• 대한간호
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• 제19권5호통권108호
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• pp.39-49
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• 1980

The survey was performed with supervisor nurse at 30 general hospitals which had a system in concerning about supervisor nurse in seoul from Nov. 15 to Dec. 2, 1979. The findings as follows; 1. Age distribution of the subjects were from 25 to 65, most of

• Journal of Chest Surgery
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• 제16권1호
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• pp.121-126
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• 1983

8 cases of the esophageal perforations were treated at the department of thoracic surgery, Chungnam National University Hospital during the period from July, 1980 to Dec., 1982. The causes of the perforation were various; swallowed a piece of glass, stocking pin, coiled wire, compressed air blow, strenuous vomiting, dog bite, tiller accident, and endoscopic procedure. The perforation sites were cervical esophagus in 3 cases, upper thoracic in 2 cases and lower thoracic in remains. We have performed following surgical procedure; Incision and drainage for cervical abscess, closed thoracostomy, thoracotomy and debridement, esophagoscopy and gastrostomy. Two cases were died. The causes of death were massive bleeding and sepsis.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.543-545
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• 2009

With injection-type source delivery system of atomic layer deposition (ALD), bottom-contact and bottom-gate thin-film transistors (TFTs) were fabricated with a poly-4-vinyphenol polymeric dielectric for the first time. The properties of the ZnO TFT were greatly influenced by the device structure and the process conditions. The zinc oxide TFTs exhibited a channel mobility of 0.43 $cm^2$/Vs, a threshold voltage of 0.85 V, a subthreshold slope of 3.30 V/dec, and an on-to-off current ratio of above $10^6$ with solid saturation.

• 디지털콘텐츠
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• 7호통권86호
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• pp.70-73
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• 2000

1Kbit DRAM, 최초의 마이크로프로세서 Intel 4004가 1970년대 처음으로 세상에 나온지 약 30년이 경과되었다. 4004는 4비트 프로세서로 집적 트랜지스터 수 2,300개, 동작 주파수 750KHz, 16핀으로 내장되었다. 이 시점에서 누가 현재의 고성능 프로세서의 출현을 예측이나 했을까 4비트에는 있는데, 하나의 프로세서가 한개의 침에 탑재되어 실용화되어, 원칩 프로세서가 스타트를 끊었던 것이다. 오늘날의 DEC Alpha21264에는 1,520만개의 트랜지스터를 집적해서 600Mhz 587핀으로 내장되었다. 이러한 발전의 원동력은 반도체 집적회로의 기술의 비약적인 발전은 물론, 계산기 아키텍처, 컴파일러, OS등을 완수하는 역할도 대단히 크다. 본 원고에서는 주로 1990년대의 계산기 아키텍처의 변천을 살펴보고 향후 10년의 발전을 전망하려 한다.

• Journal of Chest Surgery
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• 제3권2호
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• pp.153-157
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• 1970

The problembs of mitral reste'1osis following primary mitral comissurotomy for mitral stenosis have been increased gradually, and also its incidence of mitral restenosis has showed the increasing time by time. We report 3 cases operation.l of mitral restenosis among several cases which have followed primary operatioa for 254 cases of mitral stenosis from Jan. 1959 to Dec. 1969. at the department of thoracic and cardiovascuar surgery, Natioaal Medical Center, with a review of literatures.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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• pp.668-672
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• 2003

In order to reach the high electrical quality of organic thin film transistors (OTFTs) such as high mobility and on-off current ratio, it is strongly desirable to study the enhancement of electrical properties in OTFTs. Here, we report the novel method of hydrogen $(H_{2})$ plasma treatment to improve electrical properties in inverted staggered OTFTs based on pentacene as active layer. To certify the effect of this method, we compared the electrical properties of normal device as a reference with those of device using the novel method. In result, the normal device as a reference making no use of this method exhibited a field effect mobility of 0.055 $cm^{2}/Vs$, on/off current ratio of $10^{3}$, threshold voltage of -4.5 V, and subthreshold slope of 7.6 V/dec. While the device using the novel method exhibited a field effect mobility of 0.174 $cm^{2}/Vs$, on/off current ratio of $10^{6}$. threshold voltage of -0.5 V, and subthreshold slope of 1.49 V/dec. According to these results, we have found the electrical performances in inverted staggered pentacene TFT owing to this novel method are remarkably enhanced. So, this method plays a key role in highly improving the electric performance of OTFTs. Moreover, this method is the first time yet reported for any OTFTs

• 대한구순구개열학회지
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• 제7권2호
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• pp.141-150
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• 2004

The cleft lip and palate charity operation team visited Binh Duong General Hospital in Vietnam from 17th Dec to 25th Dec 2004. Total 25 cleft lip and palate patients (male : female = 15:10) were undergone the operation. The mean age of the patients was 13.6 year. The types of surgical operation were primary cheilorrhaphy (8 cases), primary palatorrhaphy(10 cases), pharyngoplasty(2 cases), scar revision(3 cases), alveolorrhaphy(2 cases). There were no intraoperative and immediate postoperative complications. The year 2004 was the 10th charity operation in the same area so it is meaningful to review the start of this charity mission and the course, and the future of our activity.

