• 자원환경지질
• /
• 제50권4호
• /
• pp.303-311
• /
• 2017

본 연구에서는 국내 $CO_2$ 지중저장 후보지인 장기분지에서 덮개암층으로 대표되는 이암과 응회암 코아에 대하여, 초임계이산화탄소(supercritical $CO_2$; $scCO_2$) 초기 주입압력을 측정하고 90일 동안 지화학 반응 실험 결과에 근거하여 두 암석의 $scCO_2$ 차폐능(sealing capacity)을 평가하였다. 장기분지 $CO_2$ 주입 예정부지 주변에서 수행한 대심도시추코아 중 깊이 800 m 이상 되는 이암과 응회암 코아를 대상으로 $scCO_2$ 초기 주입압력을 측정하였다. 스테인레스 강철로 제작한 고압셀(100 mL 용량)을 이용하여 지중저장 조건(100 bar, $50^{\circ}C$)에서 $scCO_2$-지하수-암석 반응을 실시하여 반응 전/후 광물 변화를 관찰하여 덮개암의 지화학적 안정성을 평가하였다. 덮개암에 대한 초기 $scCO_2$ 주입압력을 측정하기 위하여 원통형 스테인레스강철 고압셀 내부에 암석 코아를 고정시키고, 코아 상부와 하부의 압력 차이(100 - 300 bar)를 이용하여 증류수로 포화시킨 후, 고압셀 외부에 부착된 압력계를 이용하여 코아 내에 포화된 공극수압을 100 bar로 유지시켰다. 지중저장 현장에서 덮개암 내부로 $scCO_2$가 이동하는 경계조건을 모사하기 위하여 고압셀 출구를 $scCO_2$와 증류수로 채워진 대형 고압탱크(5 L 용량; 100 bar, $50^{\circ}C$ 유지)에 연결시켜, 고압셀에 고정된 암석 코아 공극 내로 침투하는 경우 지중저장 조건 하에서 일정량의 $scCO_2$가 코아를 통과할 수 있도록 하였다. 셀 입구에서는 코아의 공극수압인 100 bar보다 높게 유지시켜 $scCO_2$를 주입하되, 주입이 지속적으로 진행되기 시작하는 최소 주입압력($100bar+{\Delta}p$)을 암석에 대한 주입압력으로 측정하였다. 90일 반응 후 응회암과 이암의 큰 광물학적 변화는 없는 것으로 나타나 두 암석 모두 $scCO_2$ 주입 시 지화학적으로 안정한 것으로 나타났다. 응회암의 경우 공극수압과 $scCO_2$ 주입압력 차이(${\Delta}p$)가 15 bar에서 $scCO_2$의 내부 침투가 시작되어 20 bar 이후부터는 지속적인 $scCO_2$ 주입이 이루어졌다. 이암의 경우에는 ${\Delta}p$를 150 bar까지 증가시켜도 $scCO_2$가 주입되지 않아 응회암보다 $scCO_2$ 차폐효과가 약 10 배 높은 것으로 나타나, 장기분지에 $CO_2$ 주입 시 응회암보다는 이암층이 덮개암 역할을 할 것으로 판단되었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제33권9호
• /
• pp.2830-2844
• /
• 2012

This review covers recent developments in our group regarding the synthesis, characterization and applications of single-crystalline one-dimensional nanostructures based on a wide range of material systems including noble metals, metal silicides and metal germanides. For the single-crystalline one-dimensional nanostructures growth, we have employed chemical vapor transport approach without using any catalysts, capping reagents, and templates because of its simplicity and wide applicability. Au, Pd, and Pt nanowires are epitaxially grown on various substrates, in which the nanowires grow from seed crystals by the correlations of the geometry and orientation of seed crystals with those of as-grown nanowires. We also present the synthesis of numerous metal silicide and germanide 1D nanostructures. By simply varying reaction conditions, furthermore, nanowires of metastable phase, such as $Fe_5Si_3$ and $Co_3Si$, and composition tuned cobalt silicides (CoSi, $Co_2Si$, $Co_3Si$) and iron germanides ($Fe_{1.3}Ge$ and $Fe_3Ge$) nanowires are synthesized. Such developments can be utilized as advanced platforms or building blocks for a wide range of applications such as plasmonics, sensings, nanoelectronics, and spintronics.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
• /
• pp.630-633
• /
• 2003

Integrating the driver circuitry directly onto the glass substrate would be one of the advantages of polycrystalline Si (poly-Si) TFT-(LCD). Low-temperature poly-Si TFT(LTPS) is well-suited for higher-definition display applications due to its intrinsically superior electrical characteristics. In order to improve LTPS electrical characteristics, currently the excimer laser-induced crystallization (ELC) processes and sequential lateral solidification method were developed. Grain size of the poly-Si is mainly affected by beam pitch and energy density. Key parameter for making a larger poly-Si using excimer laser annealing(ELA) and increasing a throughput is due to increase in beam pitch and energy density to a certain degree. Furthermore, thin $SiO_{2}$ capping is effective to suppress the protrusion of the poly-Si thin films and to reduce the interface state density. From the ELA process, we are able to control grain size by varying different parameters such as number of shots and energy density.

