Kim, Yong Hee;Hong, Young June;Uhm, Han Sub;Choi, Eun Ha
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.494-494
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2013
Atmospheric pressure non-thermal plasma of the needle-typed interaction with aqueous solutions has received increasing attention for their biomedical applications [1]. In this context, surface discharges at bio-solutions were investigated experimentally. We have generated the non-thermal plasma jet bombarding the bio-solution surface by using an Ar gas flow and investigated the emission lines by OES (optical emission spectroscopy) [2]. Moreover, The non-thermal plasma interaction with bio-solutions has received increasing attention for their biomedical applications. So we researched, the OH radical density of various biological solutions in the surface by non-thermal plasma were investigated by Ar gases. The OH radical density of DI water; deionized water, DMEM Dulbecco's modified eagle medium, and PBS; 1x phosphate buffered saline by non-thermal plasma jet. It is noted that the OH radical density of DI water and DMEM are measured to be about $4.33{\times}1016cm-3$ and $2.18{\times}1016cm-3$, respectively, under Ar gas flow 250 sccm (standard cubic centimeter per minute) in this experiment. The OH radical density of buffer solution such as PBS has also been investigated and measured to be value of about $2.18{\times}1016cm-3$ by the ultraviolet optical absorption spectroscopy.
Park, Seong Ho;An, Gyeong Su;Kim, Gyu Hong;Choe, Jae Si
Journal of the Korean Chemical Society
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v.34
no.6
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pp.527-533
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1990
The AgI systems containing various mol% of AgBr and CuI were synthesized. X-ray analyses revealed that all synthesized systems had face centered cubic structures. Using impedance analyzer, electrical conductivity measurements of these systems were carried out at temperatures from 20 to 200$^{\circ}C$. From this measurement, it was found that the activation energies of these systems were in the range 0.6∼0.7 eV and the system containing 5 mol% AgBr showed the highest conductivity and the smallest activity energy.
An oxygen deficient perovskite (CaLa)(MgMn)O5.43, with the cubic unit cell parameter of 3.826$\AA$, was prepared 115$0^{\circ}C$ for 10 hrs under the ambient oxygen gas pressure. The average oxidation state of manganese was determined to be 3.86 by the iodometric titration, so that the perovskite could be formulated as (CaLa) ({{{{ { MgMn}`_{ chi } ^{II } }}{{{{ { Mn}`_{ y} ^{III } }}{{{{ { Mn}`_{1- chi -y } ^{IV } }})O5.43 (2x+y=0.14). From X-ray photoelectron spectroscopy, the manganese ions in the lattice are mostly tetravalent, but two paramagnetic configurations were observed in the EPR spectrum: One sharp isotropic signal with hyperfines (ΔH 50 G, g=1.997$\pm$0.002 and │A│=82(4)$\times$10-4 cm-1) and a broad isotropic one (ΔH 1600 G, g=1.994$\pm$0.002), those which correspond respectively to Mn(II) and Mn(IV) ions. According to the magnetic susceptibility measurement, it follows the Curie-Weiss law from 20 K up to room temperature with $\mu$eff=5.23 $\mu$B, which is relatively larger than spin-only value({{{{ { mu }`_{eff} ^{s.o } }}=4.04 $\mu$B) due to the effect of weak ferromagnetic coupling. Such a result is in accord with a theory of semicovalence exchange.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11a
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pp.533-536
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2001
Single crystal cubic silicon carbide(3C-SiC) thin film were deposited on Si(100) substrate up to a thickness of 4.3 $\mu\textrm{m}$ by APCVD(atmospheric pressure chemical vapor deposition) method using hexamethyildisilane(HMDS) at 1350$^{\circ}C$. The HMDS flow rate was 0.5 sccm and the carrier gas flow rate was 2.5 slm. The HMDS flow rate was important to get a mirror-like. The growth rate of the 3C-SiC films was 4.3 $\mu\textrm{m}$/hr. The 3C-SiC epitaxical layers on Si(100) were characterized by XRD(X-ray diffraction), raman scattering and RHEED(reflection high-energy electron diffraction), respectively The 3C-SiC distinct phonons of TO(transverse optical) near 796 cm$\^$-1/ and LO(longitudinal optical) near 974${\pm}$1 cm$\^$-1/ were recorded by raman scattering measurement. The deposition films were identified as the single crystal 3C-SiC phase by XRD spectra(2$\theta$=41.5$^{\circ}$). Also, with increase of films thickness, RHEED patterns gradually changed from a spot pattern to a streak pattern
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.05a
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pp.30-34
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2002
Single crystal 3C-SiC(cubic silicon carbide) thin-films were deposited on Si(100) wafers up to a thickness of 4.3 ${\mu}m$ by APCVD method using HMDS(hexamethyldisilane) at $1350^{\circ}C$. The HMDS flow rate was 0.5 sccm and the carrier gas flow rate was 2.5 slm. The HMDS flow rate was important to get a mirror-like crystal surface. The growth rate of the 3C-SiC films was 4.3 ${\mu}m$/hr. The 3C-SiC epitaxial films grown on Si(100) were characterized by XRD, AFM, RHEED, XPS and raman scattering, respectively. The 3C-SiC distinct phonons of TO(transverse optical) near 796 $cm^{-1}$ and LO(longitudinal optical) near $974{\pm}1cm^{-1}$ were recorded by raman scattering measurement. The heteroepitaxially grown films were identified as the single crystal 3C-SiC phase by XRD spectra($2{\theta}=41.5^{\circ}$).
