• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.191-191
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• 2000

마이크로파 절연파괴(breakdown) 및 ECR 플라즈마를 발생시키기 위해 2.45 GHz 마그네트론을 사용하여 간편한 마이크로파 발생장치를 제작하였다. 이 장치는 KAIST-토카막에서 고온 플라즈마를 발생시킬 때 재현성이 좋은 플라즈마를 얻기 위해서 전 이온화하는데 이용된다. 장치에 사용한 마그네트론은 LG 전자의 2M213이고 출력 500W, 주파수 2.45GHz이며, 가정용 전자오븐에 사용된다. 기존의 가정용 마그네트론은 음극(cathode)과 양극(anode)사이에 걸리는 고전압이 60Hz의 주기를 갖기 때문에 약 16ms 마다 8ms동안만 주기적으로 초고주파를 발생한다. 이 마그네트론을 사용하여 연속적으로 발생되는 마이크로파를 얻기 위해서 음극과 양극사이에 개량된 회로로 리플전압이 작은 DC 고전압(5kV, 1A)을 인가하였다. 본 연구에서는 주기적으로 생성.소멸하는 ECR 프라즈마와 연속적인 ECR 플라즈마를 발생시켜 랑뮈어탐침과 광증배관(PMT)을 이용한 H$\alpha$ 방출(emission)을 측정하여 마이크로파 발생장치의 특성을 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.187-187
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• 2009

GAZO 박막의 증착은 $Ga_{2}O_{3}$의 첨가량 (6.65wt%) GZO 타겟과 $Al_{2}O_{3}$의 첨가량 (2.0wt%) AZO 타겟이 각각 장착된 2개의 캐소드를 이용한 DC 마그네트론 동시방전법에 의하여 non-alkali glass 기판위에 다양한 조건(파워, 기판온도, $H_2$ 참가량)에서 행하였다. GAZO박막의 전기적 특성은 Hall Effect measurements를 사용하여 측정 하였으며, 구조적 특성, 박막의 화학적 조성 및 광학적 특성은 XRD(X-ray diffraction), FESEM(Filed Emission Scanning Electron Microscope) 및 UV-Vis Spectrophotometer를 사용하여 평가 하였다. Al을 도입함으로써 캐리어밀도의 증가에 의해 GZO 박막의 특성은 개선됨을 확인 할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.158-158
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• 2009

TiN 코팅은 뛰어난 기계적 성질 및 내식성으로 산업전반에 걸쳐 널리 이용되고 있다. 본 연구에서는 비대칭 바이폴라 펄스 DC 반응성 마그네트론 장비를 이용하여 바이어스전압, 펄스주파수 및 Duty를 변화시키면서 TiN 박막을 제작하였다. 위와 같은 3가지 플라즈마 변수의 변화에 따른 TiN 박막의 결정 배향성 및 미세구조에 미치는 영향에 대해 주목하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.06a
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• pp.40-41
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• 1998

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1997.07a
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• pp.103-104
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• 1997

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2004.02a
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• pp.127-127
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• 2004

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2003.05a
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• pp.91-92
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• 2003

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.10 no.3
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• pp.473-478
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• 2006

High quality indium tin oxide (ITO) thin films have been prepared by DC magnetron sputtering technique. By controlling the deposition parameters such as substrate temperature and oxygen flow rate, we were able to minimize the negative ion damage during the deposition. Films pr데ared under such conditions were found to posses an excel]ent electrical resistivity of $1.6\times10^{-4}{\Omega}cm$ and also found to have a optical transmission above 90%. We also observe that, increasing the oxygen now rate above 4 sccm leads to an increase in electrical resistivity of the films while the transmission was found to saturate with the increase in the oxygen gas flow.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.170-170
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• 2009

DC 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 ITO, ITO:Yb 및 ITO:Sm의 조성을 가지는 각각의 타겟을 사용하여 상온에서 박막을 증착한 후 후 열처리를 실시하였다. Yb 및 Sm이 첨가된 타겟을 사용하여 증착한 박막의 경우, 미세구조 및 전기적 특성, 표면거칠기 등은 ITO 박막내의 불순물의 함량에 크게 의존한다는 것을 알 수 있었다. 이것은 새로운 불순물의 첨가에 따른 ITO 박막의 결정성의 저하에 기인한다고 생각된다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2003.06a
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• pp.84-85
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• 2003