• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.123-123
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• 2008

본 논문에서는 Cu의 ECMP 적용을 위해 $HNO_3$ 전해액의 active, passive, transient, trans-passive 영역을 I-V 특성 곡선을 통해 알아보았고, LSV (Linear sweep voltammetry)와 CV (Cyclic voltammetry)법을 통하여 전기화학적 특성을 비교 분석하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2007.06a
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• pp.208-211
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• 2007

Polymer Electrolyte Membrane fuel cell(PEMFC)의 촉매로는 주로 carbon을 지지체로 사용한 Pt/C 흑은 Pt alloy/C을 사용하게 된다. 이때 PEMFC의 상용화에 있어 촉매의 안정성은 상용화 실현에 있어 중요한 요인으로 인식되고 있다. 촉매의 성능 저하는 Pt의 활성 면적(Active surface area)의 감소가 원인으로 얘기되어 지고 있으며 이는 지지체로 사용한 탄소에 나노 크기로 분산되어 있던 Pt 입자가 커지면서 활성 면적이 감소되어 지기 때문이다. 이번 연구에서는 상용 Pt/C를 사용하여 Cyclic Voltammetry(CV)의 장기간 운전 및 다양한 조건 변화를 통하여 Pt입자의 크기 증가에 미치는 요인에 대한 연구를 진행하였다. 이와 더불어 Linear Sweep Voltammety(LSV), TEM, 등을 통한 분석이 진행되었다.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.17 no.2
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• pp.120-125
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• 2000

The tfTZ(4,4',4''-trifluoro-triazine) was used as a hole blocking material for the electroluminescent devices(ELDs) in this study. In general, the holes are outnumbered the electrons in hole transport and emitting layers because the hole transport is more efficient in most organic ELDs. The hole blocking layer are expected to control the excess holes to increase the recombination of holes and electrons and to decrease current density. The former study using the 2,4,6-triphenyl-1,3,5-triazine(TTA) as hole blocking layer showed that the TTA did not form stable films with vapor deposition technique. The tfTZ can generate stable evaporated films, moreover the fluorine group can lower the highest occupied molecular orbital(HOMO) level, which produces the energy barrier for the holes. The tfTZ has high electron affinities according to the data by the Cyclic-Voltammety(CV) method, which is developed for the measurement of HOMO and lowest occupied molecular orbital(LUMO) level of organic thin films. The lowered HOMO level is made the tfTZ to be applied for a hole blocking layer in ELDs. We fabricated multilayer ELDs with a structure of ITO/hole blocking layer(HBL)/hole transporting layer(HTL)/emitting layer/electrode. The hole blocking properties of this devices is confirmed from the lowered current density values compared with that without hole blocking layer.