In this study, porous Mo-5 wt% Cu with unidirectionally aligned pores is prepared by freeze drying of camphene slurry with $MoO_3-CuO$ powders. Unidirectional freezing of camphene slurry with dispersion stability is conducted at $-25^{\circ}C$, and pores in the frozen specimens are generated by sublimation of the camphene crystals. The green bodies are hydrogen-reduced at $750^{\circ}C$ and sintered at $1000^{\circ}C$ for 1 h. X-ray diffraction analysis reveals that $MoO_3-CuO$ composite powders are completely converted to a Mo-and-Cu phase without any reaction phases by hydrogen reduction. The sintered bodies with the Mo-Cu phase show large and aligned parallel pores to the camphene growth direction as well as small pores in the internal walls of large pores. The pore size and porosity decrease with increasing composite powder content from 5 to 10 vol%. The change of pore characteristics is explained by the degree of powder rearrangement in slurry and the accumulation behavior of powders in the interdendritic spaces of solidified camphene.
The diffusion barrier properties of TiN by using Cu(Mg) alloy film have been investigated. Cu(Mg) alloy film was deposited on air-exposed TiN film. Upon annealing, interfacial MgO of 100 $\AA$ has been formed due to the reaction of Mg with oxygen existed on the surface of TiN. Combined MgO/TiN structure prevented the interdiffusion of Cu and Si up to $800^{\circ}C$. To improve the adhesion of Cu(Mg) alloy film to the TiN, TiN layer was treated by $O_2$ plasma, followed by vacuum annealing at $300^{\circ}C$. It was found that increased oxygen on the surface of TiN film by plasma treatment enhanced segregation of Mg toward the interface, resulting in the formation of dense MgO layer. Improved adhesion characteristics have been formed through this treatment. However, increased power of $O_2$ plasma led to the formation of TiO$_2$ and decreased the Mg content to be segregated to the interface, resulting in the decrease in adhesion property. In addition, the deposition of 50 ${\AA}$ Si on the TiN enhanced the adhesion of Cu(Mg) alloy to TiN without deteriorating the TiN diffusion barrier characteristics.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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1996.11a
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pp.174-176
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1996
In the YBCO matrix, 10wt.% Y$_2$BaCuO$\_$5/ (211 phase) was added, the final 211 content of YBCO made by MTG process could reach about 20wt.% which was the optimum value for the critical current density. And also 10wt.% Ag was added in the matrix of YBCO, which was nearly about the saturate solubility of silver in textured YBCO. SmBaCuO crystal was grown by the melted-condensed process. A 5${\times}$5${\times}$2㎣ single crystal of SmBaCuO was used to be the seed in the preparation of YBCO. It was proved the orientation of YBCO was the same as the orientation of the SmBaCuO seed. The oxygen absorption of bulk oriented YBCO was studied and the heat treatment of oxygen absorption would be in flowing oxygen, at 400$^{\circ}C$ for about 24 hours. the magnetic hysteresis loops were measured by Vibrating Smaple Magnetometer and the J$\_$c/ was calcuated by means of Bean's model.
Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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v.22
no.6
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pp.905-912
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2011
In this study, the novel concept catalytic reactor was designed for water-gas shift reaction (WGS) under high pressure. The novel concept catalytic reactor was composed of an autoclave, the catalyst, and liquid water. Cu-ZnO/$Al_2O_3$ as the low temperature shift catalyst was used for WGS reaction. WGS in the novel concept catalytic reactor was carried out at the ranges of 150~$250^{\circ}C$ and 30~50 atm. The liquid water was filled at the bottom of the autoclave catalytic reactor and the catalyst of pellet type was located at the gas-liquid water interface. It was concluded that WGS reaction occurred over the surface of catalysts partially wetted with liquid water. The conversion of CO for WGS was also controlled with changing content of Cu and ZnO used as the catalytic active components. Meanwhile, the catalyst of honey comb type coated with Cu-ZnO/$Al_2O_3$ was used in order to increase the contact area between wet-surface of catalyst and the reactants of gas phase. It was confirmed from these experiments that $H_2$/CO ratio of the simulated coal gas increased from 0.5 to 0.8 by WGS at gas-liquid water interface over the wet surface of honey comb type catalyst at $250^{\circ}C$ and 50 atm.
