• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2005.05a
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• pp.49-49
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• 2005

• Proceedings of the Korea Society for Energy Engineering kosee Conference
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• 1995.11a
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• pp.38-41
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• 1995

화석연료의 연소에 의하여 방출되는 SO$_2$ 와 NO 에 의한 대기오염의 심각성은 이미 잘 알려져 있으며 그에 따른 배출규제 또한 강화되고 있다. 최근에는 탈황과 탈질을 동시에 처리하는 동시 탈황탈질 공정의 연구가 진행되고 있다. 동시제거 공정은 주로 흡수제/촉매를 토대로 개발되고 있으며 산화구리가 담지된 알루미나 (CuO/${\gamma}$-A1$_2$O$_3$) 흡수제/촉매는 SOx, NOx 동시제거에 효과적인 물질로 알려져 있다. 담지된 CuO 와 담체 A1$_2$O$_3$는 SO$_2$ 와 $O_2$ 존재하에 반응하여 CuSO$_4$ 와 $Al_2$(SO$_4$)$_3$ 가되며 [1] CuSO$_4$ 와 미반응된 CuO 는 NO 제거를 위한 촉매로서의 역할을 하게 된다 [2].

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.15 no.1
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• pp.33-37
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• 2008

A noticeable amount of Kirkendall voids formed at the Sn-3.5Ag solder joint with electroplated Cu, and that became even more significant when an additive was added to Cu electroplating bath. With SPS, a large amount of voids formed at the $Cu/Cu_3Sn$ interface of the solder joint during thermal aging at $150^{\circ}C$. The in-situ AES analysis of fractured joints revealed S segregation on the void surface. Only Cu, Sn, and S peaks were detected at the fractured $Cu/Cu_3Sn$ interfaces, and the S peak decreased rapidly with AES depth profiling. The segregation of S at the $Cu/Cu_3Sn$ interface lowered interface energy and thereby reduced the free energy barrier for the Kirkendall void nucleation. The drop impact test revealed that the electrodeposited Cu film with SPS degraded drastically with aging time. Fracture occurred at the $Cu/Cu_3Sn$ interface where a lot of voids existed. Therefore, voids occupied at the $Cu/Cu_3Sn$ interface are shown to seriously degrade drop reliability of solder joints.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.128-128
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• 2016

Cu 배선폭 미세화 기술은 반도체 디바이스의 성능 향상을 위한 핵심 기술이다. 현재 배선 기술은 lithography, deposition, planarization등 종합적인 공정 기술의 발전에 따라 10x nm scale까지 감소하였다. 하지만 지속적인 feature size 감소를 위하여 요구되는 높은 공정 기술 및 비용과 배선폭 미세화로 인한 재료의 물리적 한계로 인하여 배선폭 미세화를 통한 성능의 향상에는 한계가 있다. 배선폭 미세화를 통한 2차원적인 집적도 향상과는 별개로 chip들의 3차원 적층을 통하여 반도체 디바이스의 성능 향상이 가능하다. 칩들의 3차원 적층을 위해서는 별도의 3차원 배선 기술이 요구되는데, TSV(through-Si-via)방식은 Si기판을 관통하는 via를 통하여 chip간의 전기신호 교환이 최단거리에서 이루어지는 가장 진보된 형태의 3차원 배선 기술이다. Si 기판에 $50{\mu}m$이상 깊이의 via 및 seed layer를 형성 한 후 습식전해증착법을 이용하여 Cu 배선이 이루어지는데, via 내부 Cu ion 공급 한계로 인하여 일반적인 공정으로는 void와 같은 defect가 형성되어 배선 신뢰성에 문제를 발생시킨다. 이를 해결하기 위해 각종 유기 첨가제가 사용되는데, suppressor를 사용하여 Si 기판 상층부와 via 측면벽의 Cu 증착을 억제하고, accelerator를 사용하여 via 바닥면의 Cu 성장속도를 증가시켜 bottom-up TSV filling을 유도하는 방식이 일반적이다. 이론적으로, Bottom-up TSV filling은 sample 전체에서 Cu 성장을 억제하는 suppressor가 via bottom의 강한 potential로 인하여 국부적 탈착되고 via bottom에서만 Cu가 증착되어 되어 이루어지므로, accelerator가 없이도 void-free TSV filling이 가능하다. Accelerator가 Suppressor를 치환하여 오히려 bottom-up TSV filling을 방해한다는 보고도 있었다. 본 연구에서는 유기 첨가제의 치환으로 인한 TSV filling performance 저하를 방지하고, 유기 첨가제 조성을 단순화하여 용액 관리가 용이하도록 하기 위하여 suppressor만을 이용한 TSV filling 연구를 진행하였다. 먼저, suppressor의 흡착, 탈착 특성을 이해하기 위한 연구가 진행되었고, 이를 바탕으로 suppressor만을 이용한 bottom-up Cu TSV filling이 진행되었다. 최종적으로 $60{\mu}m$ 깊이의 TSV를 1000초 내에 void-free filling하였다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 1998.05a
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• pp.70-71
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• 1998

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.38 no.1
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• pp.74-79
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• 1994