• BMB Reports
• /
• 제38권4호
• /
• pp.373-380
• /
• 2005

For measles viruses, fusion on the cell membrane is an important initial step in the entry into the infected cells. The recent research indicated that hemagglutinin firstly leads the conformational changes in the fusion protein then co-mediates the membrane fusion. In the work, we use the co-immunoprecipitation and pull-down techniques to identify the interactions among fusion protein, hemagglutinin and signaling lymphocyte activation molecule (SLAM), which reveal that the three proteins can form a functional complex to mediate the SLAM-dependent fusion. Moreover, under the confocal microscope, fusion protein and hemagglutinin protein can show the cocapping mediated by the SLAM. So fusion protein not only is involved in the fusion but also might directly interact with the SLAM to be a new fusion-trimer model, which might account for the infection mechanism of measles virus.

• 한국자기학회지
• /
• 제16권2호
• /
• pp.136-139
• /
• 2006

자기터널접합은 일반적으로 $250^{\circ}C$ 이상의 온도에서 터널자기저항비의 저하가 발생하는데 이는 반강자성체로 사용된 IrMn 중 Mn이 강자성체인 CoFe 및 터널배리어로의 내부확산에 기인한다. 자기터널접합의 열적 안정성을 향상시키기 위하여 나노산화층을 삽입하여 Mn의 확산을 제어하였다. CoNbZr 4/CoFe 10/IrMn 7.5/CoFe 3/터널배리어/CoFe 3/CoNbZr 2(nm)와 같은 자기터널접합을 기본구조로 하여 각각의 층에 나노산화층을 삽입하여 열적안정성 및 전자기적 특성을 비교 분석 하였다. 나노산화층의 삽입에 의해 터널자기저항비, 자기터널접합의 표면 평활도 및 열적안정성이 향상되었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(2)
• /
• pp.391-394
• /
• 2004

In this study, highly thermal stable Ni Germanosilicide has been utilized using NiPt alloy and novel NiPt/Co/TiN tri-layer. And, the Ni Germanosilicide Properties were characterized according to different Ge ratio (x) in $Si_{l-x}Ge_x$ for the next generation CMOS application. The sheet resistance of Ni Germanosilicide utilizing pure-Ni increased dramatically after the post-silicidation annealing at $600^{\circ}C$ for 30 min. Moreover, more degradation was found as the Ge fraction increases. However, using the proposed NiPt/Co/TiN tri-layer, low temperature silicidation and wide range of RTP process window were achieved as well as the improvement of the thermal stability according to different Ge fractions by the subsequent Co and TiN capping layer above NiPt on the $Si_{l-x}Ge_x$. Therefore, highly thermal immune Ni Germanosilicide up to $600^{\circ}C$ for 30 min is utilized using the NiPt/Co/TiN tri-layer promising for future SiGe based ULSI technology.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.438-439
• /
• 2013

Microelectronic devices의 접촉저항의 향상을 위해 Metal silicides의 형성 mechanism과 전기적 특성에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다. 지난 수십년에 걸쳐, Ti silicide, Co silicide, Ni silicide 등에 대한 개발이 이루어져 왔으나, 계속적인 저저항 접촉 소재에 대한 요구에 의해 최근에는 Rare earth silicide에 관한 연구가 시작되고 있다. Rare-earth silicide는 저온에서 silicides를 형성하고, n-type Si과 낮은 schottky barrier contact (~0.3 eV)를 이룬다. 또한, 비교적 낮은 resistivity와 hexagonal AlB2 crystal structure에 의해 Si과 좋은 lattice match를 가져 Si wafer에서 high quality silicide thin film을 성장시킬 수 있다. Rare earth silicides 중에서 ytterbium silicide는 가장 낮은 electric work function을 갖고 있어 낮은 schottky barrier 응용에서 쓰이고 있다. 이로 인해, n-channel schottky barrier MOSFETs의 source/drain으로써 주목받고 있다. 특히 ytterbium과 molybdenum co-deposition을 하여 증착할 경우 thin film 형성에 있어 안정적인 morphology를 나타낸다. 또한, ytterbium silicide와 마찬가지로 낮은 면저항과 electric work function을 갖는다. 그러나 ytterbium silicide에 molybdenum을 화합물로써 높은 농도로 포함할 경우 높은 schottky barrier를 형성하고 epitaxial growth를 방해하여 silicide film의 quality 저하를 야기할 수 있다. 본 연구에서는 ytterbium과 molybdenum의 co-deposition에 따른 silicide 형성과 전기적 특성 변화에 대한 자세한 분석을 TEM, 4-probe point 등의 다양한 분석 도구를 이용하여 진행하였다. Ytterbium과 molybdenum을 co-deposition하기 위하여 기판으로 $1{\sim}0{\Omega}{\cdot}cm$의 비저항을 갖는 low doped n-type Si (100) bulk wafer를 사용하였다. Native oxide layer를 제거하기 위해 1%의 hydrofluoric (HF) acid solution에 wafer를 세정하였다. 그리고 고진공에서 RF sputtering 법을 이용하여 Ytterbium과 molybdenum을 동시에 증착하였다. RE metal의 경우 oxygen과 높은 반응성을 가지므로 oxidation을 막기 위해 그 위에 capping layer로 100 nm 두께의 TiN을 증착하였다. 증착 후, 진공 분위기에서 rapid thermal anneal(RTA)을 이용하여 $300{\sim}700^{\circ}C$에서 각각 1분간 열처리하여 ytterbium silicides를 형성하였다. 전기적 특성 평가를 위한 sheet resistance 측정은 4-point probe를 사용하였고, Mo doped ytterbium silicide와 Si interface의 atomic scale의 미세 구조를 통한 Mo doped ytterbium silicide의 형성 mechanism 분석을 위하여 trasmission electron microscopy (JEM-2100F)를 이용하였다.

