• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics S
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• v.36S no.12
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• pp.67-75
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• 1999

In this paper, we present an ASIC(Application Specific Integrated Circuit) design of wavelet transform filter Wavelet transform is used in lots of application fields which include image compression, because it has an excellent energy compaction. The operation characteristic and performance of wavelet transform filter are analyzed by using verilog-HDL(Hardware Description Language). In this paper, the designed wavelet transform filter uses line memory to improve data processing rate. Generally, when it reads and writes data of DRAM by using Fast Page Mode, input and output processing is very fast in horizontal direction but substantially slow in vertical direction. The use of line memory solves this low speed processing problem. As a result, though the size of the chip is getting larger, processing time for an image frame becomes 4.66ms. Generally, since the limit of 1 frame processing time on the data of TV video is 33ms, so it is appropriate for TV video.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.78.1-78.1
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• 2012

비 휘발성 저항 메모리소자인 resistance random access memory (ReRAM)는 빠른 동작특성과 저 전압 특성을 나타내고 비교적 간단한 소자구조로 고집적화에 유리하여 기존의 DRAM과 flash 메모리, SRAM 등이 갖고 있는 한계를 극복할 수 있는 차세대 메모리소자로써 각광받고 있다. 현재, 이성분계 산화물, 페로브스카이트 산화물, 고체 전해질 물질, 유기재료 등을 응용한 저항 메모리소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중 ZnO 를 기반으로 하는 amorphous InGaZnO (a-IGZO) 박막은 저온에서 대면적 증착이 가능하며 다른 비정질 재료에 비해 높은 전하 이동도를 갖기 때문에 박막트랜지스터 적용 시 우수한 전기적 특성을 나타낸다. 또한 빠른 동작특성과 높은 저항 변화율을 보이기 때문에 ReRAM에 응용 가능한 재료로써 기대되고 있다. 본 연구에서는 MOM(metal/oxide/metal) 구조를 기반한 TiN/a-IGZO/ITO 구조의 소자를 제작하여 저항 메모리 특성을 평가하였다. IGZO 박막은 radio frequency (RF) sputter 를 이용하여 ITO/glass 기판 위에 증착하였다. MOM 구조를 위한 상부 TiN 전극은 e-beam evaporation 을 이용하여 증착하였다. 제작된 저항 메모리소자는 안정적인 unipolar resistive switching 특성을 나타내었으며, TiN 상부전극과 IGZO 계면 간의 Transmission Electron Microscopy (TEM) 분석을 통해 전압 인가 후 전극 금속 물질의 박막 내 삽입으로 인한 금속 필라멘트의 형성을 관찰 할 수 있었다. 합성된 박막의 형태와 결정성은 Scanning electron microscope (SEM)와 X-ray Diffraction (XRD)을 통해 평가 하였으며, 제작된 소자의 전기적 특성은 HP-4145 를 이용하여 측정하고 비교 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Operations and Management Science Society Conference
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• 1996.04a
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• pp.487-490
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• 1996

일반적으로 S자 형태의 누적수요곡선을 따르는 단일 신상품과는 달리 다세대 신상품은 세대간의 진화.대체과정에 의하여 다른 형태의 성장곡선을 따른다. Norton & Bass(87)에 의해 개발된 다세대 확산모형은 단일 신상품만을 주로 다루어온 기존의 확산이론을 확장하여 상품들간의 연관관계를 고려한 모형화를 시도하였다는 점에서 큰의의를 지니고 있다. 그러나 Norton & Bass 모형은 누적수요가 감소하는 경우에만 적용 가능한 모형으로 그들이 논문에서 분석한 전세계 반도체 시장의 경우에는 적용될 수 없는 모형이다. 그들은 신규수요를 누적수요모형에 잘못 적용하는 오류를 범하고 있다. 그들이 제안한 모형은 서비스 상품들의 대체를 설명할 수 있는 모형으로 국한된다. 본 연구에서는 재화재의 경우에 적용 가능한 모형을 개발하며 또한 개발된 모형을 Norton & Bass가 잘못 적용했던 전세계 DRAM 시장에 응용한다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2001.04b
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• pp.193-195
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• 2001