• 공업화학
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• 제16권4호
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• pp.507-512
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• 2005

리튬 이온 2차 전지의 부극으로 사용되는 탄소전극은 초기 충전시 전극 표면에 Solid Electrolyte Interphase (SEI)라고 불리는 부동태 피막을 형성한다. 초기 충전과정에서의 용매분해로 형성된 막은 충방전 용량에 큰 영향을 주는 것으로 조사되었다. 본 연구에서는 Kawasaki Mesophase Fine Carbon 부극과 1 M $LiPF_6,EC:DEC$ (1:1, 부피비)에 $Li_2CO_3$를 첨가하여 전극/전해질 계면에서 초기충전 온도에 따라 형성되는 부동태 피막의 전기화학적 특성을 시간대 전압법, 순환 전압-전류법, 임피던스법을 이용하여 조사하였다. 관찰된 결과에 따르면, 용매분해 반응이 일어날 때 리튬 이온의 전도도에 따라 용매분해 전위가 달라졌으며, 저온으로 갈수록 $Li^+$ 이온의 전도성이 떨어져 분해 전위 차이가 나타남을 알았다. 또한 여러 온도조건에서 초기 충전시 형성된 피막의 저항은 온도별로 달라짐을 확인하였다.

• 전기화학회지
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• 제4권3호
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• pp.113-117
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• 2001

탄소계 전극을 사용하는 EDLC(Electric Double Layer Capacitor)용의 축전용량과 충방전속도는 전해질의 종류, 충방전 조건 그리고 탄소계 물질의 물리화학적 성질에 따라 크게 달라질 수 있다. 이에 본 연구에서는 dip coating method에 의해 제조된 EDLC용 활성탄소 전극에서 유기 전해질의 종류를 달리하여 충방전 실험과 전기화학적인 실험을 시행하였다. 또한 충전전류밀도와 방전전류밀도의 변화에 따른 비축전 용량의 변화를 조사하였고, 최적 유기전해질의 조건에서 leakage current 특성, 자가방전 특성 그리고 시간전압곡선을 기존의 $1M-Et_4NBF_4/PC$와 비교하였다 활성탄, 소전극으로 비표면적이 $2000m^2/g$인 MSP-20을 사용하고 유기전해질로는 $1M-LiPF_6/PC-DEC(1:1)$를 사용한 EDLC에서 130 F/g 정도의 우수한 비축전 용량을 나타내었고 저항면에서도 가장 낮은 수치를 나타내었다 $1M-LiPF_6/PCDEC(1:1)$를 사용한 EDLC는 15분동안 0.0004A의 낮은 leakage current와 100시간 경과 후 0.8V의 우수한 자가 방전 특성 그리고 IR-drop이 적은 선형의 시간-전압곡선을 보여주었다.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
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• 한국수자원학회 2010년도 학술발표회
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• pp.565-570
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• 2010

에디 공분산 방법을 사용하여 설마천 유역 혼효림(2007년 9월부터 2009년 12월)과 청미천 유역논(2008년 8월부터 2009년 12월)에서 증발산을 조사하였다. 연구 결과를 요약하면 아래와 같다. ${\bullet}$ 설마천 유역의 일 증발산은 0.1 - 5.7 $mm\;d^{-1}$의 변동폭을 가지며 연평균 $1.2{\pm}1.2mm\;d^{-1}$였다. ${\bullet}$ 청미천 유역의 일 증발산은 0.1 - 5.0 $mm\;d^{-1}$의 변동폭을 가지며 연평균 $1.5{\pm}1.1mm\;d^{-1}$였다. ${\bullet}$ 설마천 유역의 증발산은 강수량의 약 30%을 차지하였으며, 청미천 유역에서 증발산은 약 40%를 차지하였다. ${\bullet}$ 설마천 유역과 청미천 유역의 증발산의 경우, 지표와 대기간의 접합정도를 나타내는 오메가인자(${\Omega}^*$) 오메가는 여름에 0.4로 부과증발산이 평형증발산보다 전체 증발산에 기여하는 조금 큼을 보였다.