The ionization energy and degree of ionization for Si and Ge with boron doping are calculated. The hole mobilities are then calculated as a function of doping concentration using the relaxation time approximation. When the screening effect is taken into account, the reduction of ionization energy results in the increase of degree of ionization. As a result, the calculated Si mobility becomes closer to the experimental data, whereas the calculated Ge mobility is almost independent of the screening effect. The inclusion of the broadening effect in the mobility calculation overestimates the ionized impurity scattering. As compared with the experiment, the screening effect is not avoidable to calculate Si and Ge mobilities, and the broadening effect must accompany with the hopping process.
In this study, we aimed to determine the optical properties of the plasma used for the dry cleaning method. The optical properties of the atmospheric pressure plasma device were measured through the degree of ionization of hydrogen or nitrogen gas by ionized atmospheric gas. The degree of ionization of hydrogen or nitrogen is closely associated with surface modification. We observed through our experiments that argon gas, an atmospheric gas, caused an increase in the ionization of nitrogen gas, which has similar ionization energy. This type of increase in nitrogen gas ions is believed to affect surface modification. The results of our study show that the pressure of argon gas and the partial pressure of argon and nitrogen gases lead to different results. This important result shows that argon ions can affect the ionization of nitrogen gas.
이 연구에서는 1945년 교수요목기의 교과서부터 2009 개정 교육과정 화학II 교과서까지 수용액에서 강산의 이온화도에 대한 내용을 분석하고, 현직 화학 교사 50명을 대상으로 수용액에서 강산의 화학종에 대한 인식과 이온화도를 고려하였을 때의 인식 차이를 알아보는 설문과 면담을 실시하였다. 연구 결과, 우리나라 교사들은 교과서에 제시된 이온화도 값을 근거로 강산의 수용액 안에 존재하는 화학종에 대한 생각을 하고 있었으며, 강산의 정의와 교과서에 제시된 이온화도 값이 서로 일치하지 않은 문제를 생각하지 못하거나, 문제를 인식하는 경우에도 그에 대한 해결을 하지 못한 것으로 나타났다.
방사선 치료분야에서 인체에 조사되는 방사선 양은 수 ${\sim}$ 수 십 Gy로 매우 높기 때문에 항상 정확히 다루어져야 한다. 본 논문의 실험을 위해 전리함(ionization chamber)이 사용되었다. 품질관리프로토콜 (quality assurance protocol) 없이 사용되는 전리함의 상태를 파악하고, 전리함의 본래 기하학적 구조가 변형되었을 때 변화된 값을 측정하였다. 지두형 전리함의 집전극 휨 정도를 알아내기 위해 방사선 투시장치와 CT 3차원 영상으로 재구성하여 휨 정도를 정량화 하였다. 그리고 기하학적 구조가 정상적인 전리함과 측정값을 비교하여 그 값의 왜곡정도를 알아보았고, 선량측정은 4MV, 10MV photon 두 종류를 같은 선량과 선량율로 하였다. 집전극이 휘어진 전리함의 흡수선량의 왜곡정도는 대략 $5.5{\sim}7.2%$ 정도 값 이었으며 에너지에 대한 차이는 거의 없었다. 본 연구를 통해 전리함의 기하학적 구조가 시간 경과, 장비의 취급 부주위 등에 따라 변형 될 수 있고, 특히 집전극의 휨 현상이 발생할 수 있다는 것을 알았다. 또한 평소에 인지하지 못하는 곳에서도 많은 왜곡과 오차를 만들어 낼 수 있다는 것을 확인 할 수 있었다.
The ionization degree of hydrogen is crucial in the physics of the plasma in the solar chromosphere. It specifically limits the range of plasma temperatures that can be determined from the Hα line. Given that the chromosphere greatly deviates from the local thermodynamic equilibrium (LTE) condition, precise determinations of hydrogen ionization require the solving of the full set of non-LTE radiative transfer equations throughout the atmosphere, which is usually a formidable task. In many cases, it is still necessary to obtain a quick estimate of hydrogen ionization without having to solve for the non-LTE radiative transfer. Here, we present a simple method to meet this need. We adopt the assumption that the photoionizing radiation field changes little over time, even if physical conditions change locally. With this assumption, the photoionization rate can be obtained from a published atmosphere model and can be used to determine the degree of hydrogen ionization when the temperature and electron density are specified. The application of our method indicates that in the chromospheric environment, plasma features contain more than 10% neutral hydrogen at temperatures lower than 17,000 K but less than 1% neutral hydrogen at temperatures higher than 23,000 K, implying that the hydrogen temperature determined from the Hα line is physically plausible if it is lower than 20,000 K, but may not be real, if it is higher than 25,000 K. We conclude that our method can be readily exploited to obtain a quick estimate of hydrogen ionization in plasma features in the solar chromosphere.
