• 공업화학
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• 제28권5호
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• pp.576-580
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• 2017

본 연구에서는 plate-type의 $V_2O_5-WO_3/TiO_2$ SCR 촉매의 열적 비활성화 특성을 고찰하였다. 이를 위하여 plate type의 촉매를 $500{\sim}800^{\circ}C$의 온도에서 3 h 동안 열처리하였다. 촉매의 특성 변화를 고찰하기 위하여 XRD, $N_2$ adsorption-desorption에 의한 비표면적과 기공특성, SEM-EDS 등을 측정하였으며, 열처리 온도에 따른 NOx 전환율을 측정하였다. NOx 전환율은 열처리 온도가 증가함에 따라 감소하였는데 $700^{\circ}C$ 이상인 경우에 크게 감소하였다. 이는 $TiO_2$의 결정상이 anatase에서 rutile로 변하고, $TiO_2$의 입성장 및 $CaWO_4$와 같은 결정상이 생성되어 촉매의 비표면적과 기공부피가 감소하였기 때문이다. 또한 $700^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 촉매 활성물질인 $V_2O_5$가 승화/기화되었으며, 촉매의 담지체로 사용되는 금속 지지체는 Cr 탄화물 형성에 따른 입계 부식과 산화가 발생하는 것으로 나타났다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권4호
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• pp.27-36
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• 2006

약 10%이하의 Pt 또는 Ir 첨가시켜 니켈모노실리싸이드를 고온에서 안정화 시키는 것이 가능한지 확인하기 위해서 활성화영역을 가정한 단결정 실리콘 웨이퍼와 게이트를 상정한 폴리 실리콘 웨이퍼 전면에 Ni, Pt, Ir을 열증착기로 성막하여 10 nm-Ni/l nm-Pt/(poly)Si, 10 nm-Ni/l nm-Ir/(poly)Si 구조를 만들었다. 준비된 시편을 쾌속 열처리기를 이용하여 40초간 실리사이드화 열처리 온도를 $300^{\circ}C{\sim}1200^{\circ}C$ 범위에서 변화시켜 두께 50nm의 실리사이드를 완성하였다. 완성된 Pt와 Ir이 첨가된 니켈실리사이드의 온도별 전기저항변화, 두께변화, 표면조도변화, 상변화, 성분변화를 각각 사점전기저항측정기와 광발산주사전자현미경, 주사탐침현미경, XRD와 Auger depth profiling으로 각각 확인하였다. Pt를 첨가한 결과 기판 종류에 관계없이 기존의 니켈실리사이드 공정에 의한 NiSi와 비교하여 $700^{\circ}C$ 이상의 NiSi 안정화 구역을 넓히는 효과는 없었고 면저항이 커지는 문제가 있었다. Ir을 삽입한 경우는 단결정 실리콘 기판에서는 $500^{\circ}C$ 이상에서의 NiSi와 동일하게 $1200^{\circ}C$까지 안정한 저저항을 보여서 Ir이 효과적으로 Ni(Ir)Si 형태로 $NiSi_{2}$로의 상변태를 적극적으로 억제하는 특성을 보이고 있었고, 다결정 기판에서는 $850^{\circ}C$까지 효과적으로 NiSi의 고온 안정성을 향상시킬 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제13권3호
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• pp.185-190
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• 2003

Titanium dioxide films were prepared by RF sputtering method on glass for various oxygen partial pressures at power 270 W. The crystal structure, photocatalytic property and the hydrophilicity of $TiO_2$thin film the deposition conditions were investigated. Crystallized anatase phase was observed in $TiO_2$film deposited at the ratio of oxygen partial pressure 10% and 20% for 2 hrs. As the increase of deposition time, the grain size and void size of $TiO_2$film have increased and also $V_2$films have been good crystallinity. The ultraviolet-visible light absorption of $TiO_2$films was increased with increasing of deposition time and occured chiefly at the wavelength between 280 and 340 nm. The absorption band was shifted to a longer wave length as deposition time increased. Water contact angle on the X$TiO_2$film of anatase structure was decreased with increasing ultraviolet illumination time and became lower than $11^{\circ}$ from $83^{\circ}$. When hydrophilic $TiO_2$film changed by enough ultraviolet illumination was stored in the dark, the film surface gradually turned to hydrophobic state.

