• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.3 no.1
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• pp.44-48
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• 2000

Amorphous $V_2O_5$ cathode thin films were prepared by DC-magnetron sputtering at room temperature and the thin film rechargeable lithium batteries were fabricated with the configuration of $V_2O_5/LIPON/Li$ using sequential ex-situ thin film deposition techniques. The electrochemical characteristics of $V_2O_5$ cathode materials Prepared at 80/20 of $Ar/O_2$ ratio showed high capacity and cycling behaviors by half cell test. LIPON solid electrolytes films were prepared by RF-magnetron sputtering using the self-made $Li_3PO_4$ target in pure $N_2$ atmosphere, and it was very stable for lithium contact in the range of 1.2-4.0 V vs. Li. Metallic lithium were deposited on LIPON electrolyte by thermal evaporation methode in dry room. Vanadium oxide based full cell system showed the initial discharge capacity of $150{\mu}A/cm^2{\mu}m$ in the range of $1.2\~3.5V$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.360-360
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• 2012

Zn-Sn-O (Zinc-Tin-Oxide; ZTO) thin films have been gaining extensive academic and industrial attentions owing to a semiconducting channel materials applicable to large-sized flat-panel displays. Due to the constituent oxides i.e., ZnO and SnO2, the resultant Zn-Sn-O thin films possess artificially controllable bandgaps and transmittances especially effective in the visible regime. The current approach employed RF sputtering in depositing the Zn-Sn-O thin films onto glass substrates at ambient conditions. This work places its main emphases on the electrical/optical features which are closely related to the combinations of processing variables. The electrical characterizations are performed using dc-based current-voltage characteristics and ac-based impedance spectroscopy. The optical constants, i.e., refractive index and extinction coefficient, are calculated through spectroscopic ellipsometry along with the estimation of bandgaps. The charge transport of the deposited ZTO thin films is based on electrons characteristic of n-type conduction. In addition to the basic electrical/optical information, the delicate manipulation of n-type conduction is indispensible in diversifying the industrial applications of the ZTO thin films as active devices in information and energy products. Ultimately, the electrical properties are correlated to the processing variables along with the underlying mechanism which largely determines the electrical and optical properties.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.535-536
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• 2013

본 연구에서는 DC/RF co-sputtering공법을 통해 제작한 In-Mo-O 투명 Mo doping 농도 및 열처리 온도에 따른 전기적, 광학적, 구조적 특성을 분석하고, 최적화된 In-Mo-O 투명전극을 유기태양전지(OPVs)와 유기발광다이오드(OLED)에 적용하여 그 가능성을 평가하였다. Mo doping 농도는 co-sputtering 공정 중 MoO3에 인가되는 radio-frequency (RF) power를 변화시켜 조절되었으며, 투명전극의 광학적 특성 및 전기적 특성 향상을 위해 성막 공정 후 급속 열처리 공정을 온도 별로 진행하였다. In-Mo-O 투명 전극은 Mo 도핑 농도에 영향을 받음을 확인할 수 있었고, 최적화된 Mo doping 파워에서 성막한 In-Mo-O 박막은 급속 열처리 공정 후 면저항 24.57 Ohm/square, 투과도 81.57% (400~1,200 nm wavelength)를 나타내었다. Bulk hetero-junction 기반의 고효율 유기태양전지와 유기발광다이오드 적용하기 위해 본 연구에서 제작된 IMO 투명전극의 구조적 특성, 결정성 및 표면특성은 x-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy(AFM), field effect scanning electron microscopy (FE-SEM), High-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) 분석을 통해 진행하였다. In-Mo-O 투명 전극상에 제작된 OLEDs와 OPV는 reference ITO 전극에 제작된 OLEDs/OPV와 비교할 때 유사하거나 향상된 특성을 나타내었으며 이는 In-Mo-O 박막이 OLED/OPV용 투명 전극으로 적용이 가능함을 말해준다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• v.17 no.2
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• pp.121-124
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• 2016

ZnSnO₃ (ZTO)/Ag/ ZnSnO₃ (ZTO) trilayer films were prepared on glass substrates by radio frequency (RF) and direct current (DC) magnetron sputtering. The electrical resistivity and optical transmittance of the films were investigated as a function of the Ag interlayer thickness. ZTO films with a 15 nm thick Ag interlayer show the highest average visible transmittance (83.2%) in the visible range. In this study, the highest figure of merit (2.1×10⁻² Ω cm) is obtained with the ZTO 50 nm/Ag 15 nm/ZTO 50 nm films. The enhanced optical and electrical properties of ZTO films with a 15 nm thick Ag interlayer are attributed to the crystallization of the Ag interlayer, as supported by the distinct XRD pattern of the Ag (111) peaks. From the observed results, higher optical and electrical performance of the ZTO film with a 15 nm thick Ag interlayer seems to make a promising alternative to conventional transparent conductive ITO films.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.61.1-61.1
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• 2011

