결정성장 도중 전류에 의해 고/액 계면에서 발생하는 Peltier 열을 이용하면 온도구배의 증가와 이에 따른 성장속도의 증가 및 결정성의 향상에 기여할 것이라 예상되어, 고/액 계면에서 복합적으로 발생하는 Peltier 효과를 조사하였다. 전류 밀도, 극성 및 온도구배의 변화에 따른 고상과 액상 및 그 계면에서의 온도변화로부터 이론적 추론에 의해 Peltier 열, Thomson 열 및 Joule 열만의 영향으로 분류할 수 있었고, 고상/액상 계에 대한 Peltier 계수 및 Thomson 계수도 구할 수 있었다.
화학적 습식 에칭을 통해 AlN와 GaN의 결함 및 표면 특성을 분석했다. 화학적 습식 에칭은 단결정의 결함을 선택적으로 에칭하기 때문에 결정의 품질을 평가하는 좋은 방법으로 주목 받고 있다. AlN와 GaN의 단결정은 NaOH/KOH 용융액을 이용하여 에칭을 했으며, 에칭 후 표면 특성을 알아보기 위해 주사전자현미경(SEM)과 원자힘 현미경(AFM)을 촬영했다. 에치 핏의 깊이를 측정하여 표면에 따른 에칭 속도를 계산했다. 그 결과 AlN와 GaN 표면에는 두 개의 다른 형태에 에치 핏이 형성 되었다. (0001)면의 metal-face(Al, Ga)는 육각 추를 뒤집어 놓은 형태를 갖는 반면 N-face는 육각형 형태의 소구 모양(hillock structure)을 하고 있었다. 에칭 속도는 N-face가 metal-face(Al, Ga)보다 각 각 약 109배(AlN)와 5배 정도 빨랐다. 에칭이 진행되는 동안 에치 핏은 일정한 크기로 증가하다 서로 이웃한 에치 핏들과 합쳐지는 것으로 보여졌다. 또한 AlN와 GaN의 에칭 공정을 화학적 메커니즘을 통해 알아 보았는데, 수산화 이온($OH^-$)과 질소의 dangling bond에 영향을 받아 metal-face(Al, Ga)와 N-face가 선택적으로 에칭되는 것으로 추론되었다.
The fabrication of liquid crystal display (LCD) panels involves several thermal processes such as imidization of the alignment layer (AL) and annealing of the rubbed polyimide AL. The nature of these processes on the LC alignment, especially on the pretilt angle (Θ$\_$p/) has been systematically studied, employing various types of polyimide structures. The imidization effect depends on the nature of polyimid precursors; Θ$\^$p/ increases with the degree of the imidization for the main-chain type of ALs, due to the decrease in the surface polarity, but this relation is not applicable to the alkylated ones in which the steric effect at the AL surface by the aliphatic side chains is dominant. Annealing of the rubbed polyimide AL deteriorates its rubbing-induced molecular orientation and subsequently the overlying LC alignment, resulting in the decrease in Θ$\_$p/. Especially, annealing of the LC cell affects the LC-AL interaction as well as the AL orientation and thus its effect on LC alignment depends sensitively on the nature of LC-polyimide interface; aromatic moiety in the polyimide structure gives better thermal stability of LC alignment while fluorinated polyimide ALs induce the less stable alignment.
The dynamics of nano or micro sized-particles in liquid crystal (LC) medium under an external electric field is of theoretical and technological interest. A fullerene of 10 wt% was doped into the LC medium and its electric field induced motion was controlled by both in-plane and vertical electric fields. In the proposed device, pixel electrode I and pixel electrode II were designed consecutively on the bottom substrate and common electrode on the top of the substrate. When the electric field was applied, the fullerenes start to move in direction of applied electric field. The dark, grey and white states in the proposed device can be obtained by suitable combination of the polarity of applied electric field at pixel electrode I, pixel electrode II and common electrode. The dynamical motions of fullerene particles in LC medium suggest that fullerene can be designed for electronic-paper like displays.