The participation of superoxide in initiating tissue damage derived from xenobiotics is best illustrated by paraquat intoxication. In the present study, the roles of superoxide dismutase and catalase on paraquat-induced cell injury were investigated using primary cultured rat skin fibroblast. The degree of cell injury was assassed by the conversion of reduced MTT to a blue formazan. Paraquat produced concentration-and time-related cell injury in cultured rat skin fibroblast. Paraquat induced-cell injury was aggravated by pretreatment of aminotriazol (AT: 10 mM), an catalase inhibitor, and attenuated by addition of catalase (100∼500 unit/ml). However, the effects of diethyldithiocarbamate (DDC : 10 mM), copper- and zinc-containing superoxide dismutase (Cu, Zn-SOD) inhibitor, and Cu, Zn-SOD on paraquat-induced injury were not significant. These results suggest that hydrogen peroxide might be more responsible factor than superoxide in the pathogenesis of paraquat-induced cell injury.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.2 no.1
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• pp.30-37
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• 1991

The production of hydrogen from steam by reduced iron with additives such as CuO, $In_2O_3$, $MoO_3$ and $WO_3$ has been kinetically investigated. It was shown that all additives have a promoting effect on reaction activity in the order of $$MoO_3{\gg}In_2O_3{\sim_=}WO_3{\sim_=}CuO$$. The shrinking core model was applied to predict the complete conversion time and the results were quite comparable with experimental values. The reaction was carried out in a fixed flow reactor packed with reduced iron with 1 wt % of additives under the conditions, $600-750^{\circ}C$, Ar flow rate of 1 L/min and steam partial pressure of 0.085 atm. The apparent activation energies were 14.2, 20.9, 21.3, 22.4 and 27.9 kJ/mol with $MoO_3$, $In_2O_3$, $WO_3$, CuO and without additive, respectively.

• Journal of Hydrogen and New Energy
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• v.19 no.5
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• pp.394-402
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• 2008

The Effects of Cu or Ni additives co-added with Ce/Zr mixed oxides to Fe-based oxide mediums were investigated for the purpose of the replacement of Rh, a precious metal additive, in terms of hydrogen storage(reduction by hydrogen) and release(water splitting). From the results of temperature programmed reduction(TPR), initial reduction rate of iron oxide in the mediums was greatly increased with the addition of Cu, similar to that of Rh. For isothermal redox reaction of 10 cycles, the total amounts of hydrogen evolved in water splitting steps for the mediums added with Cu or Ni were highly maintained at ca. 7 mmol/g-material, even though the oxidation rates were slightly lower than that for the medium added with Rh. This result suggests that the replacement of Rh to Cu or Ni is possible as a co-additive for Fe-based oxide mediums.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.112-112
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• 2016

인체접촉시 니켈도금의 알러지 반응을 억제하기 위한 대체 도금기술인 비 시안계 Cu-Sn 합금도금을 개발함에 있어서, 황산구리5수화물과 황산제일주석을 금속염으로 하여 황산 및 계면활성제, 유화제 등을 포함한 각종 유기첨가제를 포함하였고 특히 은백색조의 외관 색상과 안정적인 Cu-Sn 합금전착을 위해 2종의 착화제인 EDTP($C_{14}H_{32}N_2O_4$)와 TEA(Triethanolamine)를 첨가한 비 시안계 Cu-Sn 합금 도금액을 도출하였다. Cu-Sn 합금도금 피막 조성의 균일화를 도모하기 위해서는 합금 도금액중의 Cu와 Sn 금속이온 농도를 일정하게 유지하는 것이 필요하다. 그러나 합금 도금액중 2가 주석이온($Sn^{2+}$)은 수용액중에서 4가 주석이온($Sn^{4+}$)으로 산화됨으로써 도금액 색상이 백탁이 되고 Stannic Hydroxide($Sn(OH)_4$, $SnO_2{\cdot}2H_2O$)이 생성되어 대량의 침전물이 침강하는 문제점이 발생되는 등 시간 경과에 따른 도금액의 경시 변화가 발생되었다. 상기 침전물은 연속여과에 의해 제거 가능하나 합금 도금액중 $Sn^{2+}$ 농도가 지속적으로 감소하게 된다. 이는 합금 도금액중 금속이온 비율이 변동함으로써 합금도금 피막의 조성비를 일정하게 유지하는 것이 곤란해진다. 이에 $Sn^{4+}$ 침전물 생성을 방지하기 위한 산화방지제를 개발하고 또한 산화방지제의 첨가에 따른 도금 피막 외관에 미치는 영향을 평가하여 외관 개선을 위한 광택제를 개발하고자 한다. 본 연구의 결과를 토대로 니켈도금과 동등 이상의 기능 특성을 갖는 비시안계 Cu-Sn 합금도금액을 개발하여 실용화하는 것을 목적으로 하였다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2001.11a
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• pp.230-234
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• 2001

본 연구에서는 Alumina(A1$_2$O$_3$) based Slurry를 이용하여 CU CMP를 할 때 첨가제의 영향을 Removal rate와 Etch rate 측면에서 조사하였다. 각각의 첨가제의 종류와 조성의 변화에 따라 Polishing에 미치는 영향을 연구하였다. Cu의 Removal rate는 Etch rate와 달리 Organic acid의 종류에 직접적으로 영향을 받는다. Citric acid는 높은 Removal rate와 슬러리 내에서 안정성이 가장 좋은 결과를 보이고 있다. Citric acid의 농도가 증가하면 증가할수록 Removal rate는 증가하였다. BTA의 농도에 따라서 Cu의 Removal rate와 Etch rate의 감소를 확인할 수 있다. EDTA의 농도에 따라서는 증가함을 볼 수 있다.