Copper oxide (CuO) was synthesized from $CuCl_2$ by solution method. Anatase $TiO_2$ particle was dispersed into the solution before preparing CuO, so that $TiO_2$/CuO heterojunction was created through the nucleation of CuO onto the $TiO_2$ surface. Some amount of CuO was reduced to $Cu_2O$ by treating glucose into the solution, thereby preparing $TiO_2/Cu_xO$ complex. The obtained $TiO_2/Cu_xO$ complex showed advanced phtocatalytic activity under the sun light compared with the P-25 sample. In addition, the the $TiO_2/Cu_xO$ complex showed excellent antipathogenic effect.
Jeon, Bup Ju;Hong, In Kwon;Park, Kyung Ai;Jung, Il Hyun
Applied Chemistry for Engineering
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v.5
no.3
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pp.385-394
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1994
Numerical solutions were obtained to the model equations for various of the parameters characterizing the pore structure, effective internal diffusion, and the chemical reaction constant. The conversion was decreased with the cause of pore closure at the surface of reacting particles, reduction of porosity, surface area of reaction and effective diffusion coefficient in the solid with the progress of reaction. Total conversion was strongly dependent on the local conversion at surface. According to the decreasing of impregnated concentration of the copper oxide and the increase of the flue gases concentration, total conversion was increased. The conversion was affected by gas flow rate and pore size distribution in the reacting solid.
Zinc oxide(ZnO) thin films were deposited on r-plane sapphires from a solution containing zinc acetate. The films were obtained in a hot wall reactor by the pyrolysis of an aerosol produced by an ultrasonic generator. The crystallinity, surface morphology and composition of the films have been studied using the x-ray diffraction method(XRD) scanning electron microscopy(SEM) and Auger electron spectroscopy (AES) respectively. The influences of the substrate temperature on the crystallinity of the films were studied. Strongly (110) oriented ZnO films were obtained at a substrate temperature of $350^{\circ}C$. The resistivity was increased to above $3{\times}10^{6}{\Omega}{\cdot}cm$ with copper doping and vapor oxidation.
Porous W with controlled pore characteristics was fabricated by a freeze-drying process. $WO_3$ powder and camphene were used as the source materials of W and sublimable vehicles, respectively. Camphene slurries with $WO_3$ contents of 10 and 15 vol% were prepared by milling at $50^{\circ}C$ with a small amount of oligomeric polyester dispersant. Freezing of a slurry was done in a Teflon cylinder attached to a copper bottom plate cooled at $-25^{\circ}C$ while the growth direction of the camphene was unidirectionally controlled. Pores were generated subsequently by sublimation of the camphene during drying in air for 48 h. The green body was hydrogen-reduced at $800^{\circ}C$ for 30 min and sintered in a furnace at $900^{\circ}C$ for 1 h under a hydrogen atmosphere. Microstructural observation revealed that all of the sintered samples were composed of only W phase and showed large pores which were aligned parallel to the camphene growth direction. The porosity and pore size increased with increasing camphene content. The difference in the pore characteristics depending on the slurry concentration may be explained by the degree of powder rearrangement in the slurry. The results strongly suggest that a porous metal with the required pore characteristics can be successfully fabricated by a freeze-drying process using metal oxide powders.
Cu-free multi-component sol, of which final oxide composition becomes $Bi_{1.9}Pb{0.35}SrCaO,\;Bi_{1.8}Pb_{0.2}SrCaO\;and\;Bi_{1.5}SrCaO$, respectively, was prepared through sol-gel route and coated on a bare Cu substrate. Starting materials were metal-alkoxides as follows.; [$Bi(OC_{2}H_{5})_{3}\;Pb(O^{1}C_{3}H_{7})_{2},\;Sr(O^{i}C_{3}H_{7})_{2},\;Ca(OC_{2}H_{5})_{2}$] as a reagent grade. Transparent light yellowish sol was obtained in the case of $Bi_{1.9}Pb_{0.35}SrCaO\;and\;Bi_{1.8}Pb_{0.2}SrCaO$ composition and $Bi_{1.5}SrCaO$ composition's sol was light greenish. Each sol was repeatedly dip-coated on Cu substrate four times and pre-heated at $400^{\circ}C$ and finally heat-treated in the range of $740{\sim}900^{\circ}C$. In the results, crystalline phases confirmed by XRD were (2201) orthorhombic and monoclinic phases. However, only $Bi_{1.9}Pb_{0.35}SrCaO_{x}$ composition showed pseudo-superconductive behavior after heat-treatment at $900^{\circ}C$ for 12 seconds and then onset temperature was 77 K, even though it did not exhibit zero resistance below Tc.
