Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
/
2000.05a
/
pp.442-446
/
2000
The metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET) has undergone many changes in the last decade in response to the constant demand for increased speed, decreased power, and increased parking density. Therefore, it was interested in scaling theory, and full-band Monte Carlo device simulator has been used to study the effects of device scaling on hot carriers in different MOSFET structures. MOSFET structures investigated in this study include a conventional MOSFET with a single source/drain, implant a lightly-doped drain(LDD) MOSFET, and a MOSFET built on an epitaxial layer(EPI) of a heavily-doped ground plane, and those are analyzed using TCAD(Technology Computer Aided Design) for scaling and simulation. The scaling has used a constant-voltage scaling method, and we have presented MOSFET´s characteristics such as I-V characteristic, impact ionization, electric field and recognized usefulness of TCAD, providing a physical basis for understanding how they relate to scaling.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
/
v.4
no.1
/
pp.18-26
/
2004
Back-gated silicon-on-insulator MOSFET -a threshold-voltage adjustable device-employs a constant back-gate potential to terminate source-drain electric fields and to provide carrier confinement in the channel. This suppresses shortchannel effects of nano-scale and of high drain biases, while allowing a means to threshold voltage control. We report here a theoretical analysis of this geometry to identify its natural length scales, and correlate the theoretical results with experimental device measurements. We also analyze experimental electrical characteristics for misaligned back-gate geometries to evaluate the influence on transport behavior from the device electrostatics due to the structure and position of the back-gate. The backgate structure also operates as a floating-gate nonvolatile memory (NVRAM) when the back-gate is floating. We summarize experimental and theoretical results that show the nano-scale scaling advantages of this structure over the traditional front floating-gate NVRAM.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
/
v.4
no.3
/
pp.228-239
/
2004
In this paper, an analytical model accounting for the quantum effects in MOSFETs has been developed to study the behaviour of $high-{\kappa}$ dielectrics and to calculate the threshold voltage of the device considering two dielectrics gate stack. The effect of variation in gate stack thickness and permittivity on surface potential, inversion layer charge density, threshold voltage, and $I_D-V_D$ characteristics have also been studied. This work aims at presenting a relation between the physical gate dielectric thickness, dielectric constant and substrate doping concentration to achieve targeted threshold voltage, together with minimizing the effect of gate tunneling current. The results so obtained are compared with the available simulated data and the other models available in the literature and show good agreement.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
/
v.11C
no.3
/
pp.70-74
/
2001
Admittance or impedance spectroscopy is one of the powerful tools to study dielectric relaxation and loss processes in organic and inorganic materials. In this study, the frequency dependent properties of an indium tin oxide/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum($Alq_3$)/aluminum structure have been studied. The conductance of the $Alq_3$ film increases with the DC applied voltage up to 4V and decreases above 4V in the low frequency region. This indicates that the resistance of the device decreases with the applied bias due to the carrier injection enhancement, thereafter the injected carriers form the space charge and the additional injection of carriers is prevented. The Cole-Cole plot of the admittance takes a one-semicircle shape, which means that the device can be modeled as a parallel resistor-capacitor network. The resistance and capacitance were estimated as 8.62k${\Omega}$ and 2.7nF, respectively, at 3V in the low frequency region. The dielectric constant ( ${\epsilon}'$ ) of the $Alq_3$ film is independent of the frequency in the low frequency region below 100kHz, while the frequency dependency was observed at above 100kHz. The dielectric loss factor ( ${\epsilon}"$ ) of the $Alq_3$ film shows the dielectric dispersion below 100kHz and dielectric absorption in higher frequency domain. The dispersion is thought to be related to the hopping process of the carriers. The ${\epsilon}"$ is proportional to the reciprocal of the frequency. The dielectric relaxation time was extracted to about 0.318${\mu}s$ from the dielectric absorption spectrum.
IEIE Transactions on Smart Processing and Computing
/
v.3
no.4
/
pp.221-225
/
2014
Low power RF devices, such as RFID and Zigbee, are important for ubiquitous sensing. These devices, however, are powered by portable energy sources, such as batteries, which limits their use. To mitigate this problem, this study developed RF energy harvesting with W-CDMA for a low power RF device. Diodes are required with a low turn on voltage because the diode threshold is larger than the received peak voltage of the rectifying antenna (rectenna). Therefore, a Schottky diode HSMS-286 was used. A prototype of RF energy harvesting device showed the maximum gain of 5.8dBi for the W-CDMA signal. The 16 patch antennas were manufactured with a 10 dielectric constant PTFT board. In low power RF devices, the transmitter requires a step-up voltage of 2.5~5V with up to 35 mA. To meet this requirement, the Texas Instruments TPS61220 was used as a low input voltage step-up converter. From the evaluated result, the achievable incident power of the rectenna at 926mV to operate Zigbee can be obtained within a distance of 12m.