• 고무기술
• /
• 제13권1호
• /
• pp.1-9
• /
• 2012

Click chemistry had enjoyed a wealthy decade after it was introduced by K.B.Sharpless and his co-worker on 2001. Since there is no optimized method for synthesis of click polymer, therefore, this paper introduced three click reaction methods such as catalyst, non-catalyst and azide-end capping for fluorene-based functional click polymers. The obtained polymers have reasonable molecular weight with narrow PDI. The polymers are thermally stable and almost emitted blue light emission. The synthesized fluorene-based functional click polymers were characterized to compare the effect of click reaction methods on polymer electro-optical properties as well as device performance on quasi-solid-state dye sensitized solar cells (DSSCs) applications. The DSSCs with configuration of $SnO_2:F/TiO_2/N719$ dye/quasi-solid-state electrolyte/Pt devices were fabricated using these click polymers as a solid-state electrolyte components. Among the devices, the catalyzed click polymer composed device exhibited a high power conversion efficiency of 4.62% under AM 1.5G illumination ($100mW/cm^2$).These click polymers are promising materials in device application and $Cu^I$-catalyst 1, 3-dipolar cycloaddition click reaction is an efficient synthetic methodology.

• Korean Chemical Engineering Research
• /
• 제51권3호
• /
• pp.403-406
• /
• 2013

이 논문에서는 6-aminohexanoic acid (AHA)를 사용해서 물에 분산이 잘되는 균일한 maghemite 나노입자를 제조하는 방법을 설명한다. 물에 분산되는 maghemite 나노입자는 $195^{\circ}C$의 octyl ether와 AHA의 혼합물에 $Fe(CO)_5$를 넣어주는 방법으로 제조하였다. 제조된 나노입자는 좋은 결정성과 자성을 띄고 있으며 물에서 상당한 안정성을 보여주었다. 또한 ligand-exchange 방식으로 물에 분산되는 maghemite 나노입자를 제조하는 방법도 가능함을 확인하였다. 본 연구에서는 AHA를 이용하여 물에 분산된 금속 산화물 나노입자를 제조하는 새로운 대안을 제시하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제27권3호
• /
• pp.41-47
• /
• 2020

비메모리 반도체 미세 Cu배선의 전기적 신뢰성 향상을 위해 SiN_x 피복층(capping layer)과 Cu 배선 사이 50 nm 두께의 Co 박막층 삽입이 계면 신뢰성에 미치는 영향을 double-cantilever beam (DCB) 접착력 측정법으로 평가하였다. DCB 평가 결과 SiN_x/Cu 구조는 계면접착에너지가 0.90 J/㎡이었으나 SiN_x/Co/Cu 구조에서는 9.59 J/㎡으로 SiN_x/Cu 구조보다 약 10배 높게 측정되었다. 대기중에서 200℃, 24시간 동안 후속 열처리 진행한 결과 SiN_x/Cu 구조는 0.93 J/㎡으로 계면접착에너지의 변화가 거의 없는 것으로 확인되었으나 SiN_x/Co/Cu 구조에서는 2.41 J/㎡으로 열처리 전보다 크게 감소한 것을 확인하였다. X-선 광전자 분광법 분석 결과 SiN_x/Cu 도금층 사이에 Co를 증착 시킴으로써 SiN_x/Co 계면에 CoSi₂ 반응층이 형성되어 SiN_x/Co/Cu 구조의 계면접착에너지가 매우 높은 것으로 판단된다. 또한 대기중 고온에서 장시간 후속 열처리에 의해 SiN_x/Co 계면에 지속적으로 유입된 산소로 인한 Co 산화막 형성이 계면접착에너지 저하의 주요인으로 판단된다.