The problem of a semi-infinite magneto-electro-elastically impermeable mode-III crack in a magneto-electro-elastic material is considered under the action of impact loads. For the case when a pair of concentrated anti-plane shear impacts, electric displacement and magnetic induction impacts are exerted symmetrically on the upper and lower surfaces of the crack, the magneto-electro-elastic field ahead of the crack tip is determined in explicit form. The dynamic intensity factors and dynamic energy density factor are obtained. The method adopted is to reduce the mixed initial-boundary value problem, by using the Laplace and Fourier transforms, into three simultaneous dual integral equations, one of which is converted into an Abel's integral equation and the others into a singular integral equation with Cauchy kernel. Based on the obtained fundamental solutions of point impact loads, the solutions of two kinds of different loading cases are evaluated by integration. For some particular cases, the present results reduce to the previous results.
rate equation을 사용하여 DH Laser Diode에서 나타나는 전기적 포화현상이 이론적으로 설명되었다. Carrier density는 threshold 이후에 서서히 ns에 접근해가며 이론적으로 계산된 곡선과 예측된 ΔVj는 전에 보고된 실험결과를 정확히 설명한 수 있음이 입증되었다. carrier saturation factor kβ를 제안하였으며 kβ는 L.D의 이상성을 결정하는 중요한 factor 임이 설명되었다. kβ와 β와의 관계를 통해 β가 작으면 작을수록 diode의 특성은 이상적 diode에 가까와짐이 밟혀졌다.
Vascular endothelial cells (EGs) are usually difficult to culture to culture in a large scale because of their complicated requirements for cell growth. As the vascular endothelial growth factor (VEGF) is a key growth factor in the EC culture, we transfected human umbilical vein endothelial cells (HUVEC) using a plasmid containing VEGF gene and let them grow in a culture medium eliminated an important supplement, endothelail cell growth supplement(ECGS). The expression of VEGF by HUVEC tansfected with Vegf GENE was not enough to stimulate the growth of HUVEC, only 40% of maximum cell density obtainable in the presence of ECGS. However, when the culture medium was supplied with 2.5 ng/ml of basic fibroblast growth factor (bFGF), a synergistic effect effect of VEGE and bFGF was observed. In this case, the final cell density was recovered was recovered up to about 78% of maxium value.
0.91 (PSN-PZT) -0.05BF -0.04PNW+0.3wt%MnO$_2$+0.6wt%CuO+xwt%CeO$_2$ ceramics were fabricated with the variations of CeO$_2$addition at the sintering temperature of 95$0^{\circ}C$ and their microstructure, dielectric and piezoelectric characteristics were investigated. As the amount of CeO$_2$ addition increased, the grain size, density and electromechanical coupling factor(k$_{p}$) were increased and the mechanical quality factor(Q$_{m}$ ) was decreased. At the 0.3 wt% CeO$_2$, the density, grain size, electromechanical coupling factor(k$_{p}$), and pizoelectric constants(d$_{33}$, g$_{33}$) showed the maximum value of 7.87 g/㎤, 3.22 $\mu\textrm{m}$, 0.5, 289 pC/N, and 22.2 ㎷ㆍm/N, respectively. However, mechanical quality factor(Q$_{m}$ ) showed the minimum value of 807 at the 0.5 wt% CeO$_2$.$.EX>.EX>.
In this study, (0.96 -x)(PSN-PZT)-xBF-0.04 PNW+0.3wt%MnO$_2$+0.6wt%CuO ceramics were fabricated with the variations of the amount of BiFeO$_3$substitution and sintering temperature for the development of modified ceramics which can be sintered in the low temperature($\leq$100$0^{\circ}C$ ), and their microstructural, dielectric and piezoelectric characteristics were investigated. As the amount of BiFeO$_3$ substitution was increased, the density, mechanical quality factor(Q$_{m}$) and electromechanical coupling factor(k$_{p}$) showed the maximum value at each of sintering temperature. At sintering temperature of 98$0^{\circ}C$ and BiFeO$_3$substitution of 2 mol%, the density, dielectric constant and electromechanical coupling factor(k$_{p}$) showed the maximum value of 7.84 g/㎤, 1415 and 0.49, respectively. And at sintering temperature of 95$0^{\circ}C$ and BiFeO$_3$substitution of 3mol%, mechanical quality factor showed the maximum value of 1062. 1062.
[ $0.91(PSN-PZT)-0.05BF-0.04PNW+0.3wt%MnO_2+0.6wt%CuO+xwt%CeO_2$ ] ceramics were fabricated with the variations of $CeO_2$ addition at the sintering temperature of $950^{\circ}C$ and their microstructure and dielectric and piezoelectric characteristics were investigated. As the amount of $CeO_2$ addition increased, the grain size, density and electromechanical coupling factor(kp) were increased and the mechanical quality factor(Qm) was decreased. At the $0.3wt%CeO_2$, density, grain size and electromechanical factor(kp) showed the maximum value of $7.87g/cm^3$, $3.22{\mu}m$ and 0.5, respectively. However, mechanical quality factor(Qm) showed the minimum value of 807 at the $0.5wt%CeO_2$.