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.2
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pp.98-102
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2010
This paper describes that single crystalline 3C-SiC (cubic silicon carbide) thin films have been deposited on carbonized Si(100) substrates using hexamethyldisilane (HMDS, $Si_2(CH_3){_6}$) as a safe organosilane single precursor and a nonflammable mixture of Ar and $H_2$ gas as the carrier gas by APCVD at $1280^{\circ}C$. The deposition was performed under various conditions to determine the optimized growth condition. The crystallinity of the 3C-SiC thin film was analyzed by XRD (X-ray diffraction). The surface morphology was also observed by AFM (atomic force microscopy) and voids between SiC and Si interfaces were measured by SEM (scanning electron microscopy). Finally, residual strain and hall mobility was investigated by surface profiler and hall measurement, respectively. From these results, the single crystalline 3C-SiC film had a good crystal quality without defects due to viods, a low residual stress, a very low roughness.
The Cu nanofluid in ethylene glycol was prepared by electrical explosion of wire, a novel one-step method. The X-ray diffraction, field emission scanning electron microscope and transmission electron microscope were used to study the properties of Cu nanoparticles. The results showed that the nanoparticles were consisted of pure face-centered cubic structure and near spherical shape with average grain size of 65 nm. Ultraviolet-visible spectroscopy (UV-Vis) confirmed Cu nanoparticles with a single absorbance peak of Cu surface plasmon resonance band at 600 nm. The nanofluid was found to be stable due to high positive zeta potential value, +51 mV. The backscattering level of nanofluid in static stationary was decreased about 2% for 5 days. The thermal conductivity measurement showed that Cu-ethylene glycol nanofluid with low concentration of nanoparticles had higher thermal conductivity than based fluid. The enhancement of thermal conductivity of nanofluid at a volume fraction of 0.1% was approximately 5.2%.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.27
no.12
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pp.797-802
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2014
In this study, in order to develop the capacitor composition ceramics with the good dielectric properties, $(Ba_{1-x}Ca_x)(Ti_{0.85}Zr_{0.12}Sn_{0.03})O_3$ (abbreviated as BCTZ) ceramics were prepared by the conventional solid-state reaction method. The effects of Ca substitution on the microstructure and dielectric properties was investigated. The X-ray diffraction patterns demonstrated that all the specimens showed perovskite phase, and secondary phases are indicated in the measurement range of X-ray diffraction. Also, all the specimens indicated an rhombohedron phase structure. It was identified from the X-ray diffraction patterns that the secondary phase formed in grain boundaries and then decreased the dielectric properties. For all the specimens, observed one peak was tetragonal cubic phase transition temperature($T_c$), which is located in the vicinity of room temperature.
This paper shows the development process of a straight-type five-hole pressure probe for measuring three-dimensional flow velocity components. The data reduction method using a bi-cubic curve-fitting program in a new calibration map was introduced in this study. This new calibration map can be applied up to the application angle, ${\pm}55^{\circ}$ of a probe. As a result, for the application angle of ${\pm}45^{\circ}$, an error for yaw and pitch angles appeared from $-1.76^{\circ}\;to\;1.83^{\circ}$ and from $-1.91^{\circ}\;to\;1.75^{\circ}$, respectively. Moreover, an error for a vector magnitude and a static pressure compared with a dynamic one showed from -7.83% to 4.87% and from -0.73 to 0.77, respectively. Even though this data reduction method showed unsatisfactory errors in a vector magnitude, it resulted in an easy and simple application method. Especially, when it was applied to an actual flow field including a swirling flow, a good result came out on the whole. However, in order to obtain a better result, it is thought that a more sophisticated interpolation method needs to be introduced.
Yuk, Youngji;Hong, Jong Wook;Han, Sang Woo;Park, Jeong Young
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.141-141
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2013
Shape control of metal nanocrystals has broad applications, including catalysis, plasmonics, and sensing. It was found that controlling the atomic arrangement on metal nanocrystal surfaces affects many properties, including the electronic dipole or work function. Tuning the surface structure of exposed facets of metal nanocrystals was enabled by shape control. We investigated the effect of shape on nanomechanical properties, including friction and adhesion forces. Two nanoparticles systems, high-index {321} and low-index {100}, were used as model nanoparticle surfaces. Scanning force microscopy was used to probe nanoscale friction and adhesion. Because of the abundant presence of high-density atomic steps and kinks, high-index faceted nanoparticles have a higher surface energy than low-index faceted cubic nanoparticles. Due to this high surface energy, high-index faceted particles have shown stronger adhesion and higher friction than low-index nanoparticles. We discuss the results in light of the differences in surface energy as well as the effect of capping layers in the measurement.
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