본 연구에서는 Zinc Tin Oxide (ZTO)/Ag/ZTO 다층 투명 전극을 제작하고 이를 비정질 ZTO (a-ZTO) 채널을 기반으로 한 TFT에 적용하여 투명 TFT의 전기적 특성을 확인하였다. 15${\times}$15 mm 크기의 ITO (gate)/Glass 기판상에 ALD법으로 투명 $Al_2O_3$절연층을 형성하고, RF sputtering법으로 50nm 두께의 a-ZTO 채널층을 형성하였다. 열처리를 위하여 Hot plate를 이용해 대기 중에서 $300^{\circ}C$의 온도로 20분간 열처리하여 채널 특성을 최적화 하였다. 이후 투명 Source/Drain으로 ZTO/Ag/ZTO 다층 투명 전극을 DC/RF sputtering법으로 패터닝하여 투명 TFT를 완성하였고, 평가를 위해 금속 (Mo)을 Source/Drain으로 사용한 TFT를 제작하여 그 성능을 비교하였다. ZTO/Ag/ZTO 다층 투명 전극은 Ag의 삽입으로 인하여 3.96ohm/square의 매우 낮은 면저항과 $3.24{\times}10-5ohm-cm$의 비저항을 나타내었으며, Antireflection 효과에 의해 가시광선 영역 (400~600 nm)에서 86.29%의 투과율을 나타내었다. ZTO/Ag/ZTO 다층 투명 전극 기반 투명 TFT는 $6.80cm^2/V-s$의 이동도와 $8.2{\times}10^6$의 $I_{ON}/I_{OFF}$비를 나타내어 금속 Source/Drain 전극에 준하는 특성을 나타내었다. 뿐만 아니라 전체 소자의 투과도 또한 ~73.26% 수준을 나타내어 투명 TFT용 Source/Drain 전극으로서 ZTO/Ag/ZTO 다층 투명 전극의 가능성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.276-276
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• 2008

Transparent and conducting indium tin oxide (ITO) and ITO/Nickel/ITO(INI) multilayered films were prepared on glass substrates by a magnetron sputtering without intentional substrate heating. The RF(13.56MHz) and DC power were applied to ITO and Nickel target, respectively. The thickness of ITO, Ni and ITO films were kept constantly at 50, 5 and 45 nm. In order to consider the effect of post deposition vacuum annealing in vacuum on the physical and optoeletrical properties of INI films, optical transmittance, electrical resistivity, crystallinity of the films were analyzed. From the observed result, it may conclude that the optoelectrical properties of the INI films were dependent on the post deposition annealing. For the INI films annealed at $300^{\circ}C$, the films have a polycrystalline structure with (110), (200), (210), (211) and (300). The resistivity of the films were $4.0\times10^{-4}{\Omega}cm$ at room temperature. As the annealing($300^{\circ}C$), resistivity decreased to $2.8\times10^{-4}{\Omega}cm$. And also the optical transmittance decreased from 79 to 70 % at 550nm.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.298-299
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• 2011

최근 입력소자로 활용되는 터치스크린은 키보드나 마우스와 같은 입력장치를 사용하지 않고, 스크린에 손가락, 펜 등을 접촉하여 입력하는 방식이다. 터치패널의 구현방식에 따라 저항막(Resistive) 방식, 정전용량(Capacitive) 방식, SAW (Surface Accoustic Wave; 초음파) 방식, IR (Infrared; 적외선) 방식등으로 구분된다. 특히 최근 관심을 받고 있는 IR 방식은 적외선이 사람의 눈에는 보이지 않으나, 직진성을 가지고 있어 장애물이 있으면 차단되는 특성을 이용한 방식이다. IR방식의 터치패널은 발광(Light emitting)소자와 수광(Light detecting)소자가 마주하도록 배치되어 터치에 의해 차단된 좌표를 인식하게 되며, ITO 필름 등이 필요 없어 Glass 1장으로도 구현이 가능하며 투과율이 우수하다. 이러한 IR 방식의 터치패널을 제작하기 위하여 사용된 IR 광검출기는 광학적 band-gap이 작은 박막물질을 필요로 한다. 본 연구에서는 IR 광검출을 위한 물질로 SiGe를 co-sputtering 기법을 이용하여 성장시켰다. 일반적으로 SiGe 박막을 성장시키기 위하여 저압화학기상증착법(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)이나 고진공 LPCVD를 사용하지만 본 연구에서는 CVD에 비하여 무독성이면서 환경친화적이고 초기투자비용이 낮은 증착장비인 sputtering을 이용하였다. 본 연구에서 성장된 SiGe 박막은 400$^{\circ}C$에서 rf plasma가 인가된 Ge과 dc plasma가 인가된 Si의 power를 조절하여 결정화도가 70% (Fig. 1)이고 결정성장방향이 (111)과 (220)방향으로 성장하는 SiGe 박막을 얻을 수 있었다. 본 논문에서는 co-sputtering 성장조건에 따라 성장된 SiGe의 박막 특성을 논의할 것이다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.73-73
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• 2003