Transformation behavior and reversible shape memory effct of Ti-Ni-Cu alloys with various Cu content has been investigated by means of electrical resistivity measurement, differential scanning calorimetry. X-ray diffraction and strain gage sensor. The transformation sequence in Ti-Ni-Cu alloys substituted by Cu for Ni up to 5at.% occurs to $B2{\leftrightarrow}B19^{\prime}$ and it proceeds in two stages by addition of 10 at.%Cu. i.e. $B2{\leftrightarrow}B19{\leftrightarrow}B19^{\prime}$. But the content of Cu increases up to 20at.%, it has been transformed in one stage ; $B2{\leftrightarrow}B19$. The shape change of Ti-40Ni-10Cu alloy which was constrain aged in circular form bended in $B2{\leftrightarrow}B19$ transformation but it spreaded out in $B19{\leftrightarrow}B19^{\prime}$ transformation. The amount of reversible shape change (${\Delta}{\varepsilon}$) of Ti-47Ni-3Cu alloy constrain aged at $400^{\circ}C$ after solution treatment has a maximum value of about $5.6{\times}10^{-3}$, but that of cold rolled and constrain aged specimens exhibits a little value independent of Cu concentrations.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.12
no.2
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pp.72-75
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2011
In this study, $(K_{0.5}Na_{0.5})(Nb_{0.97}Sb_{0.03})O_3+0.9$ mol% $K_{5.4}Cu_{1.3}Ta_{10}O_{29}+x$ mol% $K_4CuNb_8O_{23}$ (x = 0, 0.2, 0.6, 0.8) ceramics were prepared by a conventional mixed oxide method. Their microstructure and electric properties were investigated. The secondary phase was made by virtue of $K_4CuNb_8O_{23}$ (KCN) addition in the $(K_{0.5}Na_{0.5})(Nb_{0.97}Sb_{0.03})O_3$ system ceramics. However, the sinterability of the ceramics increased with increasing $K_4CuNb_8O_{23}$ content. At the 0.6 mol% $K_4CuNb_8O_{23}$ added composition ceramics sintered at $1,060^{\circ}C$, kp and $d_{33}$ showed the optimum values of 0.39 and 145 pC/N, respectively, suitable for piezoelectric actuator application.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1993.05a
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pp.134-136
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1993
Using the extended H$\ddot{u}$ckel molecular orbital method in connection with the tight binding model, we have studied electronic structure and related properties of superconducting $YBa_2Cu_3O_{7-x}$ crystals in which O-atoms in regular sites were selectively replaced with F atoms. The calculations are based on the crystal structure of Y-Ba-Cu-O obtained by Beno et al.. We use atomic coordinates that refer to the unrelaxed Y-Ba-Cu-O system. In analogy to the isomerism problem with molecules, we discuss all possible combinations of F-substitutions in O-sites with one, two, and four F atoms. The calculations are carried out within charged clusters model for the analogues of the YBa-free copperoxide. Our results suggest that the electronic structure of the symmetrically F-substituted or F-added compound is closer to that of the oxygen-deficient superconducting compound than that obtained from unsymmetrical substitution. This applies in particular if O is replaced with in an O(1) site. This suggests that superconductivity is very sensitive to the oxygen content of the $CuO_2$ layers.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.229-229
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2010
With the scaling down of ultra large integrated circuits (ULSI) to the sub-50 nm technology node, the need for an ultra-thin, continuous and conformal diffusion barrier and Cu seed layer is increasing. However, diffusion barrier and Cu seed layer formation with a physical vapor deposition (PVD) method has become difficult as the technology node is reduced to 30 nm and beyond. Recent work on self-forming barrier processes using PVD Cu alloys have attracted great attention due to the capability of conformal ultra-thin barrier formation using a simple technique. However, as in the case of the conventional barrier and Cu seed layer, PVD of the Cu alloy seed layer will eventually encounter the difficulty in conformal deposition in narrow line trenches and via holes. Atomic layer deposition (ALD) has been known for its good step coverage and precise thickness control, and is a candidate technique for the formation of a thin conformal barrier layer and Cu seed layer. Conformal