화탄소 배출량과 관련된 지수인 EEDI(Energy Efficiency Design Index)를 만들어 새로 건조되는 선박들에 대한 규제를 적용하고 있다. 본 연구에서는 158k 원유운반선의 선형과 프로펠러 후류를 분석하여 새로운 형태의 에너지 저감 장치인 ring stator를 제안하였다. 최근의 선박들은 반류가 적은 즉 선미부 유속이 빠른 경향으로 발전되고 있어 덕트가 포함된 ESD(Energy Saving Device)는 저속비대선이라도 컨테이너선처럼 적용하기가 어렵다. 본 연구에서 제안한 ring stator는 이러한 점을 고려하여 새로이 개발된 장치로써 자항 성능 향상 뿐 아니라 저항 성능의 최소화를 목표로 설계를 진행하였다. Star-CCM+의 상용 프로그램을 활용하여 CFD 해석을 통해 설계한 ring stator의 성능을 확인하였고 최종 제시한 설계안에 대해 약 3.4 %의 추진 효율 개선 효과가 있음을 확인하였다. 설계된 ring stator에 대한 실험과의 비교 등을 통해 성능 검증 및 보다 정도 높은 최적화에 대한 연구를 추후 수행할 계획이다.
In this paper, we present parameter optimization technique for GaAs/AlGaAs multiple quantum well avalanche photodiodes used for image capture mechanism in high-definition system. Even under flawless environment in semiconductor manufacturing process, random variation in process parameters can bring the fluctuation to device performance. The precise modeling for this variation is thus required for accurate prediction of device performance. The precise modeling for this variation is thus required for accurate prediction of device performance. This paper will first use experimental design and neural networks to model the nonlinear relationship between device process parameters and device performance parameters. The derived model was then put into genetic algorithms to acquire optimized device process parameters. From the optimized technique, we can predict device performance before high-volume manufacturign, and also increase production efficiency.
GaN 전력증폭소자를 이용한 전력증폭기의 고효율 특성을 구현하기 위하여 $50{\Omega}$으로 정합된 전력증폭소자는 적용 주파수 대역, 출력전력, 효율 특성 선정의 한계가 있으므로 본 연구에서는 source/load-pull 시험을 통한 측정 데이터를 기반으로 고출력, 고효율 특성의 설계 목적에 맞는 정량적 입력 및 출력 임피던스를 추출하여 고효율 전력증폭기를 구현하였다. 구현된 전력증폭기는 2.7-3.1GHz의 주파수 대역에서 25watt(44dBm), 66-76%의 PAE특성 나타낸다.
A new information society of late has arrived by the rapid development of various information & communications technologies. Accordingly, mobile devices which are light and thin, easy and convenient to carry on the market. Also, the requirements for the larger television sets such as fast response speed, low-cost electric power, wider visual angle display are sufficiently satisfied. The currently most widely studied display material, the Organic Light-emitting Diodes(OLEDs) overwhelms the Liquid Crystal Display(LCD), the main occupier of the market. This new material features a response speed of more than a thousand times faster, no need of backlight, a low driving voltage, and no limit of view angle. And the OLEDs has high luminance efficiency and excellent durability and environment resistance, quite different from the inorganic LED light source. The OLEDs with simple device structure and easy produce can be manufactured in various shapes such as a point light source, a linear light source, a surface light source. This will surely dominate the market for the next generation lighting and display device. The new display utilizes not the glass substrate but the plastic one, resulting in the thin and flexible substrate that can be curved and flattened out as needed. In this paper, OLEDs device was produced by changing thickness of Teflon-AF of hole injection material layer. And as for the electrical properties, the four layer device of ITO/TPD/$Alq_3$/BCP/LiF/Al and the five layer device of ITO/Teflon AF/TPD/$Alq_3$/BCP/Lif/Al were studied experimentally.
RFID는 항만 물류의 효율성을 높일 수 있는 기술로 주목을 받고 있다. 특히 컨테이너 용 e-Seal 등 능동형 RFID 기술에 대한 관심이 높다. 그런데 능동형 RFID 뿐 아니라 수동형 RFID나 전통적인 바코드 시스템을 복합사용하면 전체 항만 물류 처리과정의 효율을 증대시킬 수 있다. 그러나 각 RFID 리더 및 인식 장치에 종속적인 다양한 제어 인터페이스로 인해 복합사용 환경 구축에 많은 어려움을 겪고 있다. 본 논문은 Smart Reader Interface라는 장치 독립적인 공통의 인터페이스를 통해 다양한 RFID 리더 및 인식 장치를 제어 할 수 있는 RFID 미들웨어를 설계하였다. 우리는 관련 표준, 처리의 효율성, 새로운 리더 추가에 대한 확장성 등을 주요 고려 사항으로 설계에 반영하였다. 설계 결과를 바탕으로 실제 다양한 상용 RFID 리더를 지원하도록 시스템을 구현하였다. 실험실 환경 뿐 아니라 실제 광양항 컨테이너 부두에서 실시한 실험을 통해 개발한 시스템의 실용성을 검증하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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