The steady state close-contact melting phenomenon occurring between a phase change material and an isothermally heated flat plate with relative motion is investigated analytically, in which the effects of vertical convection in the liquid film and solid-liquid density difference are incorporated simultaneously. Not only the scale analysis is conducted to estimate a priori qualitative dependence of system variables on characteristic parameters, but also an analytical solution to a set of simplified model equations is obtained to specify the effects under consideration. These two results are consistent with each other, in that the vertical convection affects both the solid descending velocity and the film thickness, and that the density difference alters only the solid descending velocity. While the effect of vertical convection can be characterized conveniently by a newly introduced temperature gradient factor which asymptotically approaches the unity/zero with decreasing/increasing the Stefan number, that of density difference is represented by the liquid-to-solid density ratio. It is shown that the solid descending velocity depends linearly on the density ratio, and that the ratios of solid descending velocity, film thickness and friction coefficient to the conduction solution are proportional to 3/4, 1/4 and -1/4 powers of the temperature gradient factor, respectively. Also, established is the fact that the effect of convection can be legitimately neglected in the analysis for the range of the Stefan number less than 0.1.
본 연구는 직물구조 디자인의 데이터 베이스에 대한 기초 연구를 수행한다. 이를 위해서 소모직물과 면직물들의 직물밀도계수가 월츠 교수와 피카놀 회사에서 제안된 커버팩터와 관련시켜 분석되고 토의된다. 또한 소모직물과 면직물의 직물밀도계수와 커버팩터와의 관계가 직물조직과 실의 번수에 따라 분석 토의된다. 끝으로 이들 천연직물들의 염색 가공공정에서의 공정수축률이 직물밀도계수와 함께 직물구조 디자인의 데이터베이스 시스템의 예비 연구로서 분석 토의된다. 그 결과는 소모직물과 면직물의 밀도계수, K 값은 600에서 1000까지 분포하였으며 이들 직물들의 직물밀도계수는 0.4에서 0.8 그리고 0.2에서 1.0의 범위에서 각각 분포하였다. 모직물의 가공축은 2%에서 10% 그리고 면직물의 가공축은 2%에서 20%까지 분포하였다. 그리고 모직물과 면직물의 직물밀도계수는 직물구조디자인에 대한 데이터 베이스의 개념으로서 직기와 직물구조 그리고 직축과 가공축에 따라서 분포됨을 보여주었다.
Hwang, Yoonjung;Lim, Ye Seul;Lee, Byung-Seok;Park, Young-Il;Lee, Doh-Kwon
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.471.2-471.2
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2014
We demonstrate here that an improvement in precursor film density (green density) leads to a great enhancement in the photovoltaic performance of CuInSe2 (CISe) thin film solar cells fabricated with Cu-In nanoparticle precursor films via chemical solution deposition. A cold-isostatic pressing (CIP) technique was applied to uniformly compress the precursor film over the entire surface (measuring 3~4 cm2) and was found to increase its relative density (particle packing density) by ca. 20%, which resulted in an appreciable improvement in the microstructural features of the sintered CISe film in terms of lower porosity, reduced grain boundaries, and a more uniform surface morphology. The low-bandgap (Eg=1.0 eV) CISe PV devices with the CIP-treated film exhibited greatly enhanced open-circuit voltage (VOC, from 0.265 V to 0.413 V) and fill factor (FF, from 0.34 to 0.55), as compared to the control devices. As a consequence, an almost 3-fold increase in the average power conversion efficiency, 3.0 to 8.2% (with the highest value of 9.02%), was realized without an anti-reflection coating. A diode analysis revealed that the enhanced VOC and FF were essentially attributed to the reduced reverse saturation current density (j0) and diode ideality factor (n). This is associated with the suppressed recombination, likely due to the reduction in recombination sites such as grain/air surfaces (pores), inter-granular interfaces, and defective CISe/CdS junctions in the CIP-treated device. From the temperature dependences of VOC, it was confirmed that the CIP-treated devices suffer less from interface recombination.
The symbiotic properties of arbuscular mycorrhizal fungi(AMF) such as the absence and/or presence of symbiosis, spore density, and six factors of phycochemical properties of soil were investigated in the rhizosphere of seven sand dune plants and three control plants around Kum river. The infection of AMF was confirmed in all plants. Three genera, nine species of the AMF spores were identified in the sand dune; Ac. scrobiculata, G. aggregatum, G. convolutum, G. diaphanum, G. dimophicum, G. geosporum, G. vesiculiferum, G. tortuosum, S. pachycaulis. All of them were also found in the control, but S. pachycaulis were only separated in the sand dune. In the control, three genera, four species were identified; G. flavisporum, Gi. margarita, Sc. gregaria. Sc. persica. The species specificity was not found between the sand dune plant and AMF. However, the AMF was thought to be correlated with the soil factors. The spore density was stimulated with increase of the organic matter and the nitrogen content, but inhibited with the water content and the phosphorus content. In respect of the seasonal factor, the spore density was increased in the late growth period of plants.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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