Ceramics based on CaTiO₃-NdAlO₃ solid solutions were synthesized in order to study their dielectric microwave properties. Microstructural analysis was performed with scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM) using different analytical methods such as energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDXS). It was observed that the heating conditions during sintering and cooling strongly affect the microstructural development of CaTiO₃-NdAlO₃-based ceramics. Various types and concentrations of structural defects were identified, for example, dislocations, twins and/or antiphase boundaries. all such defects resulted in a degradation of the dielectric microwave properties, in particular the quality factor Q. Dielectric properties of CaTiO₃-NdAlO₃-based ceramics can be improved by an appropriate thermal treatment of ceramics which results in a decrease in the concentrations of the identified microstructural defects.
In a 200 mm Cz-Si crystal, a macroscopic fluctuation in pulling rate was intentionally introduced then the variations of the pulling rate and the formation behaviors of grow-in defects were compared. The diameters of the OSF-ring and the FPD area were affected by the fluctuation in the region above 1100℃. The COP density depended on the diameter of the OSF-ring. ΔOi and BMD were affected by the fluctuation in the region near 1000Δ. As the result, when a macroscopic fluctuation in pulling rate is introduced, the quality of crystal in the region of 150 mm from the growth interface should be reviewed carefully because it can be affected by the fluctuation.
In a Czochralski silicon single crystal, the relation between the growth twin and the crystal morphology was investigated. The growth twin is nucleated on the {111} facet planes near the growth ridges. When a {111} growth twin is formed in the <100> silicon crystal, the growth ridge where twin is nucleated will continuous through the twin plane. Other two ridges at the 90。 apart will be displaced about 33° and be deformed to facets. The ridge on the opposite side of twin nucleation will disappear by forming a slight hill. Because the growth ridges of silicon is due to the {111} planes, the variation in the growth ridge formation can be predicted clearly by considering the change of the {111} plane traces in the stereographic projection after twining.
We have been investigated the flaking mechanism of the soda-line glass. The pH of aqueous solution approached to 10 and increased with reaction time by ion exchange reaction between Na/sup +/ ion of glass and H/sup +/ ion of aqueous solution under the conditions of below pH 9 of start solution. The relationship between the pH of solution and reaction time shows logarithm. Total dissolution reaction of glass components by OH/sup -/ ion in aqueous seems to be dominant after the pH solution reached to 10 and the dissolution rate linearly increased with reaction time. The above tow reactions are simultaneously occurred. The dissolved Ca/sup 2+/ ions are reprecipitated on the glass surface to Ca-compound. The flakes are formed by the separation of leached layer of glass due to the different thermal expansion coefficient.
CMR Materials RE/sub 1-x/Ca/sub x/MnO₃(RE=La, Nd, A=Ca, Sr) were grown using the floating zone image furnace with halogen lamps as heat source. The growth condition was at 2∼10 mm/hr growth rate in air atmosphere, were 445∼50 rpm and 20∼25 rpm of rotation rate of feedrod and growing crystal, respectively. The grown crystals showed shiny black color and annealed at 1500℃ in a box furnace to release the residual stress during cooling. Characterization analyses of the crystal were carried out using XRD and SEM. The crystal structure of Nd/sub 0.7/Ca/sub 0.3/MnO₃ was analyzed with smart CCD XRD was lattice parameter of a=5.425(4)Å, b=5.434(4)Å, and c=7.712(5)Å, an orthorombic system with space group of pbnm.
Nanocrystalline hydrogenated silicon (nc-Si : H) thin films were deposited at room temperature by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD): a mixture of SiH₄ and H₂ gas was introduced into the evacuated reaction chamber. When the H₂ gas flow rate was low, the density of Si-H₃ bonds was high in the films. On the other hand, when the H₂ gas flow rate was high, e.g., 100 sccm, a large number of Si-H bonds contributed to the passivation of the surface of the large volume of Si nanocrystallites. The relative fraction of the Si-H₃ and Si-H₂ bonds in the amorphous matrix varied sensitively with the H₂ gas flow rate. The variation was associated with the change in the intensity as well as the wavelength of the main PL peaks, indicating the change in the total volume as well as the size of the Si nanocrystallites in the films.
VGF법을 사용하여 CuBr₂ dopant가 첨가된 Bi₂Te/sub 2.55/Se/sub 0.45/ 열전재료를 제조하였다. 이 방법을 사용하여 일방향으로 성장된 Bi₂Te/sub 2.55/Se/sub 0.45/ 잉곳의 제조가 가능하였으며 XRD 분석 결과 우선성장 방향이 (0 1 5)면임이 밝혀졌다. 본 실험을 통하여 제조한 열전재료의 Seebeck 계수와 전기전도도를 373∼523 K 범위에서 측정하였다.
Graphite powders were coated with ZrO₂ by the controlled hydrolysis of a DI water, ethanol and DI water+ethanol solutions. The hydrolysis process was carried out with temperature control because of the low wettability of Zr ions to the surface of the graphite. PVA was added to the solution for the enhancement of metal ion adsorption. The surface of the graphite powders coated with ZrO₂ was observed by SEM and TEM. There are two types of ZrO₂ particles with the condition of ZrOCl₂°§8H₂O aqueous solutions were used; (a) primary particles a few nm in size and (b) secondary particles with ∼0.1 ㎛ size were obtained. The graphite powders coated in 50% ethanol-50% DI water solution of Zr(SO₄)₂ㆍ4H₂O have the relatively uniform coating layer and the starting temperature of oxidation was 100℃ higher than the raw graphite.
(Ba/sub 1-x/Sr/sub x/)TiO₃ (BST, 0.4< x <0.65) single crystals were successfully grown by the TSSG (Top-Seeded Solution Growth) method, using a commercial [100] SrTiO₃ or as-grown [100] BST single crystals as seed crystals. To obtain the BST single crystals with various compositions x, the Ba/sr molar ratios in the solutions were systematically controlled while the Ti ion content among all cations was fixed at 67 mol%. A linear regression curve between their x values and the molar ratios of Sr/(Ba + Sr) in the solutions could be obtained, which in turn could used to select the initial composition to produce BST crystal with an aimed x value. In addition, the isothermal growth was found more effective for obtaining a compositional uniformity than a slow cooling process.
LiAl/sub 0.24/Mn/sub 1.76/O/sub 4-y/S/sub y/ (y=0, 0.02) were synthesized by the sol-gel method. Both structures were refined by Rietveld method, its structure refined as a cubic spinel, space group Fd-3m, a=8.17937(30) Å and 8.18331(19) Å respectively. Though it has been made a charge/discharge experiment above 20 times, there was no change of 3 V/4 V capacity degradation. It was considered that the volume change of MnO/sub 6/ octahedron induced by sulfur substitution plays a key role in keeping the 3 V/4 V capacity. The refined composition of the compound could be confirmed with the ICP analysis.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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