Journal of Institute of Control, Robotics and Systems
/
v.21
no.6
/
pp.553-559
/
2015
The purpose of this research is to develop a gait assistive device to enhance the gait stability and training efficiency of stroke patients. The configuration of this device is mainly composed of a motored wheel and a single cane whose lower end is attached to a motored wheel frame. A patient can feel haptic information from continuous ground contact from the wheel while walking through the grip handle. In addition, the wheeled cane can avoid using excessive use of the patient's upper limb for weight support and motivate the patient to use a paralyzed lower limb more actively. Moreover, the proposed device can provide intuitive and safe user interaction by integrating a force sensor and a tilt sensor equipped to the cane frame, and a switch sensor at the cane's handle. The admittance control has been implemented for the patient to change the walking speed intuitively by using the interaction forces at the handle. A hemi-paretic stroke patient participated in the walking assistive experiments as a pilot study to verify the effectiveness of the proposed haptic cane system. The results showed that the patient could improve walking speed and muscle activations during walking with a constant speed mode of the haptic cane. Moreover, the patient could maintain the preferred walking speeds and gait stability regardless of the magnitude of resistance forces with the admittance control mode of the haptic cane. The proposed robotic gait assistive device with a simple and intuitive mechanism can provide efficient gait training modes to stroke patients with high possibilities of widespread utilizations.
Park, Yong-Hwa;You, Jang-Woo;Park, Chang-Young;Yoon, Heesun
Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
/
2013.10a
/
pp.763-764
/
2013
A three-dimensional image capturing device and its signal processing algorithm and apparatus are presented. Three dimensional information is one of emerging differentiators that provides consumers with more realistic and immersive experiences in user interface, game, 3D-virtual reality, and 3D display. It has the depth information of a scene together with conventional color image so that full-information of real life that human eyes experience can be captured, recorded and reproduced. 20 Mega-Hertz-switching high speed image shutter device for 3D image capturing and its application to system prototype are presented[1,2]. For 3D image capturing, the system utilizes Time-of-Flight (TOF) principle by means of 20MHz high-speed micro-optical image modulator, so called 'optical resonator'. The high speed image modulation is obtained using the electro-optic operation of the multi-layer stacked structure having diffractive mirrors and optical resonance cavity which maximizes the magnitude of optical modulation[3,4]. The optical resonator is specially designed and fabricated realizing low resistance-capacitance cell structures having small RC-time constant. The optical shutter is positioned in front of a standard high resolution CMOS image sensor and modulates the IR image reflected from the object to capture a depth image (Figure 1). Suggested novel optical resonator enables capturing of a full HD depth image with depth accuracy of mm-scale, which is the largest depth image resolution among the-state-of-the-arts, which have been limited up to VGA. The 3D camera prototype realizes color/depth concurrent sensing optical architecture to capture 14Mp color and full HD depth images, simultaneously (Figure 2,3). The resulting high definition color/depth image and its capturing device have crucial impact on 3D business eco-system in IT industry especially as 3D image sensing means in the fields of 3D camera, gesture recognition, user interface, and 3D display. This paper presents MEMS-based optical resonator design, fabrication, 3D camera system prototype and signal processing algorithms.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
/
v.11
no.3
/
pp.22-26
/
1974
The effects of anisotropic mechanical stress applied normal to the surface of p-n junctions have been investigated. As the stress increased, the breakdown voltage was decreased and the breakdown mode became softer. Within a certain limitation in the applied stress, the above phenomena werw reversibbe, though relaxation and hysteresis phenomena were observed. The time constant of relaxation depended upon the shape of the stressing tip, but for the given tip and device a unique time constant was obtained. The stress.dependence of breakdown voltage showed a good linearity up to about 3.0${\times}10^4$ kgw/$\textrm{cm}^2$, when the flat tip of radius 15$\mu$ was used, and the temperatere-dependence of breakdown voltage under the stress also showed a good linearity in the temperature range of 100 to $300^{\circ}K$.
Meta1-ferroelectric-insulator-semiconductor(MFIS) devices using Pt/LiNbO$_{3}$/AIN/Si structure were successfully fabricated. AIN thin films were made into metal-insulator-semiconductor(MIS) devices by evaporating aluminum in a dot array on the film surface. The dielectric constant of the AIN film calculated from the capacitance in the accumulation region in the capacitance-voltage(C-V ) characteristic is 8. The gate leakage current density of MIS devices using a aluminum electrode showed the least value of 1$\times$10$^{-8A}$$\textrm{cm}^2$ order at the electric field of 500㎸/cm. A typica] value of the dielectric constant of MFIS device was about 23 derived from 1MHz capacitance-voltage (C-V) measurement and the resistivity of the film at the field of 500㎸/cm was about 5.6$\times$ 10$^{13}$$\Omega$.cmcm
Characteristics of fruit tree canopies are important target information for adjusting the pesticide application rate in variable rate spraying in orchards. Therefore, the target detection of the canopy characteristics is very important. In this study, a canopy volume measurement method for peach trees was presented and a variable rate spraying system based on canopy volume measurement was developed using the ultrasonic sensing, one of the most effective target detection method. Ten ultrasonic sensors and two flow control units were mounted on the orchard air-assisted sprayer. The ultrasonic sensors were used to detect the canopy diameters and the flow controls were used to modify the flow rate of the nozzles in real time. Two treatments were established: a constant application rate of $300Lha^{-1}$ was set as the control treatment for the comparison with the variable rate application at a $0.095Lm^{-3}$ canopy. The tracer deposition at different parts of peach trees and the tracer losses to the ground (between rows and within rows) were analyzed in detail under constant rate and variable rate application. The results showed that there were no significant differences between two treatments in the liquid distribution and the capability to reach the inner parts of the crop canopies.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.