• 제목/요약/키워드: Copper ion impurity

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다결정 구리 표면에서 산소 흡착과 불순물 표면적출 : AES에 의한 연구 (Adsorption of Oxygen and Segregation of Impurity on Copper Surface(polycrystal): An AES Study)

  • Byoung Sung Han
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제25권8호
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    • pp.966-971
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    • 1988
  • AES was used to study oxygen adsorption due to the oxygen exposure at 300\ulcorner temperature and segregation of impurities due to annealing on polycrystal copper surface. The intensity of peak of CuM2, 3VV and CuL3 VV increased with annealing time and the peak of CKLL increased after Ar ion bombardment. The effect of oxygen adsorption on copper surface at 300\ulcorner was verified by the decreased of peak of CuM2, 3VV and CuL3 VV as oxygen exposure increase. The binding energy of copper atoms gradualy shifts from 0.7eV to 1.5eV of copper atoms gradually shifts from 0.7eV to 1.5eV after a oxygen exposure. After the oxygen exposure, the width at half the height of CuM2, 3VV is larger 2V*C/S by the effect of chemical liaison of the copper aton with oxygen atom.

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SIMS와 GDMS를 이용한 구리와 탄탈 박막내의 주요불순물 분석 (Analysis of dominant impurities in Cu and Ta films using SIMS and GDMS)

  • 임재원
    • 한국진공학회지
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    • 제13권2호
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    • pp.79-85
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    • 2004
  • 본 논문은 구리와 탄탈 박막내에 불순물로써 함유되기 쉬운 수소와 탄소, 그리고 산소 원소에 대해 이차이온 질량분석기(secondary ion mass spectrometry)와 글로우방전 질량분석기(glow discharge mass spectrometry)를 이용하여 분석하였고, 이들의 분석결과에 대해서 고찰하였다. 구리와 탄탈 박막은 실리콘 기판 위에 비질량 분리형 이온빔 증착장비를 이용하여 기판 바이어스를 걸지 않은 경우와 -50 V(구리 박막) 또는 -125 V(탄탈 박막)의 기판바이어스를 걸은 상태에서 증착하였다. 세슘 이온빔을 이용하여 분석한 SIMS 결과에서, 기판 바이어스를 걸지 않은 경우, 상당히 많은 피크들이 강하게 관찰되었는데 이는 위의 주요불순물들의 결합에 의한 상태로 검출된 것으로 이들 주요불순물들의 조합에 의해 가능한 질량번호를 산출하여 SIMS 결과의 모든 피크들을 해석할 수 있었다. 또한, 박막 내의 주요불순물들의 정량적인 GDMS 분석에 의해 SIMS 결과와의 일치성을 확인할 수 있었다.

글로우방전 질량분석법을 이용한 구리 박막내의 미량불순물 분석: 음의 기판 바이어스에 의한 불순물원소의 농도변화 (Trace impurity analysis of Cu films using GDMS: concentration change of impurities by applying negative substrate bias voltage)

  • 임재원
    • 한국진공학회지
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    • 제14권1호
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    • pp.17-23
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    • 2005
  • 본 논문은 글로우방전 질량분석법(Glow Discharge Mass Spectrometry: GDMS)을 이용하여 구리 박막내의 미량 불순물의 농도분석과 음의 기판 바이어스에 대한 구리 박막내의 불순물의 농도변화에 대해서 고찰하였다. 구리 박막은 실리콘 기판 위에 비질량 분리형 이온빔 증착장비를 이용하여 기판 바이어스를 걸지 않은 경우와 -50 V의 기판 바이어스를 걸은 상태에서 증착하였다. 전기를 통하지 않는 분석 샘플의 경우, 직류(DC) GDMS에 의한 분석시, 샘플 표면에서의 charge-up 효과에 의해 분석에 어려움이 있었지만, 본 실험에서는 간편하게 분석이 가능하도록 샘플을 알루미늄 포일(foil)로 감싸서 구리 박막으로부터 실리콘 기판 뒤의 샘플 홀더까지 전기적 접촉이 이루어지도록 하였다. 구리 타겟과 증착된 구리 박막들에 대한 GDMS 분석결과에 의해서, 전체적으로 박막내의 불순물의 양이 음의 기판 바이어스에 의해 줄어듦으로써 구리 박막의 전체 순도를 높일 수 있다는 것을 알게 되었다. 음의 기판 바이어스에 의한 불순물들의 농도변화는 각각의 불순물의 이온화 포텐셜의 차이에 의한 것으로, 박막 증착시 플라즈마내의 Penning ionization effect와 본 논문에서 제시한 이온화 과정에 의해 각 불순물의 농도변화가 설명되어질 수 있었다. 또한, 기판 위에서의 구리 이온들의 충격에 의한 cleaning effect도 박막내의 불순물의 농도변화에 기여했다고 판단된다.

싸이클론 전해환원방법을 이용한 LiBr 용액내의 Cu 불순물 제거에 관한 연구 (Removal of Cu impurities in LiBr solution using cyclone electrowinning method)

  • 박다정;이규환
    • 한국표면공학회지
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    • 제57권2호
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    • pp.92-97
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    • 2024
  • The LiBr aqueous solution, which is the absorption liquid of absorption refrigerator, must be replaced periodically because the concentration of impurities such as Cu2+, Fe2+, Ca2+, etc., increases due to corrosion of the tubes as the period of use increases, and the refrigeration efficiency decreases significantly. In order to reuse the waste absorption liquid, flocculation-precipitation method is mainly applied to precipitate the impurities, which requires hundreds of times the concentration of impurities and generates additional waste. In this study, a process for removing Cu ion impurities from cyclone electrolyzer by electrolytic reduction is presented in a small-scale facility without additional waste. It was confirmed that Cu ion impurities can be removed down to 1 ppm by electrolytic reduction process, and to further improve the removal rate, the mass transfer rate was increased by using a cyclone electrolyzer. The removal rate of Cu ions increased with the increase of flow rate and current density, and it was confirmed that Cu was removed at a rate of 1.48 ppm/h under the condition of 330 mL/sec and 2.5 mA/cm2.