In this paper, we suppose that the 1-dimensional photonic crystal using holography lithography. We used Ag doped amorphous AsGeSeS which belongs in the chalcogenide materials have sensitive photoluminescence property. The purpose of this experiment is the process to complete 3-D photonic crystal after making 2-D photonic crystal. The lattice formation was made an observation by irradiating He-Ne laser with the AsGeSeS film leaned obliquely. Then, by measuring formed diffraction beam, the diffraction lattice was calculated.
Kim, Tae-Hong;Sung, Hee-Kyung;Choi, Ji-Won;Yoon, Ki-Hyun
ETRI Journal
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제25권2호
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pp.73-80
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2003
This paper describes an effective method for forming silicon oxide on silica-on-silicon platforms, which results in excellent characteristics for hybrid integration. Among the many processes involved in fabricating silica-on-silicon platforms with planar lightwave circuits (PLCs), the process for forming silicon oxide on an etched silicon substrate is very important for obtaining transparent silica film because it determines the compatibility at the interface between the silicon and the silica film. To investigate the effects of the formation process of the silicon oxide on the characteristics of the silica PLC platform, we compared two silicon oxide formation processes: thermal oxidation and plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Thermal oxidation in fabricating silica platforms generates defects and a cristobalite crystal phase, which results in deterioration of the optical waveguide characteristics. On the other hand, a silica platform with the silicon oxide layer deposited by PECVD has a transparent planar optical waveguide because the crystal growth of the silica has been suppressed. We confirm that the PECVD method is an effective process for silicon oxide formation for a silica platform with excellent characteristics.
This study discussed the formation of phosphate conversion coatings on AZ31 Mg alloy (AZ31) from the zinc phosphating bath with various concentrations of sodium fluoride (NaF). The effects of NaF on the formation, structure, composition and electrochemical behavior of the phosphate coatings were examined using scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD) weight balances, open circuit potential (OCP) transients, potentiodynamic polarization curves and immersion test. The coatings were composed of two layers: an outer $Zn_2(PO_4)_3.4H_2O$ (hopeite) crystal layer and an inner amorphous of $MgZn_2(PO_4)_2$. NaF concentration is emphasized to be highly effective in the formation of the hopeite crystal and etching and coating rates. Potentiodynamic polarization and immersion test showed that the coatings formed in the zinc phosphating bath with addition of NaF have much higher corrosion resistance than bare AZ31.
CO2 가스 발생 감소와 연비향상을 위해서 HEV 차량은 ISG 시스템을 채용하고 있다. 이 ISG 시스템은 배터리가 감당해야 하는 전기 부하를 증대시켰고, 시동 횟수도 급격히 늘어나게 하였다. 이를 위해 AGM 연축전지가 개발되어 사용되고 있으나, 종래의 연축전지에 비해서 formation 중 전해액량 조절이 더 높은 수준으로 유지해야 됨에 따라 충전시간이 약 3배 가량 길어지게 되었다. 본 연구에서는 formation pattern의 최적화를 통해서 충전효율을 증대시켜 충전시간을 단축하고자 하였다. formation pattern의 최적화를 위해서, 16개 multi step에 10개 충전 step과 6개의 방전 step을 적용하고, step별 충전 전류를 조절한 4가지 조건(21 hr, 24hr, 27 hr, 30 hr)으로 시험을 진행하였다. 그 결과 24 hr 시험 조건이 PbO2 변환율이 가장 높게 분석되었고, 용량 103.3 %, 저온시동성능 38 sec, 충전수입성 37.36 A로 나타났다. Multi-step과 방전 step을 적용한 충전 프로그램의 결과, 충전 중에 국부적으로 급격히 발생된 분극화를 제거하고 전류의 손실을 최소함으로써 충전효율을 증가시킬 수 있음을 검증하였다. 이렇게 충전효율을 증가시킴으로써 본 연구에서는 충전시간을 기존에 비해서 약 30 % 감소시키는 탁월한 결과를 얻을 수 있었다.
AUC 침전과정중 AUC 입차를 둥글게 제조하는 조건과 기구를 조사하였다. 둥근 AUC 제조는 교반기를 이용한 내부순환 시는 불가능했으나 펌프를 사용한 외부순환 시는 가능했다. 둥근 AUC 제조속도($dn_p$/dt)는 침전조건인 슬러리 밀도($M_t:U/l)$, 슬러리 회전율($T_o$:turn-over ratio), 임펠러 속도(U:Impelle tip velocity)에 비례하여 관계식을 $ dn_p/dt{\propto}M_t{\cdot}T_o{\cdot}U^2$로 표기할 수 있었으며, 이 속도식은 실험결과와 정성적으로 일치하였다. 그리고 두 개의 둥근 AUC 제조 기구가 제시되었는데, 하나는 균일형성기구이고 다른 하나는 etch-pit 형성기구이다. 전자는 AUC 침전과정에서 초기에 발생되고 후자는 침전과정 말기에 발생되는 것으로 확인되었다.