Cu-Mn seed layers were deposited by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) at low temperature ($120^{\circ}C$), and the Mn content in the Cu-Mn alloys were controlled form 0 to approximately 10 atomic percent with various Mn precursor feeding times. Resistivity of the Cu-Mn alloy films decreased by annealing due to out-diffusion of Mn atoms. Out-diffused Mn atoms were segregated to the surface of the film and interface between a Cu-Mn alloy and $SiO_2$, resulting in self-formed $MnO_x$ and $MnSi_xO_y$, respectively. No inter-diffusion was observed between Cu and $SiO_2$ after annealing at $500^{\circ}C$ for 12 h, indicating an excellent diffusion barrier property of the $MnSi_xO_y$. The adhesion between Cu and $SiO_2$ was enhanced by the formation of $MnSi_xO_y$. Continuous and conductive Cu-Mn seed layers were deposited with PEALD into 32 nm $SiO_2$ trench, enabling a low temperature process, and the trench was perfectly filled using electrochemical plating (ECD) under conventional conditions. Thus, it is the resultant self-forming barrier process with PEALD Cu-Mn alloy film as a seed layer for plating Cu that has further potential to meet the requirement of the smaller than 30 nm node.
Park, Seung Woo;Son, Jae Hong;Sim, Sang Bo;Choi, Yeon Bin;Bae, Dong Sik
Korean Journal of Materials Research
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v.29
no.1
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pp.37-42
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2019
This study investigates Ag coated $Cu_2O$ nanoparticles that are produced with a changing molar ratio of Ag and $Cu_2O$. The results of XRD analysis reveal that each nanoparticle has a diffraction pattern peculiar to Ag and $Cu_2O$ determination, and SEM image analysis confirms that Ag is partially coated on the surface of $Cu_2O$ nanoparticles. The conductive paste with Ag coated $Cu_2O$ nanoparticles approaches the specific resistance of $6.4{\Omega}{\cdot}cm$ for silver paste(SP) as $(Ag)/(Cu_2O)$ the molar ratio increases. The paste(containing 70 % content and average a 100 nm particle size for the silver nanoparticles) for commercial use for mounting with a fine line width of $100{\mu}m$ or less has a surface resistance of 5 to $20{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$, while in this research an Ag coated $Cu_2O$ paste has a larger surface resistance, which is disadvantageous. Its performance deteriorates as a material required for application of a fine line width electrode for a touch panel. A touch panel module that utilizes a nano imprinting technique of $10{\mu}m$ or less is expected to be used as an electrode material for electric and electronic parts where large precision(mounting with fine line width) is not required.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2000.04a
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pp.73-73
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2000
Shear strength of BGA solder joints on Cu pad was studied for Cu-contained Sn n.5 a and 2.5wt.% Cu) and Sn-Pb (o.5wt.% Cu) solders, with emphasis on the roles of the C Cu-Sn intermetallic layer thickness and the roughness of the interface between the i intermetallic layer and solder. The shear strength test was performed both for a as-soldered s이der joints with soldering reaction times of 1, 2, 4 min and for aged s이der j joints at 170 C up to 16 days. The Cu addition to both pure Sn and eutectic Sn-Pb s solders increased the intermetallic layer thickness at both soldering and aging t temperatures. The Cu addition also resulted in changes in the roughness of the interface b between the intermetallic layer and solder at as-soldered states. With increasing Cu c content. the interface roughened for Sn-Cu solders whereas it flattened for Sn-Pb-Cu s solders. The shear fractures in all solder joints investigated were confined in the bulk s solder rather than through the intermetallic layer. Therefore, the effect of Cu content in s solders on the shear strength of the solder joints was primarily attributed to its i influence on the micros$\sigma$ucture of bulk solder, such as the size and spatial distributions of CU6Sn5 precipitates. In addition, the critical intermetallic layer thickness for a m maximum shear strength seemed to depend on the Cu content in bulk solder.older.
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