In a conventional DC power supply used for CO2 laser, the circuit elements such as a rectifier bridge, a current-limiting resistor, a high voltage switch, energy storage capacitors ans a high-voltage isolation transformer using high turn ratio are necessary. Consequently, those supplies are expensive and require a large space. Thus, laser resonator and power supply should be optimally designed. In this paper, we propose a new power supply using high frequency resonance phenomena for CW(Continuous wave) CO2 laser (maximum output of 23W with discharge length of 450mm). It consists of a transformer including leakage inductance, magnetizing inductance and half-bridge converter, a three-stage Cockcroft-Walton and PFC(Power factor correction) circuit. The output ripple voltage can be controlled the minimum of 0.24% under the high frequency switching of 231kHz. Furthermore, the output efficiency was improved to 16.4% and the laser output stability of about 5.6% was obtained in this laser system.
We propose a high voltage dc-dc converter for CW(continuous wave) $CO_2$ laser system using a current resonant half-bridge inverter and a Cockcroft-Walton circuit. This high voltage power supply includes a 2-stage voltage multiplier driven by a regulated half-bridge series resonant inverter. The inverter drives a step-up transformer and the transformer secondary is applied to the voltage multiplier. Thus, it has high efficiency because of the less switching losses by virtue of the current resonant half-bridge inverter, and also compact size, small parasitic capacitance in the transformer stage owing to the low number of a winding turn of the step up transformer secondary by combining with Cockroft-Walton circuit. We could be obtained the maximum laser output power of 44 W and the maximum system efficiency of over 16 %.
We designed and fabricated a semiconductor optical amplifier-integrated dual-mode laser (SOA-DML) as a compact and widely tunable continuous-wave terahertz (CW THz) beat source, and a pin-photodiode (pin-PD) integrated with a log-periodic planar antenna as a CW THz emitter. The SOA-DML chip consists of two distributed feedback lasers, a phase section for a tunable beat source, an amplifier, and a tapered spot-size converter for high output power and fiber-coupling efficiency. The SOA-DML module exhibits an output power of more than 15 dBm and clear four-wave mixing throughout the entire tuning range. Using integrated micro-heaters, we were able to tune the optical beat frequency from 380 GHz to 1,120 GHz. In addition, the effect of benzocyclobutene polymer in the antenna design of a pin-PD was considered. Furthermore, a dual active photodiode (PD) for high output power was designed, resulting in a 1.7-fold increase in efficiency compared with a single active PD at 220 GHz. Finally, herein we successfully show the feasibility of the CW THz system by demonstrating THz frequency-domain spectroscopy of an ${\alpha}$-lactose pellet using the modularized SOA-DML and a PD emitter.
The optical characteristics of a terahertz (THz) antenna-coupled bolometer (ACB) detector were evaluated using a pulsed quantum cascade laser (QCL) and radiation blackbody sources. We investigated a method for measuring the responsivity and noise-equivalent power (NEP) of the THz detector using two different types of light sources. When using a QCL source with a frequency of 3 THz, the average responsivity of 24 devices was $1.44{\times}10^3V/W$ and the average NEP of those devices was $3.33{\times}10^{-9}W/{\surd}Hz$. The average responsivity and NEP as measured by blackbody source were $1.79{\times}10^5V/W$ and $6.51{\times}10^{-11}W/{\surd}Hz$, respectively, with the measured values varying depending on the light source. This was because the output power of each light source was different, with the laser source being driven by a pulse type wave and the blackbody source being driven by a continuous wave. The power input to the THz sensor was also different. Futhermore, the responsivity and NEP values measured using band pass filter (BPF) were similar to those measured when using only THz windows. It was found that ACB sensor responds normally in the THz region to both the laser and the blackbody source, and the method was confirmed to effectively evaluate the characteristics of the THz sensor.
본 연구의 목적은 열처리 전 후의 보론강 레이저 용접성을 비교하는 것이다. 일반적으로 보론강이 핫스탬핑 공정에 사용되고 있으며, 핫스탬핑 공정은 강판을 오스테나이트 온도까지 가열한 후 성형과 동시에 냉각하는 방법이다. 열처리후 보론강은 1500 MPa 이상의 고강도를 가진다. 따라서 본 연구에서는 보론강 및 핫스탬핑강의 레이저 용접성을 조사한 후 비교하였다. CW 디스크 레이저를 이용하여 레이저 출력 및 용접속도를 변화시켜가며 맞대기 및 겹치기 용접을 실시하였다. 맞대기 용접 결과, 핫스탬핑강에서 완전 용입을 얻을 수 있는 임계냉각속도가 보론강보다 낮았으며, 겹치기 용접결과 완전 관통이 일어난 용접 조건에서는 접합부 폭은 용접속도와 관계없이 거의 유사하였다.