• 대한기계학회논문집A
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• 제40권1호
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• pp.23-31
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• 2016

본 연구에서는 연성 금속재료의 판상형 인장 시편에 대한 동적 물성을 측정하기 위한 인장형 홉킨슨 바(TSHB, Tensile split Hopkinson bar)의 수정 방법에 대해 논의하고, 이를 이용하여 고순도 알루미늄 단결정 및 멀티결정재의 동적 물성을 측정하였다. 시편의 초기 미세조직 및 결정학적 방위는 전자후방 산란회절(EBSD, Electron backscattered diffraction) 분석을 통하여 측정하였으며, 동적 변형 후 파단 형상을 광학 현미경을 통하여 확인하였다. 고속인장 변형 중 시편 내부에 발생하는 변형 분포는 디지털 이미지 상관(DIC, Digital image correlation) 기법을 이용하여 측정하였다. 이를 통해 동적 변형 중 나타나는 알루미늄의 거시적인 소성 변형과 결정학적 방위 및 미세 조직과의 상관관계에 대해 논의하였다.

• 센서학회지
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• 제16권2호
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• pp.159-164
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• 2007

Thin films of platinum were deposited on a $Al_{2}O_{3}/ONO(SiO_{2}-Si_{3}N_{4}-SiO_{2})/Si$-substrate with an 2-inch Pt(99.99 %) target at room temperature for 20, 30 and 60 min by DC magnetron sputtering, respectively X-ray diffract meter (XRD) was used to analyze the crystallanity of the thin films and field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) was employed for the investigation on crystal growth. The densification and the grain growth of the sputtered films have a considerable effect on sputtering time and annealing temperatures. The resistance of the Pt thin films was decreased with increasing deposition time and sintering temperature. Pt micro heater thin film deposited for 60 min by DC magnetron sputtering on an $Al_{2}O_{3}$/ONO-Si substrate and annealed at $600^{\circ}C$ for 1 h in air is found to be a most suitable micro heater with a generation capacity of $350^{\circ}C$ temperature and 645 mW power at 5.0 V input voltage. Adherence of Pt thin film and $Al_{2}O_{3}$ substrate was also found excellent. This characteristic is in good agreement with the uniform densification and good crystallanity of the Pt film. Efforts are on progress to find the parameters further reduce the power consumption and the results will be presented as soon as possible.

• Journal of Welding and Joining
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• 제33권2호
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• pp.8-13
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• 2015

This study was carried out to evaluate mechanical properties of the jointed Al6061/HT590 alloys by friction stir welding (FSW). FSW was conducted under the conditions with tool rotating speed of 500 RPM and traveling speed of 300 mm/min., where Ar gas was introduced to prevent the materials from corrosion during the welding process. Electron back-scattering diffraction (EBSD) was used to characterize microstructures such as grain size, misorientation angle and crystal orientation. Evolution of intermetallic compounds in Al6061 during the process were examined in terms of morphology, size and aspect ratio at three distinct zones Al base material, heat affected zone and stir zone, where transmission electron microscope (TEM) was used. It was revealed that FSW gave rise to refinement of grains as well as growth of intermetallic compounds in Al6061. The morphological changes of intermetallic compounds exerted an influence on mechanical properties, resulting in occurrence of fracture in the part of the base material instead of the jointed parts (heat affected zone and stir zone). This study systematically evaluated the microstructural evolutions during the FSW for joining Al6061 with HT590 and their effect on mechanical properties.

• 한국재료학회지
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• 제10권9호
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• pp.624-628
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• 2000

표면 탄성과 디바이스의 전극재료로 사용되는 Al-%Cu(4000$\AA$)/tungsten nitride 박막을 magnetron sputtering 법으로 제조하고 전기저항을 평가한 비정질상의 tungsten nitride 박막을 제조할 수 있었고, 비정질 형성을 위해 질소비(R =$N_2$/(Ar+$N_2$)가 10~40% 정도 필요하다. Tungsten nitride 박막의 잔류응력은 비정질이 형성되면서 급격히 감소되었다. 이러한 비정질 박막위에 Al-1%Cu 합금막이 형성되었다. 다층막은 453K에서 4시간 동안 열처리함으로써 $3.6{\mu}{\Omega}-cm$의 저항을 나타냈는데, 이는 박막내 결정립 성장과 결함의 감소에 기인하였다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제2권4호
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• pp.229-239
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• 1970