일차입경이 동일한 $Nb_20_5$분체의 응집 상태가 $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$의 생성 반응 및 소결에 미치는 영향을 조사하였다. 합성 방법으로는 고체 반응법과 용융염법으로 나누어 각각 실험하였다. 고체 반응법의 경우에는 perovskite 상의 생성 반응이 $Nb_20_5$의 응집도가 낮을수록 크게 영향을 받았으나, 용융법시에는 거의 영향을 받지 않았다. 그 이유는 고상 반응법시에는 perovskite 상의 생성이 중간생성물인 perovskite 상의 분포의 균일성, 즉 $Nb_20_5$의 응집도에 지배를 받게되나, 용해, 석출 과정에 의해 진행되는 용융염법에서는 반응물의 비표면적에 의존하므로, 응집도에는 그다지 영향을 받지않는 것으로 사료된다.
FZ법에 의한 결정성장에 있어서 용융대는 고액 계면의 장력에 의해 유지되고 상.하부의 고체봉 사이에 위치하고 있다. 따라서, 용융대의 표면에서는 온도와 농도 차이에 의해 표면장력의 구배가 발생하고 있는 marangoni 대류의 구동력으로 작용한다. 본 연구에서 정상상태의 결정성장시는 결정의 가장자리 영역에서의 Solute 농도는 결정내부 보다도 높아지게 되고 전위의 분포도 불규칙하여 지며, void나 기포 침투, Secondary phase의 생성 및 미소균열등의 결함 발생 확률이 계면부근에서 높아지는 결과를 알 수 있었다. 이는 고액성장 계면이 marangoni 대류에 의하여 이 영역에서 온도의 국부적인 변동에 의해 불규칙하여 지게 되기 때문이라 사료된다.
교정장치의 직접부착을 위하여 일반적으로 사용되고 있는 산부식법의 대체가능 방법중 하나는 결정형성법이며, 폴리아크릴산과 황산이온은 결정형성액의 주요 물질로 알려져 왔다. 이 연구는 황산이온농도와 폴리아크릴산의 농도변화가 결정형성에 미치는 영향을 관찰하여 결정형성용액에 관한 기초자료를 획득하기 위하여 시행되었다. 분자량 5,000의 폴리아크릴산을 $10\%,\;20\%,\;30\%$ 및 $40\%$ 용액으로 만들고, 각각의 용액에 황산이온 농도가 0.1M, 0.2M, 0.3M, 0.5M 및 1.0M이 포함되는 총 20가지의 실험용 결정형성용액을 제조하고, 이들을 법랑표면에 60초간 반응시킨 후, 주사전자현미경 사진을 촬영하여 결정 피복도, 결정 길이 및 결정형태 분포의 균일성을 평가하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 폴리아크릴산 용액은 법랑질 표면을 경미하게 부식시켰으며, 농도에 따른 부식효과의 차이는 없었다. 2. 폴리아크릴산의 농도는 결정형성에 적은 영향을 미쳤다. 특히 $20\%-40\%$사이의 폴리아크릴산 용액은 결정형성에 영향을 미치지 않았다. 3. 황산이온 농도는 결정형성의 주요인자이다. 0.2M이상의 황산이온이 포함된 폴리아크릴산 용액에서 결정이 형성되었다. 4. $20\%\~40\%$ 폴리아크릴산 용액에 포함된 황산이온농도가 결정 피복도에 미치는 영향은 황산이온 농도가 어느한도까지 증가하면 결정 피복도도 증가하나 그 이상에서는 감소하는 경향으로 나타났다. 이 실험에서는 0.5M황산이온이 포함된 실험용액이 가장 높은 결정 피복도를 나타냈으며, 최대의 결정 피복도를 나타내는 황산이온 농도는 0.5M, 혹은 0.5M에서 1.0M사이에 있을 것으로 추정되었다. 5. 폴리이크릴산 용액내의 황산이온 농도가 증가할수록 결정길이는 작아지는 경향을 보였다. 6. 폴리아크릴산 용액내의 황산이온 농도는 결정 형태의 분포에 영향을 미친다. 황산이온의 농도가 낮을수록 spherulitic형 배열의 결정형성이 증가하고, 황산이온농도가 증가하면 무정형 배열의 결정형성이 증가하는 경향을 보였다. 7 이 연구에서 가장 양호한 실험용 결정형성용액은 0.5M 황산이온이 포함된 $30\%$ 폴리아크릴산 용액이었다.
본 실험은 대형의 고품질 DAST 결정을 위한 결정안정성과 재현성의 향상에 관하여 연구하였다. DAST 결정은 냉각법에 의한 메탄을 포화용액에서 성장시켰으며, 4-methyl-n-methyl pyridinum tosylate의 축합상태로 합성하였다. DAST 분말은 piperidine이 존재한 상태에서 r-picoline. methyl p-tolune sulfonate 그리고 P-dimethylaminobenzaldehyde로부터 제조하였다. 이때 DAST $H_2O$의 생성을 피하기 위하여 dry Argon분위기에서 합성하였다. 이것은 DAST분자가 습한 분위기에서 결정화될 경우 결정구조는 중심 대칭이 되고 그러한 경우에 DAST 미세결정이 습기를 함유하면 2차 비선형 광학특성은 사라지기 때문이다. 우리는 성장방향을 (001)면으로 고정시켰다. 성장조건은 $H_2O$/day로 서냉시켰으며 기간은 4일 동안이었다. seed 결정의 크기는 $2.5\times 3.6\times0.4\textrm{mm}^3$이며 $10\times 10.5\times3.0\textrm{mm}^3$의 DAST 결정을 제조했다. 육성된 DAST는 빨간색이며 메탈릭그린처림 보이는 표면특성을 나타내였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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