최근 인터넷 및 이동 통신이 발달하면서 많은 사용자들 동시에 서비스할 수 있는 고성능 데이터베이스 서버가 필요하게 되었다. 또한 DRAM의 가격이 하락하고 64bit 어드레싱이 일반화되어 쉽게 수십 GB의 메모리의 서버 플랫폼을 갖추게 되어 메인 메모리 DBMS에 대한 관심이 높아지고 있다. 본 논문에서는 2세대 고성능 메인 메모리 DBMS인 P*TIME을 소개한다. P*TIME은 CPU에 비해 상대적으로 느린 메모리 성능, 저가의 멀티 프로세서 시스템 등의 현재 하드웨어 아키텍쳐를 고려한 인덱스 및 동시성 제어 기법을 활용하였고 하였고, differential logging을 사용하여 logging과 회복을 각각 병렬적으로 수행할 수 있다. 이로 인해 검색과 갱신에서 매우 높은 성능을 나타낸다. 또한 간단한 구조로 인하여 시스템 튜닝과 커스터마이징이 용이하며, 다양한 응용 프로그램 서버 구조를 수용할 수 있다. 디렉토리 서버로서 P*TIME의 성능을 실험한 결과 SUN Enterprise 6500 서버에서 내장 디렉토리 서버 환경으로 60~70만 TPS의 검색 성능을 보이며 10만 TPS 이상의 생신 성능을 보인다. 또한 클라이언트/서버 환경에서도 10만 TPS 이상의 검색 성능을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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• 2020.01a
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• pp.1-2
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• 2020

응용프로그램의 응답성을 향상시키기 위해서는 저장장치 시스템의 데이터 처리 능력이 중요하다. 한편, 차세대 메모리(NVDIMM)는 DRAM과 SSD 중간 정도의 성능 특성과 저장 용량을 갖는다. NVDIMM을 저장장치의 캐시로 사용함으로써 메모리와 저장장치의 격차는 많이 줄게 된다. 본 논문에서는 경량의 재사용 거리 측정 기법을 이용하여 효율적으로 디스크를 캐싱하는 기법을 제안한다. 제안 기법은 경량의 재사용 거리 측정 기법을 바탕으로 계산된 CFD(Computational Fluid Dynamics)값에 따라 디스크 캐시에 해당 데이터 적재 여부를 결정한다. 결과적으로 제안 기법을 적용한 디스크 캐시를 운용함에 따라 캐시의 히트율을 향상시켰다.

• Journal of Advanced Navigation Technology
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• v.13 no.6
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• pp.957-963
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• 2009

It is necessary for the resource management system to manage for the resource in distributed networking environment. Because of increasing the complexity of vast computer system and business environment, needs of RMS is increasing. Based on the common information model to use of objected oriented technology, through analysis of the reference model for the resource management system of the SNIA, we intend to implement the application program to manage the NGS system that consist of SSD and DRAM. To visualize, it is use the GUI Interface. It is possible for application program(Client) to detect and manage the system that consist of the NGS system. Also, status information that is divided into three cataloges(Minor/Major/Critical) can be displayed and it provide support of configuration functionality to manage devices.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.53 no.3
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• pp.128-132
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• 2004

The perovskite ferroelectric materials of the PZT, SBT and BST series will attract much attention for application to ULSI devices. Among these materials, the BST ($Ba_0.6$$Sr_0.4$/$TiO_3$) is widely considered the most promising for use as an insulator in the capacitors of DRAMS beyond 1 Gbit and high density FRAMS. Especially, BST thin films have a good thermal-chemical stability, insulating effect and variety of Phases. However, BST thin films have problems of the aging effect and mismatch between the BST thin film and electrode. Also, due to the high defect density and surface roughness at grain boundarys and in the grains, which degrades the device performances. In order to overcome these weakness, we first applied the chemical mechanical polishing (CMP) process to the polishing of ferroelectric film in order to obtain a good planarity of electrode/ferroelectric film interface. BST ferroelectric film was fabricated by the sol-gel method. And then, we compared the surface characteristics before and after CMP process of BST films. We expect that our results will be useful promise of global planarization for FRAM application in the near future.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.55 no.3
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• pp.116-121
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• 2006

Most high-k materials are well known not to be etched easily, Some problems such as low etch rate poor sidewall angle, plasma damage, and process complexity were emerged from the high-density DRAM fabrication. Chemical mechanical polishing (CMP) by a damascene process was proposed to pattern this high-k material was polished with some commercial silica slurry as a function of pH variation. Sufficient removal rate with adequate selectivity to realize the pattern mask of tera-ethyl ortho-silicate (TEOS) film for the vertical sidewall angle were obtained. The changes of X-ray diffraction pattern and dielectric constant by CMP process were negligible. The planarization was also achieved for the subsequent multi-level processes. Our new CMP approach will provide a guideline for effective patterning of high-k material by CMP technique.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.49 no.11
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• pp.603-608
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• 2000