$450^{\circ}C$ 이하에서 Cu를 이용한 전계 유도 방향성 결정화 공정을 통해 비정질 실리콘의 결정화 거동을 고찰하였다. 열처리와 동시에 전계를 인가하여 Cu가 증착된 패턴의 외부에서 Cu가 존재하지 않는 비정질 실리콘의 영역으로 측면 결정화를 유도하였다. 특히, Cu가 존재하지 않는 영역의 측면결정화는 (-) 전극 쪽에서 (+) 전극 쪽으로 방향성을 가지고 결정화가 진행되었다. 이러한 현상은 Cu와 Si가 반응 할 때, 주확산 종이 금속(Cu)이기 때문에 가능하다고 판단되었다. 또한, FALC 공정을 이용한 $350^{\circ}C$의 온도에서 결정화된 영역 내에 커다란 dendrites 형태의 가지가 형성되었고 전계 방향에 따른 측면 결정화가 진행되었음을 확인하였다. 결론적으로 $350^{\circ}C$의 매우 낮은 온도에서 30 V/cm의 전계 인가를 통해 12$\mu$m/h의 결정화 속도로 결정화가 가능함을 확인하였다.
$\textrm{Bi}_{2}\textrm{Te}_{3}$의 고/액 계면을 통하여 전류밀도와 방향을 달리 하면서 통전시켰을 때 발생하는 고상, 액상 및 고/액 계면에서의 미소 온도변화를 측정하였다. 이 냉각(가열) 효과는 전류밀도, 통전방향 및 시간에 따라 다르게 나타났으며, 온도변화에 미치는 Peltier 열, Thomson 열 및 Joule 열의 영향을 이론 및 실험에 의해 각각 분류하였다. $\textrm{Bi}_{2}\textrm{Te}_{3}$의 고/액상간의 Peltier 계수는 -1.10$\times\textrm{10}^{-1}$V이었으며, 고상과 액상의 Thomson 계수는 각각 7.31\times\textrm{10}^{-4}V/K와 5.77\times\textrm{10}^{-5}V/K이었다. 직류를 통전하면서 Bi$_2$Te$_3$결정을 성장한 결과, 고상에서 액상으로 통전한 경우, Peltier 냉각에 의한 온도구배의 상승으로 방향성이 향상된 결정을 얻을 수 있었지만, 전류의 방향을 반대로 하면, 결정성 향상에 별 도움을 주지 못하였다.
We investigated the residual DC in the in-plane switching (IPS)-liquid crystal display(LCD) by voltage-transmittance (V-T) hysteresis method. Several IPS-LCD which have different concentrations of cynao LCs and different resistivities of fluorine LCs were fabricated. We found that the residual DC voltage of the IPS-LCD was decreasing with increasing concentration of cyano LCs and increasing with decreasing specific resistivity of fluorine LC materials. The residual DC voltage property can be improved by low molecular weight and high polarity of cyano LC.
This paper presents an improved vertical alignment nematic liquid crystal mode characterized by the protrusions or slits of the top substrate and additional stripe type common electrodes with polarity switching of the bottom substrate to improve multi-domain vertically aligned (MVA) and patterned vertically aligned (PVA) nematic modes. MVA and PVA modes have disadvantages such as an LC disclination in the vicinity of the middle region of electrodes between the top and bottom protrusions in MVA mode or the top and bottom slits in PVA mode. Therefore, the stripe type common electrode generating a horizontal electric field and the protrusion or slit producing some pretilt of liquid crystals (LCs) were used to improve the LC disclination, which influences the transmittance and response speed. The simulation results showed that the proposed VA mode has higher transmittance than the MVA and PVA modes. As a result, the proposed VA mode can improve the response speed and transmittance remarkably, which makes it useful for upgrading the LCD display quality.
The voltage holding ratio(VHR) and the residual DC property in the in-plane switching (IPS) cells on a polyimide surface was studied. Several IPS cells which have different concentrations of cyano liquid crystals (LCs) were fabricated. We found that the VHR of the IPS cell was decreased with increasing concentration of cyano LCs. Also, the VHR of the IPS cell was increased with increasing specific resistivity of fluorine LCs. The residual DC voltage of the IPS cell by capacitance-voltage (C-V) hysteresis method was decreased with increasing concentration of cyano LCs. The residual DC property of the IPS cell on the rubbed PI surface can be improved by high polarity of cyano LC.
Al2O3 단결정을 기판을 이용하여 HVPE법으로 GaN를 성장한 후 얻어진 GaN wafer는 N-face에 동종인 GaN를 성장하였다. 이때 동종 성장은 Al2O3와의 열팽창계수 차이로 야기된 휨을 제거할 수 있었으며, 양쪽 면은 결합 밀도가 급격히 감소하였다. 또한 표면 분극을 조사하기 위하여 에칭후 SEM 형상과 CBED를 조사 하였으며 특히 N-face에서의 표면 형상과 PL의 변화를 조사하였다. 이때 N-face의 변화는 초기의 N-face의 특성과 다른 양상을 보여 주고 있으며, DXRD와 PL 분석 걸과 결정성은 두배나 높은 결과를 보여주고 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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