• Korean Chemical Engineering Research
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• 제61권2호
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• pp.196-201
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• 2023

우리는 금속 산화물 CuO nanoparticles (CuO NPs)과 전도성 고분자 Polyaniline (PANI)가 접목된 CNT fiber 유연 전극(CuO NPs/PANI/CNT fiber 전극)을 개발하여 H₂O₂ 검출용 비효소적 전기화학센서에 적용하였다. CNT fiber 표면 위에 PANI와 CuO NPs을 전기화학적 합성/증착을 통해 제작된 CuO NPs/PANI/CNT fiber 전극은 주사전자 현미경(SEM)과 에너지분산형 분광분석법(EDS)을 통해 표면 분석이 수행되었으며, 순환전압 전류법(CV)과 전기화학 임피던스법(EIS), 시간대전류법(CA)을 이용하여 전기화학적 특성 및 H₂O₂ 센싱 성능이 분석되었다. CuO NPs/PANI/CNT fiber 전극은 대조군인 bare CNT fiber 전극과 비교하여 약 4.78배의 유효 표면적 증가를 보였으며, 약 8.33배의 전자 전달 저항(R_et) 감소로 인한 우수한 전기 전도성 및 효율적인 전자전달 등의 전기화학적 특성을 나타냈다. 이런 향상된 전극 특성은 CuO NPs와 PANI의 접목을 통한 시너지 효과에 기인한 것으로, 결과적으로 H₂O₂ 검출에 대한 센싱 성능이 개선되었다.

• Progress in Superconductivity
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• 제2권2호
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• pp.65-70
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• 2001

$Pb/Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+\delta}$-single-crystal junctions with the tunneling direction along the c axis of the crystal were fabricated to obtain an s-wave-superconductor/d-wave-superconductor Josephson junctions. The tunneling R (T) curves and current-voltage characteristics show distinct features which can be explained only under the assumption that the order parameter of high-$T_c/Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+{\delta}}$ superconductors has a pure d-wave symmetry, which is in contrast to the case of $YBa_2Cu_3O_{7+{\delta$}}$erconductors where a minor s-wave component is also present..

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제27권4호
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• pp.39-45
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• 2020

The Cu/Cu2O/CuO photoelectrode has been successfully fabricated by Rapid Thermal Annealing technique. The structural characterization of fabricated photoelectrode was performed using X-Ray diffraction, while elemental composition of the prepared material has been checked with X-Ray Photoelectron Spectroscopy. The synthesis parameters are optimized on the basis of photoelectrochemical performance. The best photoelectrochemical performance has been observed for the Cu/Cu2O/CuO photoelectrode fabricated at 550 ℃ oxidation temperature and oxidation time of 50 seconds with highest photocurrent density of -3 mA/㎠ at -0.13 V vs. RHE.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1997년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.49-53
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• 1997

In this paper, YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ superconductor was sintered by means of conventional solid reaction and the textured YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ was prepared by the Melted-Condensed Process in which SmBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ crystal was used as seed crystal to introduce the YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ crystal growth. The texture of YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ was examined by X-ray diffraction, and the fracture of YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ sample was observed by SEM, which proved the sample was well oriented. After oxygen absorption of the textured YbBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ sample, it's critical temperature was measureed to be 86K.eed to be 86K.

• 대한화학회지
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• 제47권6호
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• pp.614-618
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• 2003

고상반응으로 $Sr_2Ru_{1-x}Cu_xO_{4-y}(0.0{\le}x{\le}0.5)$ 화합물을 합성하였다. X-선 회절 분석 결과에 대한 Rietveld 정밀화로부터 합성된 $Sr_2Ru_{1-x}Cu_xO_{4-y}$ 화합물은 $0{\le}x{\le}0.30$의 Cu 치환 범위에서는 모두 단일상의 정방정계 구조를 갖는 $K_2NiF_4$ 형태의 구조를 취하지만, $0.4{\le}x{\le}0.5$의 범위에서는 미량의 $Sr_2CuO_3$ 화합물의 회절 피이크가 관찰되는 이중상을 갖는 화합물로 존재한다는 사실을 알 수 있었다. $Sr_2RuO_4$ 화합물의 Ru자리에 Cu 이온을 부분적으로 치환할 때의 전이금속 이온인, Ru와 Cu이온의 원자가 상태는 X-선 전자 분광법으로 확인하였다. $Ru\; 3p_{3/2}$ 전자와 $Cu\; 2p_{3/2}$ 전자의 결합에너지 측정으로부터 $Ru^{4+},\;Cu^{2+}$를 갖는 것으로 확인되었다. $Sr_2RuO_4$ 화합물의 Ru 자리에 치환하는 Cu 이온의 농도를 증가할수록 $Ru-O1({\times}4)$ 와 $Ru-O_2({\times}2$)의 결합길이 차이가 ${\Delta}=0.1329 {\AA}Sr_2RuO_4$ 경우)에서 ${\Delta}=0.0383 {\AA}(Sr_Ru_{0.7}Cu_{0.3}O_{4-y}$ 경우)으로 변하며, c/a 역시 감소하는 경향을 나타내고 있다. 따라서, $Sr_2RuO_4$ 화합물의 Ru 자리에 Cu 이온을 치환함에 따라 $RuO_6$ 팔면체의 국부 대칭성의 변화에 의해 결정구조가 정방정계로의 변화를 수반하면서, 이에 따른 $Sr_2Ru_{1-x}Cu_xO_{4-y}$의 전달특성이 금속에서 반도체로 변화한다.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권1호
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• pp.106-112
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• 1995

In order to examine the effect of CuO and Al2O3 addition on the electrical conductivity of ZnO, both Al2O3 (0, 1, 2, 5, 10at.%) and CuO (1, 5at.%) were added to ZnO. Al2O3 addition (~2at.% Al) increased the total electrical conductivity of ZnO which was already decreased by CuO doping effect Above solid solubility of Al (~2at.%), ZnAl2O4 formed and the total electrical conductivity decreased due to the decrease of sintered density. Impedance measurements were used to know the reason and degree of contribution of three resistive elements, ZnO grain, ZnO/CuO, and ZnO/ZnO grain boundaries, to the total electrical conductivity changed.