Objective : The purpose of this study was to evaluate the effects of low level lasers on bone healing and new bone formation around titanium dental implants in canine models. 18 oxidized surface treated implants and a Dens-bio laser were used. Study design : Low level lasers were irradiated with a total of 8J for 4 minutes by pulse wave type and 1 minute by continuous type. For the experimental group, a low level laser was used to irradiate the first premolar implant's insertion area at the time of insertion, a low level laser was used to irradiate the second premolar implant's insertion area daily for one week after implant insertion, and a low level laser was used to irradiate the third molar implant's insertion area daily for 2 weeks postoperatively. At the conclusion of the study, sacrificed tissue sections were made from investing tissue and observed under an optical microscope. Results : The rate of new bone formation around the implant showed no significant difference between the control group and the experimental group. New bone formation rates of the control and experimental group 2 weeks following implant placement were higher than that of immediately after implant placement and 1 week after implant placement. Conclusions : Based on these results, a low-level laser showed no statistically significant increase in bone formation following implant placement.
본 연구에서는 발전소의 터빈 블레이드는 물방울에 의해서 부식이 발생한다는 사실은 널리 알려져 있다. 부식을 방지하기위해서 보통 12%-Cr 강으로 만들며 표면 을 고주파 유도경화법에 의해서 표면을 경화시킨다. 고주파유도 경화법은 경화층 깊 이가 마모 특성을 가장 좋게 하는 깊이보다 훨씬 깊게 경화되며, 열응력이 과대하게 생기고, 처리시간이 많이 걸리며, 표면경화 처리후 기계가공이 필요하다. 12%-Cr 강 의 레이저 표면경화를 연속파 3kw CO$_{2}$ 레이저로 실험하여 금속조직과 경도분포에 대해서 연구하여 레이저 표면경화 가능성을 고찰하였다.
Laser cutting technology is one of flexible rapid manufacturing technologies with various advantageous including a high cutting speed, manufacturing of parts with a complex shape and others. The quality of the cut part and the optimum cutting conditions are highly dependent on the combination of the process parameters. The objective of this research works is to investigate the influence of process parameters, such as power of laser, cutting speed of laser and material thickness, on the surface roughness and the striation formation of the cut section for the case of cutting of CSP 1N sheet using high power Nd:YAG Laser with a continuous wave (CW). In order to find the relationship between process parameters and the surface roughness and the striation formation of the cut section, several experiments are carried out. Through the investigation of the empirical results, it has been shown that the surface roughness is highly related to the striation formation, including the frequency and angle of the striation, of the cut section. From the results of experiments, an optimum cutting speed for each cutting condition has been obtained to improve both the quality of the cut surface and the cutting efficiency.
In this study, the deposition of micrometer-scale metallic interconnects on LCD glass for the repair of open-circuit type defects is investigated. Although there had been a few studies Since 1980 s for the deposition of metallic interconnects by laser-induced chemical vapor deposition, those studies mostly used continuous wave lasers. In this work, a third harmonic Nd:YLF laser (351nm) of high repetition rates, up to 10 KHz, was used as the illumination source and $W(CO)_6$ was selected as the precursor. General characteristics of the metal deposit (tungsten) such as height, width, morphology as well as electrical properties were examined for various process conditions. Height of the deposited tungsten lines ranged from 35 to 500 nm depending on laser power and scan speed while the width was controlled between $3\~50{\mu}$ using a slit placed in the beam path. The resistivity of the deposited tungsten lines was measured to be below 1 $O\cdot{\mu}m$, which is an acceptable value according to the manufacturing standard. The tungsten lines produced at high scan speed had good surface morphology with little particles around the patterns. Experimental results demonstrated that it is likely that the deposit forms through a hybrid process, namely through the combination of photolytic and pyrolytic mechanisms.
This paper presents the results for deposition of micrometer-scale metal lines on glass for the development of TFT-LCD circuit repair-system. Although there had been a few studies in the late 1980's for the deposition of metallic interconnects by laser-induced chemical vapor deposition, those studies mostly used continuous wave lasers. In this work, a third harmonic Nd:YLF laser (351nm) of high repetition rates, up to 10 KHz, was used as the illumination source and W(CO)s was selected as the precursor. General characteristics of the metal deposit (tungsten) such as height, width, morphology as well as electrical properties were examined for various process conditions. Height of the deposited tungsten lines ranged from 35 to 500 m depending on laser power and scan speed while the width was controlled between 50um using a slit placed in the beam path. The resistivity of the deposited tungsten lines was measured to be below $1{\Omega}{\cdotu}um$, which is an acceptable value according to the manufacturing standard. The tungsten lines produced at high scan speed had good surface morphology with little particles around the patterns. Experimental results demonstrated that it is likely that the deposit forms through a hybrid process, namely through the combination of photolytic and pyrolytic mechanisms.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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