The purposes of this research are to investigate the pollution level of heavy metals due to the urbanization and industrialization in the satellite cities of Seoul, and to assess the chemical species and the sources of heavy metals in highly contaminated soils and dusts. Soil and dust samples were collected from the Uijeongbu and the Koyang cities, which are northern and the northwestern satellite cities of Seoul metropolitan city, respectively. Relatively high pH values($6.3{\sim}9.9$) were found in roadside soils compared with agricultural and forest soils. Difference in pH values of soils was not identified between before and after rainy seasons. In spite of no specific pollution sources in the above cities, the contents of Cu, Pb, and Zn in soils and dusts were much higher than the world average contents. The metal levels in dusts were higher than those in soils, but the metal concentration in dusts was significantly decreased after rainy season. Pollution index was high(> 1.0) in the areas of heavy traffic, industrial complex, and city centres. There is an appreciable proportion of total Zn in exchangeable/water-acid soluble fraction. Copper is predominantly associated with reducible and oxidizable phases, whereas Pb is largely in reducible association. It is concluded that the mobility and bioavailability of metals are high in the order of Zn >> Cu > Pb, on the basis of characteristic particle morphology and chemical composition, Pb-containing particles are originated probably from the automobile exhaust, particularly in heavy traffic areas. The metallic forms and iron-oxide associated forms of Cr, Ni, Cu, Zn, and Pb can be assessed as industrial origin.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.490-490
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2011
Graphene, hexagonal network of carbon atoms forming a one-atom thick planar sheet, has been emerged as a fascinating material for future nanoelectronics. Huge attention has been captured by its extraordinary electronic properties, such as bipolar conductance, half integer quantum Hall effect at room temperature, ballistic transport over ${\sim}0.4{\mu}m$ length and extremely high carrier mobility at room temperature. Several approaches have been developed to produce graphene, such as micromechanical cleavage of highly ordered pyrolytic graphite using adhesive tape, chemical reduction of exfoliated graphite oxide, epitaxial growth of graphene on SiC and single crystalline metal substrate, and chemical vapor deposition (CVD) synthesis. In particular, direct synthesis of graphene using metal catalytic substrate in CVD process provides a new way to large-scale production of graphene film for realization of graphene-based electronics. In this method, metal catalytic substrates including Ni and Cu have been used for CVD synthesis of graphene. There are two proposed mechanism of graphene synthesis: carbon diffusion and precipitation for graphene synthesized on Ni, and surface adsorption for graphene synthesized on Cu, namely, self-limiting growth mechanism, which can be divided by difference of carbon solubility of the metals. Here we present that large area, uniform, and layer controllable graphene synthesized on Cu catalytic substrate is achieved by acetylene-assisted CVD. The number of graphene layer can be simply controlled by adjusting acetylene injection time, verified by Raman spectroscopy. Structural features and full details of mechanism for the growth of layer controllable graphene on Cu were systematically explored by transmission electron microscopy, atomic force microscopy, and secondary ion mass spectroscopy.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.566-566
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2012
그래핀(Graphene)은 모든 탄소 동소체의 기본구성 요소로 2 차원 결정구조를 가지며, 양자홀 효과(quantum Hall effect), 뛰어난 열 전도도, 고 탄성, 광학적 투과성 등과 같은 탁월한 물리적 성질을 보이는 물질이다. 이러한 그래핀의 우수한 특성은 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor), 화학/바이오 센서, 투명 전극(transparent electrode) 등의 다양한 전자소자를 개발하는 응용 가능하다. 그 중, 그래핀 투명전극의 제조는 가장 응용가능성이 높은 분야이다. 현재 투명전극 물질로는 인듐-주석 산화물(indium tin oxide; ITO)가 널리 이용되고 있으나, 인듐의 고갈로 인한 공급부족 문제 및 고 생산비용, 휘어지지 않는 취성 등의 단점을 지니고 있다. 따라서, 우수한 광학적 투과성과 전기전도성을 지닌 그래핀이 ITO의 대체 물질로서 각광받고 있다.[1-5] 본 연구에서는 그래핀의 투명전도필름의 응용을 위해 면저항을 낮추기 위한 방법으로 화학적 도핑(doping)을 이용하였다. 그래핀은 구리(copper; Cu) 호일을 촉매로 사용하여 열 화학증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 합성하였다. 합성된 그래핀은 PMMA(Poly(methyl methacrylate)) 전사법을 이용하여 산화실리콘(SiO2) 기판에 전사 후, 염화은(AgCl)과 클로로벤젠(C6H5Cl)으로 만든 콜로이드(colloid) 용액에 디핑(dipping)하여 그래핀에 은 입자를 도핑 하였다. 그 결과, 은 입자 도핑 농도에 따라 면저항이 감소하는 양상을 보였다. 제작된 그래핀 투명전도성 필름의 투과도는 자외선-가시광선-근적외선 분광법(UV-Vis-NIR spectroscopy)를 이용하여 측정하였고, 라만 분광법(Raman spectroscopy)을 통해 그래핀 필름의 질적 우수성과 성장 균일도를 조사하였다.
Cu-based leadframe sheets were oxidized ic a hot alkaline solution to black-oxide layer on the surface and molded with epoxy molding compound(EMC), and finally machined to form sandwiched double-cantilever beam(SDCB) and sandwiched Brazil-nut(SBN)specimers to measure the adhesion strength of leadframe-EMC interface. The SDCB and the SBN specimens were designed to measure the adhesion strength in terms fracture toughness under puasi-mode I and mixed mode loadinf, respectively. After the tests, fracture surfaces were analyzed paths were observed in the SDCB-tested speciments, failure paths varied with crack speed and loading conditions.
Effects of coating treatment of metallic Cu film on SiC for Al/SiC composite were studied. The Copper was deposited on SiC by electroless plating method. Al/sic composite was fabricated at temperature range of $670^{\circ}C$ to 90$0^{\circ}C$ under vacuum atmosphere. The wetting behavior of Al/SiC composite were analysed by SEM and XRD. The coating treatment on SiC improved wettability of Al melt on SiC considerably comparing to the non coated SiC. This improved wettability seems strongly concerned to the increase of chemical reactivity between coated layer and Al matrix. The improvement of wettability of Al melt on the Cu coated SiC was closely related to in the initial stage of reaction. The metallic film played an important role in reducing the interfacial free energy and breaking down the aluminum oxide film through the reaction with Al melt. The wetting behavior of the as-received SiC with Al melt was not uniform, indicated by the contact angles from less than $97^{\circ}$to more than $97^{\circ}$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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