국내산 천연수정의 열형광발생의 성질을 이용해서 ${\gamma}$선의 선량을 측정할 수 있는 가능한 여러가지 방법을 연구하였다. 가열방법이 정확히 선형적일때는 ${\gamma}$선에 조사된 방사선에 민감한 $\alpha$수정은 단일첨두의 열형광 발생곡선을 나타낼 수 있는고로 이 발생곡선의 첨두의 높이는 $\alpha$수정에 의해서 ${\gamma}$선의 선량을 측정하는 방법에 있어서 ${\gamma}$선의 선량을 나타낸다고 볼 수 있다. 이 수정선량계는 2$\times$$10^3$R에서 2$\times$$10^{6}$R까지의 선량범위내에서 열형광강도의 직선성을 나타내었으며, 또한 발생곡선의 첨두때의 온도(300$\pm$4$0^{\circ}C$)가 높은 고로 열형광의 상온에서의 자연상태가 적다는 장점이 있다. 입자의 크기가 0.3<ø<0.9mm인 분말수정은 50R에서 2$\times$$10^3$R까지의 ${\gamma}$선의 선량범위내에서 열형광강도의 직선성을 나타내었다. 암환자의 신체일부에 조사된 ${\gamma}$선의 급수선량을 정확히 측정해야하는 방사선치료상의 적용에 분말수정시료를 사용해본 시도는 좋은 결과였다고 생각된다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제9권2호
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• pp.167-171
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• 2014

CVD를 이용하여 다결정 및 단결정 Cu 시편에 대한 그래핀의 합성 실험을 수행하였으며, 광학현미경 조직사진과 이미지 분석을 통하여 그래핀의 성장거동과 합성에 대한 특성평가 결과를 제시 하였다. 다결정 Cu 시편의 결정성에 따른 그래핀의 성장에 대한 분석의 결과 그래핀의 성장이 다결정 Cu 시편의 결정에 따라 일정한 방향성을 갖고 성장한다는 것을 알 수 있었으며, 다결정 Cu 시편의 이웃하는 단일 결정 내에서 성장하는 그래핀 형성에 대한 이미지 분석의 결과 단층, 복층, 그리고 3층의 그래핀에 대한 특성 분석이 가능하였다. 또한, (111) 방향을 갖는 단결정 Cu 시편을 이용하여 약 $3mm^2$ 정도의 비교적 넓은 면적을 갖는 고품질의 단일층 단결정 그래핀 합성과 이에 대한 특성평가 결과를 나타내고 있다.

• 환경위생공학
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• 제18권3호통권49호
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• pp.35-42
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• 2003

The electric resistance and constant current were investigated on the nickel-thallium-phosphorus alloy deposits by electroless-plating. The Ni-Tl-P alloy deposits were achieved with a bath using sodium hypophosphit as the reducing agent and sodium citrate as the comlexing agent. The basic plating solution is composed of 0.1M NiSO$_4$, 0.005${\sim}$0.0IM Tl$_2$S0$_4$, 0.1${\sim}$O.2M sodium hypophosphite and 0.02${\sim}$O.IM sodium citrate and the plating condition were pH 5${\sim}$6, temperrature 80$_4$90${\circ}$C. The results obtained are summarized as follows: 1) The crystal structure of deposit was amorphous structure as deposited state, became microcrystallized centering on Ni(111) plane by heat treatment at 200${\circ}$C, and grew as polycrystalline Ni, Ni$_3$P, Ni$_5$p$_2$,Tl, etc. by heat treatment higher than 350${\circ}$C. The grain size of plated deposits was grown up to 28.3~42.0nm by heat treatment for 1hour at 500${\circ}$C. 2) The electrical resistivity showed a comparatively high value of 192.5$_4$208.3 ${\mu}$${\Omega}$Cm and its thermal stability was great with resistivity value less than 0.22% in the thermal surroundings of 200${\circ}$C. 3) Ni-Tl-P alloy deposit showed such good constant current-making-effect in the variation of electric voltage, heat treatment temperature, and the composition of the deposit that it can be put to practical use as the matter of constant current device.