• 정보처리학회논문지A
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• 제11A권2호
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• pp.115-122
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• 2004

본 논문에서는 전류모드 CMOS를 사용하여 다치 가산기 및 다치 승산기를 구현하였으며, 먼저 효과적인 집적회로 설계 이용성을 갖는 전류모드 CMOS를 사용하여 3치 T-게이트와 4치 T-게이트를 구현하였다. 구현된 다치 T-게이트를 조합하여 유한체 $GF(3^2)$의 2변수 3치 가산표와 승산표를 실현하는 회로를 구현하였으며, 이들 다치 T-게이트를 사용하여 유한체 $GF(4^2)$의 2변수 4치 가산표와 승산표를 실현하는 회로를 구현하였다. 또한, Spice 시뮬레이션을 통하여 이 회로들에 대한 동자특성을 보였다. 다치 가산기 및 승산기들은 $1.5\mutextrm{m}$ CMOS 표준 기술의 MOSFET 모델 LEVEL 3을 사용하였고, 단위전류는 $15\mutextrm{A}$로 하였으며, 전원전압은 3.3V를 사용하였다. 본 논문에서 구현한 전류모드 CMOS의 3치 가산기와 승산기, 4치 가산기와 승산기는 일정한 회선경로 선택의 규칙성, 간단성, 셀 배열에 의한 모듈성의 이점을 가지며 특히 차수 m이 증가하는 유한체의 두 다항식의 가산 및 승산에서 확장성을 가지므로 VLSI화 실현에 적합한 것으로 생각된다.

• 전기전자학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.54-62
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• 2004

본 논문에서는 $GF(3^m)$상의 전류모드CMOS 승산기의 설계에 관하여 논의한다. 피 승산항에 원시원소 α를 곱함으로써 나타나는 피 승산항의 변화를 표준기저 표현을 이용하여 수식으로 전개하였다. $GF(3^m)$ 승산 회로를 구성하기 위하여 전류모드 CMOS를 사용하여 GF(3)상의 가산기와 승산기를 설계하였고 시뮬레이션 결과를 보였다. 기본 게이트들을 이용하여 $GF(3^m)$ 승산기를 설계하였고 m=3인 경우에 대하여 예를 보였다. 본 논문에서 제안한승산회로는 그 구성이 블록의 형태로 이루어지므로 $GF(p^m)$ 상에서 p와 m에 대한 확장이 용이하며, VLSI 구현에 유리하다 할 수 있다. 본 논문에서 제안한승산회로를 타 승산회로와 비교하였고, 개선효과를 확인하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제12권4호
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• pp.211-216
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• 2008

이 논문은 MOS 전류모드 논리 (MOS current-mode logic circuit, MCML) 회로를 이용하여 저 전력 특성을 갖는 8${\times}$8 비트 병렬 곱셈기를 설계하였다. 설계한 곱셈기는 회로가 동작 하지 않을 때의 정적 전류의 소모를 최소화하기 위하여 슬립 트랜지스터 (sleep-transistor)를 이용하여 저 전력 MOS 전류모드 논리회로를 구현하였다. 설계한 곱셈기는 기존 MOS 전류모드 논리회로에 비해 대기전력소모가 1/50으로 감소하였다. 또한, 이 회로는 기존 MOS 전류모드 논리회로에 비해 전력소모에서 10.5% 감소하였으며, 전력소모와 지연시간의 곱에서 11.6%의 성능 향상이 있었다. 이 회로는 삼성 0.35${\mu}m$ 표준 CMOS 공정을 이용하여 설계하였으며, HSPICE를 통하여 검증하였다.

• 융합신호처리학회논문지
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• 제2권3호
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• pp.102-109
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• 2001

본 논문에서는 GF($P^{m}$ )상에서의 새로운 승산 알고리듬과 승산기 구성법을 나타내었다. 유한체 상에서의 두 원소에 대한 승산공식을 유도하였고 유도된 수식에 의해 승산기를 구성하였다. 적용예로 GF(3) 승산 모듈과 덧셈 모듈을 전류 모드 CMOS 기법을 적용하여 구현하였다. 이러한 모듈을 기본 모듈로 사용하여 GF(3$^{m}$ )승산기를 설계하였고 SPICE를 통하여 검증하였다. 제시된 승산기는 규칙적인 셀 구조를 사용하였고 단순히 규칙적인 내부 결선으로 구성된다. 따라서, 유한체 상에서 차수가 m 차로 증가하는 승산에 대해서도 간단히 확장이 가능하다.