적외선 분광법을 이용하여 하부상의 다양한 pH(3~11) 변화 및 금속이온($Na^+$, $Ca^{2+}$, $La^{3+}$) 존재에 따른 perfluorostearic acid(PFS)의 이온화 거동에 관한 연구를 수행하였다. Langmuir-Blodgett (LB) 수조의 하부상에 존재하는 pH 변화 및 금속이온의 종류에 따른 PFS의 -COOH의 C = O 신축진동 피크와 $COO^-$ 피크의 이동 및 강도의 변화를 관찰한 결과 하부상 수용액의 pH가 같은 경우에는 PFS의 -COOH 그룹의 C = O 피크 세기의 감소가 $La^{3+}$ > $Ca^{2+}$ > $Na^+$의 순으로 나타났다. 이는 PFS에 대한 친화도가 $La^{3+}$가 가장 크며, $Ca^{2+}$ 및 $Na^+$의 순서로 감소한다는 것을 알 수 있다. 또한 증류수 하부상에서 생성된 perfluorostearate 이온의 몰분율을 측정한 IR 스펙트럼으로부터 계산한 결과 약 pH 3의 낮은 pH 값에서도 50% 이상의 perfluorostearate 이온이 생성되는 것을 관찰하였으며, 이러한 결과는 PFS의 이온화도가 stearic acid (SA)보다 높은 것을 나타낸다.
Kim, K.H.;Jang, H.G.;Han, S.;Choi, S.C.;Choi, D.J.;Jung, H.J.;Koh, S.K.
한국표면공학회지
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제29권5호
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pp.570-576
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1996
Cu films for future ULSI metallization were prepared by partially ionized beam (PIB) deposition and characterized in terms of preferred orientation, grain size, roughness and resistivity. PIB-Cu films were prepared on Si (100) at pressure of $8 \times 10^{-7}$~$1 \times 10^{-6}$ Torr. Effects of acceleration voltage and ionization potential on the properties of PIB-Cu films have been investigated. As the acceleration voltage increased at constant ionization potential of 400 V, the degree of preferred orientation and surface smoothness of the Cu film increased. At the ionization potential of 450 V, the degree of preferred orientation at the acceleration voltage higher than 2 kV decreased and surface roughness increased with acceleration voltage. Grain size of Cu films increased to 1100 $\AA$ initially up to applied acceleration voltage of 1 kV, above which a little increase occurred with the acceleration voltage. There was no indication of impurities such as C, O in all sample. Resistivity of Cu film had the same trends as the surface roughness with acceleration voltage and ionization potential. The increase of electrical resistivity of PIB-Cu films was explained in terms of grain size and surface roughness
수소와의 충돌에 의한 전하교환은 천체플라즈마의 물리적 특성에 매우 중요한 영향을 미친다. 이 논문에서는 탄소, 질소 및 산소에 대해 전하교환(charge exchange)을 고려하여 약 1,000--80,000K의 온도에서의 충돌이온화평형(collisional ionization equilibrium)상태를 연구하였다. 온도에 따른 이온함량비(ionic abundance fraction)를 기존의 전하교환을 고려하지 않은 경우와 비교하였다. 이 논문에서 계산된 이온함량비는 충돌이온화평형상태의 중온성간물질(warm interstellar medium, $T{\sim}10^4K$)의 분광학적인 특성을 이해하는데 사용될 수 있다. 또한, 산소의 이온화정도(degree of ionization)와 수소의 이온화정도의 비율이 충돌이온화가 중요하지 않은 경우에 잘 알려진 값과 많은 차이가 있음을 발견하였다. 이 차이는 중온성간물질에서의 충돌이온화에 대한 연구가 필요함을 의미한다.
The ionization energy and degree of ionization for p-type $Si_{1-x}Ge_x$ with boron doping are calculated taking into account the screening and broadening effects. The drift and Hall mobilities are then calculated using the relaxation time approximation and compared with the previously reported measurement data for relaxed and strained $Si_{1-x}Ge_x$ alloys to estimate the alloy scattering potential. From a fit, the alloy scattering potential is found to be 0.5 eV. The in-plane drift mobility for p-type strained $Si_{1-x}Ge_x$ grown on (001) Si substrate is approximately 1+$10x^2$ times higher than that for bulk Si in the high doping range.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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