$(Ba, Sr)TiO_{3}$[BST] thin films were fabricated on the Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si substrate by the RF sputtering. The structure and dielectric properties of the BST thin films with the substrate temperature were investigated. Increasing the substrate temperature, The BST phase increased and barium multi titanate phases decreased. Increasing the frequency, the dielectric constant decreased and the dielectric loss increased. The dielectric constant and dielectric loss of the BST thin films deposited at 50$0^{\circ}C$ were 300 and 0.018, respectively at 1 kHz. The leakage current density of the BST thin films deposited at 50$0^{\circ}C$ was $10^{-9}$ A/$\textrm{cm}^2$ with applied voltage of 3V. Because of the high dielectric constant(300), low dielectric loss(0.018) and low leakage current($10^{-9}$ A/$\textrm{cm}^2$), BST thin films deposited at 50$0^{\circ}C$ is expecting for the application of DRAM.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.80-80
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• 1998

RU02 박막은 전이금속으로서 rutile 구조이며, 넓은 온도 영역에서 금속성의 를 나타내고, 700도 이상의 높은 온도에서 열적 안정성을 갖는 물질이다 이러한 특성 때문 에 RU02 박막은 실리콘 디바이스에서 배선 게이트 전극 확산 장벽 등에 응용가능성이 높 은 물질로 각광을 받고 있다- 특히 다결정 RU02 박막은 DRAM (dynamic random access m memory) 내의 강유전성 축전기의 전극으로서 유망한 물질이다. 지금까지 이러한 응용분야에 사용된 전극물질은 pt 금속이었다 그러나 이러한 금속전극은 SI 산소 그리고 강유전체의 구성물질 등과의 상호확산, pt 표면의 hillock의 존재로 생기는 전기적 단락, 기판과의 나쁜 점작성, 어려운 에칭 프로세스 등의 단점을 가지고 있다 더욱 더 심각한 문제는 P Pt'ferroelectric/Pt 구조에서 나타나는 aging과 fatigue인데, 이는 108 사이쿨 이후에 스위칭 가 능한 잔류 pOlarization 으$\mid$ 감소를 유발하게 된다- 최근 Berstein은 Pt 대신에 RU02를 사용함으로써 강유전체 축전기에서의 fatigue 현상을 크게 감소시켰다고 보고 한 바 있다 Burst川도 RU02 가 실리콘 표면과 유전체 물질 사이에 전기전도 어떠한 상호 확산도 일어나지 않음을 보였다. 그러나 이러한 연구 결과에도 증착조건과 RU02 박악의 특성에 관한 상호 관계가 충분히 더욱 더 중은 강유전성 박막올 만들기 위해서는 이러한 박막 전극에 않고 있다 연구되지 대한 상세한 연구가 반드시 필요하다고 본다. RU02 박막은 실리콘 기판 위에 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착하였다. 사용 한 타켓은 2 인치의 직경을 가지는 CERAC 사에서 제작한 Ruol다 초기 진공은 1O~6 Torr 이하였고, 고주파 전력은 20 - 80W 까지 변화시켰다 반응성 스퍼터링율 하기 위해 아르곤과 산소롤 주입하였고, 산소/(산소+아르곤)의 비를 변화시켰다 기판의 온도와 증착압력은 각각 상온에 서 500도까지 , 5mTorr에 서 100mTorr 까지 변 화시 켰 다 RU02 박막의 결정성을 조사하기 위해 XRD 표면 형상과 단면을 조사하기 위해 SEM을 사용하였다‘ 박악의 비저항을 조사하기 위해 4-단자법 van der Pauw 방법을 사용하였다. RU02 박막은 증착압력이 높을수록 비저항은 높아지고, 두께는 감소하였다. 특히 1 100mTorr에서는 작업가스와 스퍼터된 입자사이의 심각한 산란 때문에 아예 증착이 이루어 지지 않았다‘ RF 전력이 증가할수록 비저항이 낮아졌다. 이는 두께에 의존하는 결과이며 전형적인 금속박막에서 나타나는 현상과 유사함을 알 수 있었다- 기판온도와 작업가스의 산소 분압이 높을수록 비저항이 감소하였다‘ 이러한 사실은 성장한 박악의 결정구조와 밀접한 관련이 있음을 보여준다.