자화 유도 결합형 $CH_4/H_2/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaN 건식 식각 특성
(Dry Etching Characteristics of GaN using a Magnetized Inductively Coupled $CH_4/H_2/Ar$ Plassma)
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- 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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- 제49권4호
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- pp.203-209
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- 2000