최근 LCD(liquid crystal display)분야에서 고해상도와 빠른 응답속도를 가지는 다결정 실리콘 박막트랜지스터에 대한 연구를 하고 있다. 그러나, poly-Si은 poly-Sil-xGex에 비해 intrinsic carrier mobility가 낮고 고온의 결정화 공정을 필요로 한다. 따라서, Poly-Si을 대체할 재료로 poly-SiGe에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 전계에 의해 결정화가 가속되고 한쪽 방향으로 결정화를 제어하여 채널내 전자나 정공의 이동도를 향상시 킬 수 있는 새로운 결정화 방법인 전계 유도 방향성 결정화법을 이용하여 Ge 함량에 따른 a-Sil-xGex(0$\leq$x$\leq$0.5)의 결정화 특성을 연구하였다. 대기압 화학 기상 증착법으로 5000$\AA$의 산화막(SiO$_2$)이 증착된 유리 기판상에 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용하여 800$\AA$의 비정질 실리콘을 증착한 후 RF magnetron sputtering법을 이용하여 Ge 함량에 따른 Sil-xGex 박막을 1000$\AA$ 증착하였다. Photolithograph방법을 이용하여 금속이 선택적으로 증착될 수 있는 특정 Pattern을 가진 mask를 형성한 후 금속을 DC magnetron sputtering법을 이용하여 상온에서 50$\AA$.을 증착하였다. 이후 시편에 전계를 인가하기 위해 시편의 양단에 전극을 형성한 후 DC Power Supply를 통해 전압을 제어하는 방식으로 전계를 인가하였다. 결정화 속도는 광학현미경을 이용하여 분석하였으며 결정화된 영역의 결정화 정도는 micro-Raman spectroscopy로 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.168-168
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• 2013

도전성 섬유(Conductive textile)는 섬유자체의 고유 특성을 유지하면서 전기적인 도전 특성을 갖는 섬유로서, Cu, Ag, Ni 등의 전기전도성이 높은 금속 박막을 증착하여 제작하고 있다. 그러나, 이러한 금속은 공기 중의 산소와 결합하여 쉽게 산화되는 특성을 지니고 있기 때문에 사용 중에 산화되어 도전 특성이 감소하는 단점이 있다. TiN은 금속 못지않은 높은 전기전도성을 지니고 있을 뿐만 아니라, 금속에 비하여 높은 경도에 따른 우수한 내마모 특성, 내부식성 및 낮은 마찰계수를 지니고 있다. 그러나, TiN은 경도가 높기 때문에 섬유의 고유 특성인 유연성이 저하되는 문제가 있다. 본 연구에서는 면(Cotton), PE (Polyester), PP (Polypropylene) 등의 섬유 위에 TiN 박막을 증착하여, 섬유의 유연성을 유지하며 전기전도성과 내마모 특성이 우수한 도전성 섬유를 제작하고자 하였다. TiN 박막 증착을 위하여 ICP-assisted pulsed-DC reactive magnetron sputtering 장비를 사용하였으며, Ar:N2 유량비(Flow rate), Ti 타겟 power, ICP RF power 등을 변화시켜 Ti와 N의 조성비를 조절하였고, 이를 통하여 섬유의 휨이나 접힘에도 도전 특성이 변하지 않고 내마모 특성이 우수한 TiN 박막을 증착하였다. TiN 박막이 증착된 섬유의 전기전도도는 일정한 압력 하에 전기전도도를 측정할 수 있는 장치를 제작하여 측정하였으며, 표면 조성 분포 및 접합력 측정을 위하여 XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)와 Peel-tester를 이용하였다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.20 no.6
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• pp.520-526
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• 2007

In order to acquire fundamental informations to fabricate high precision thin film resistors, NiCr/NiCrSi alloy films were prepared using Ni and Cr targets. Effect of composition on the electrical properties of the NiCr/NiCrSi alloy film were then investigated. Considering the effect of Si doping on the electrical and material characteristics, the lower TCR (temperature coefficient of resistance) values could be achieved for samples with Ni/Cr ratio of $0.8{\sim}1.5$ (in a range of relative higher specific resistivity and Cr composition of $40\;wt%{\sim}55\;wt%$) and with Si doping. Consequently, the sample prepared using a DC power showed a good TCR of $-25\;ppm/^{\circ}C$, which implies that increase of specific resistivity and decrease of TCR would be achieved more efficiently not for Ni-Cr binary material but for Si doped Ni-Cr ternary material, and not using RF power but using DC power in the sputtering process.