• 전기전자학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.90-97
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• 2010

본 논문에서는 DT-CMOS(Dynamic Threshold voltage CMOS) 스위칭 소자와 DTMOS Error Amplifier를 사용한 고 효율 전원 제어 장치(PMIC)를 제안하였다. 높은 출력 전류에서 고 전력 효율을 얻기 위하여 PWM(Pulse Width Modulation) 제어 방식을 사용하여 PMIC를 구현하였으며, 낮은 온 저항을 갖는 DT-CMOS를 설계하여 도통 손실을 감소시켰다. 벅 컨버터(Buck converter) 제어 회로는 PWM 제어회로로 되어 있으며, 삼각파 발생기, 밴드갭 기준 전압 회로, DT-CMOS 오차 증폭기, 비교기가 하나의 블록으로 구성되어 있다. 제안된 DT-CMOS 오차증폭기는 72dB DC gain과 83.5위상 여유를 갖도록 설계하였다. DTMOS를 사용한 오차증폭기는 CMOS를 사용한 오차증폭기 보다 약 30%정도 파워 소비 감소를 보였다. Voltage-mode PWM 제어 회로와 낮은 온 저항을 스위칭 소자로 사용하여 구현한 DC-DC converter는 100mA 출력 전류에서 95%의 효율을 구현하였으며, 1mA이하의 대기모드에서도 높은 효율을 구현하기 위하여 LDO를 설계하였다.

• 전자공학회논문지C
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• 제34C권9호
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• pp.1-9
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• 1997

Novel class A CMOS second-generation current conveyors (CCII) using 0.6.mu.m n-well standard CMOS process for high-frequency current-mode signal processing were developed. The CCII consists of a regulated current-cell for the voltage input and a cascode current mirror for the current output. In this architecture, the two input stages are coupled by current mirrors to reduce the current input impedance. Measurements of the fabricated cCII show that the current input impedance is 308 .ohm. and the 3-dB cutoff frequency when used as a voltage amplifier extends beyond 10MHz. The linear dynamic ranges of voltage and current are from -0.5V to 1.5V and from -100.mu.A to +120.mu.A for supply voltage V$\_$DD/ = -V$\_$SS/=2.5V, respectively. The power dissipation is 2 mW and the active chip area is 0.2 * 0.2 [mm$\^$2/].

• 정보처리학회논문지A
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• 제15A권2호
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• pp.69-74
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• 2008

본 논문은 MOS 전류모드 논리회로 (MOS current-mode logic circuit)의 누설전류를 감소시키기 위해 슬립 트랜지스터 (sleep-transistor) 트랜지스터를 이용하여 저 전력 MOS 전류모드 논리회로를 구현하는 새로운 구조를 제안하였다. 슬립 트랜지스터는 누설전류를 최소화하기 위해 고 문턱전압 PMOS 트랜지스터 (high-threshold voltage PMOS transistor)를 사용하였다. $16\;{\times}\;16$ 비트 병렬 곱셈기를 제안한 구조에 적용하여 제안한 구조의 타당성을 입증하였다. 이 회로는 기존 MOS 전류모드 논리회로 구조에 비해 대기전력소모가 1/50으로 감소하였다. 이 회로는 삼성 $0.35\;{\mu}m$ 표준 CMOS 공정을 이용하여 설계하였으며, HSPICE를 이용하여 검증하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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• pp.514-517
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• 1998

This paper proposed a symmetric feedback current enhancement circuit with 1.5V power supply to design a 3$^{rd}$ order butterworth low pass filter. The proposed filter designed on 0.8.mu.m CMOS n-well double poly/double metal process simulated in HSPICE composed of the 3dB frequency enhancement circuit and the unity-gain frequency enhancement circuit. The simulation result on the design filter shows the badnwith of 25MHz, phase of 92.6 .deg. and power consumption of 0.3mW..

• 전자공학회논문지C
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• 제34C권10호
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• pp.19-26
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• 1997

Novel class AB CMOS second-generation current conveyors (CCII) using 0.6.mu.m n-well CMOS process for high-frequency current-mode signal processing were developed. The CCII for low power operation consists of a class AB push-pull stage for the current input, a complementary source follower for the voltage input, and a cascode current mirror for the current output. In this architecture, the two input stages are coupled by current mirrors to reduce the current input impedance. Measurements of the fabricated CCII show that the current input impedance is 875.ohm. and the bandwidth of flat gain when used as a voltage amplifier extends beyond 4MHz. The power dissipation is 1.25mW and the active chip area is 0.2*0.15[mm$\^$2/].

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2003년도 ICCAS
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• pp.948-950
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• 2003

In this literature, the CMOS current mode fout quadrant differentiator circuit is proposed. The implementation is base on an appropriate input stage that converts the input current into a compressed voltage at the input capacitor ($C_{gs}$) of the CMOS driver circuit. This input voltage use as the control output current which flow to the output node by passing through a MOS active load and use it as the feedback voltage to the input node. Simulation results with level 49 CMOS model of MOSIS are given to demonstrate the correct operation of the proposed configuration. But the gain of the circuit is too low so the output differentiate current also low. The proposed differentiator is expected to find several applications in analog signal processing system.