• 한국재료학회지
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• 제6권7호
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• pp.684-691
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• 1996

Bi-계 고온초전도체인 Bi2Sr2Ca2Cu3O10(Bi-2223)단일상을 반응시간을 줄이면서 합성하기 위하여 Bi-Sr-Ca-Cu-O계 내에 존재하는 Bi2Sr2Ca2Cu3O10(Bi-22o1), Bi2Sr2Ca2Cu3O10(Bi-2212), (Ca0.91Sr0.09)-CuO2의 혼합물, 특히 정확한 Bi1.7Pb0.4Sr2Ca2Cu3O10+x의 조성대신 (Ca0.91Sr0.09)CuO2가 많이 첨가된 조성의 혼합물에서 Bi-2223가 가장 쉽게 형성되었다. Bi-2223상은 86$0^{\circ}C$와 87$0^{\circ}C$에서 60시간 이내에 형성되었다. 소량의 Bi-2212상은 장시간의 반응후에도 여전히 존재하였다. 중간화합물을 이용한 합성방법이 통상의 소결방법에 비해 반응시간내에 소량의 불순물상들을 가진 Bi-2223상을 형성시킬 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.1018-1021
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• 2001

1018-1021 The CuO-P$_2$O$_{5}$ containing P$_2$O$_{5}$ as glass-former were prepared by press-quenching method on the copper plate. By post-heat treatment of these glasses, the CuO-P$_2$O$_{5}$ -V$_2$O$_{5}$ -g1ass ceramics was obtained and the crystallization behavior and dc conductivities were investigovted. The heat-treated glass-ceramics decreased in electrical conductivity by the order of 10$^1$ compared to amorphous glass. The linear relationship between In($\sigma$T) and T$^{-1}$ indicated that electrical conduction in CuO-P$_2$O$_{5}$ -V$_2$O$_{5}$ -gass occurred by a small polaron hopping.

• 한국재료학회지
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• 제10권2호
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• pp.160-165
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• 2000

Sputter Cu(1-4.5at.%Mg) alloy를 100mTorr이하의 산소압력에서 온도를 증가시키며 열처리하였을 때 표연과 계면에서 형성된 MgO의 확산방지막 특성을 살펴보았다 먼저, $Cu(Mg)/SiO_2/Si$ 구조의 샘플을 열처리했을 때 계면에서는 $2Mg+SiO_2{\rightarrow}2MgO+Si$의 화학반응에 의해 MgO가 형성되는데 이 MgO충에 의해 Cu가 $SiO_2$로 확산되는 것이 현저하게 감소하였다. TiN/Si 기판 위에서도 Cu(Mg)과 TiN 계면에 MgO가 형성되어 Cu(4.5at.%Mg)의 경우 $800^{\circ}C$까지 Cu와 Si의 확산을 방지할 수 있었다. 표면에 형성된 MgO위에 Si을 증착하여 $Si/MgO(150\;{\AA})/Cu(Mg)/SiO_2/Si$구조로 만든 후 열처리했을 때 $150\;{\AA}$의 MgO는 $700^{\circ}C$까지 Si과 Cu의 확산을 방지할 수 있었다. 표면에 형성된 MgO($150\;{\AA}$)의 누설전류특성은 break down 5V, 누설전류 $10^{-7}A/\textrm{cm}^2$의 값을 나타냈다. 또한 $Si_3N_4/MgO$ 이중구조에서는 매우 낮은 누설전류밀도를 나타냈으며 MgO에 의해 $Si_3N_4$ 증착시 안정적인 계면이 형성됨을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제14권12호
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• pp.829-834
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• 2004

Annealing of $Cu(B)/Ti/SiO_2$ in vacuum has been carried out to investigate the effects of Ti underlayer on microstructure in $Cu(B)/Ti/SiO_2$ structures. For comparison, $Cu(B)/Ti/SiO_2$ structures was also annealed in vacuum. Three different temperature dependence of Cu growth can be seen in $Cu(B)/Ti/SiO_2$; B precipitates- pinned grain growth, abnormal grain growth, normal grain growth. The Ti underlayer having a strong affinity for B atoms reacts with the out-diffused B to the Ti surface and forms titanium boride at the Cu-Ti interface. The formation of titanium boride acts as a sink for the out-diffusion of B atoms. The depletion of boron in grain boundaries of Cu films, as results of the rapid diffusion of B along the grain boundaries and the insufficient segregation of B to the grain boundaries, induces grain boundaries to migrate and causes the abnormal grain growth. The increased bulk diffusion coefficient of B within Cu grains can be responsible for the normal grain growth occurring in the annealed $Cu(B)/Ti/SiO_2\;at\;600^{\circ}C$. In contrast, the $Cu/SiO_2$ structures show only the abnormal growth of grains and their sizes increasing as the temperature increases above $400^{\circ}C$.