In this paper we review recent work in our laboratory on nanocomposite CoSm-based films including CoSm with Cr underlayer (CoSm//Cr), exchange-coupled magnetic films consisting of CoSm and FeCo layers (CoSm/FeCo), and CoSm multilayers with nonmagnetic spacing layers of SmO (CoSm/SmO). The emphasis is on detailed investigations of microstructure and magnetic properties for CoSm//Cr films, exchange-spring effects for CoSm/FeCo films, and interlayer effects for (CoSm/ SmO) multilayers.
A sintering process for copper based films using a rapid thermal process with infrared lamps is proposed to improve the electrical properties. Compared with films produced by conventional thermal sintering, the microstructure of the copper based films contained fewer internal and interfacial pores and larger grains after the rapid thermal process. This high-density microstructure is due to the high heating rate, which causes the abrupt decomposition of the organic shell at higher temperatures than is the case for the low heating rate; the high heating rate also induces densification of the copper based films. In order to confirm the effect of the rapid thermal process on copper nanoink, copper based films were prepared under varying of conditions such as the sintering temperature, time, and heating rate. As a result, the resistivity of the copper based films showed no significant changes at high temperature ($300^{\circ}C$) according to the sintering conditions. On the other hand, at low temperatures, the resistivity of the copper based films depended on the heating rate of the rapid thermal process.
The magnetic amd magneto-optical(MO)properties of Co-based multilayered(ML)films are known to vary sensitively according to the manufacturing methods and the film microstructures. Co/Pd and Co/Pt ML films with ultrathin layers of Co were prepared by alternating deposition in an ultrahigh-vacuum physical-vapor-deposition system. The individual layer thicknesses of the samples were estimated making use of the angular positions of x-ray diffraction peaks. The magnetic and MO properties were investigated, and correlated systematically to the structural parameters of the films. A Kerr spectrometer was self-manufactured to measure the MO properties such as Kerr rotation angle, ellipticity and reflectivity. The rms surface roughness was also measured using atomic force microscopy. Some of the samples showed good properties for MO medium, such as large perpendicular magnetic anisotropy and Kerr rotation, and perfect squareness of the magnetic hysteresis loop.
Co-ferrite ($CoO-Fe_{2}O_{3}$) thin films have been prepared by two ways of low temperature solid reaction including oxidation process, being based on $Co-layer/{\alpha}-Fe_{2}O_{3}$ films and $Co-layer/Fe_{3}O_{4}$ films. Magnetic properties of both Co-ferrite films have been measured and compared. The samples from $Co-layer/Fe_{3}O_{4}$ films have a large coercive force in the direction perpendicular and have a great poler kerr rotation angle at wavelength 700 nm than ones from $Co-layer/{\alpha}-Fe_{2}O_{3}$ films. The typical magnetic properties are as follows; saturation magnetization $4{\pi}Ms$, 2.9 kG; remnant magnetization $4{\pi}Mr$, 2.0 kG; coercive force Hc, 4.0 kOe; kerr rotation angle ${\PHI}k$, 0.39 deg($\lambda\;=\;700\;nm$); and initial magnetization energy E, $3.3\;{\times}\;10^6\;erg/\textrm{m}^3$, respectively.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.29
no.6
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pp.628-633
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1996
Large saturation magnetization $4pM_s$ is essentially required for soft magnetic thin layers used in magnetic recording devices. Amorphous Co-based alloys and Fe-Co alloys may be regarded as one of the candidates for soft magnetic materials which possess large $4\piM_s$. Some preparation process to improve soft magnetism of these films were performed in this study. Addition of Ta seemed to be effective to change the magnetostriction constant $\lambda$ from positive value to negative one. The magnetoelastic energy $K_e$ is strongly dependent on $\lambda$. $(Co_{95.7}Zr_{4.3})_{100-x}Ta_x$ films with $K_e$ of negative value have sufficiently soft magnetic characteristics. $Fe_{90}Co_{10}$ alloy exhibits extremely large $4\piM_s$, of about 24 kG. Addition of N and Ta to $Fe_{90}Co_{10}$ films improved the soft magnetism of them. The $Fe_{82.0}Co_{7.6}Ta_{10.4}$:N/Ti multilayered films exhibit better soft magnetic properties and better thermal stability than Fe-Co-Ta:N singlelayer films.
Metal-insulator type, nano-granular soft magnetic films have been reviewed from the viewpoint of high frequency magnetic materials. The formation of nano-granular structure is related to the magnitude of heat of formation of intergranule materials. Variation of the ratio of granule phase to intergranule phase in the film is found to produce various characteristics in the magnetic properties of the film. The HRTEM observation reveals that neighboring granules in the film with above 60 at.% Co, contact at considerable points and the films show soft magnetic properties which are explainable in terms of the random anisotropy model for nano-crystalline materials. Addition of Ni group elements in Co-O based films enhances their anisotropy field up to 400 Oe and they exhibit excellent frequency response of permeability. Also, large electromagnetic noise suppression effect is demonstrated as one of their potential applications.
We reported compositional separation(CS) into Co-enriched and Cri-enriched components inside the grains of Co-Cr based thin films prepared by rf sputtering. CS strongly depends on the sputtering conditions of substrate temperature and target composition. Tuning the microstructure of the Co-Cr films is important in order to employ the CS for high-density magnetic recording. We investigated the origin of CS from thermodynamic viewpoint. We employ a spinodal decomposition-like model to describe the origin of the CS in Co-Cr films. We consider the total free energy of the Co-Cr films as the sum of several free energies of; 1) thermodynamic mixing entropy of a binary solid solution, 2) magnetic ordering interaction(MOI) energy below the Curie temperature, and 3) excess interaction energy(XS) caused by the sputtering process as a function of temperature and composition. Those energies distorted the total free energy like the spinodal decomposition and caused the compositionally separated fine microstructure inside the grains. If the second derivative of the total free energy with respect to Cr composition becomes negative at a given substrate temperature, we may observe a metastable compositional separation inside the Co-Cr alloy films. We expect to exploit the microstructure of CS for ultra-high density magnetic recording.
${Co_3}{O_4}$ and ${Co_3}{O_4}$-based thick films with additives such as ${Co_3}{O_4}-{Fe_2}{O_3}$(5 wt.%), ${Co_3}{O_4}-{SnO_2}$ (5 wt.%), ${Co_3}{O_4}-{WO_3}$(5 wt.%) and ${Co_3}{O_4}$-ZnO(5 wt.%) were fabricated by screen printing method on alumina substrates. Their structural properties were examined by XRD and SEM. The sensitivities to iso-${C_4}H_{10}$, $CH_4$, CO, $NH_3$ and NO gases were investigated with the thick films heat treated at $400^{\circ}C$, $500^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$. From the gas sensing properties of the films, the films showed p-type semiconductor behaviors. ${Co_3}{O_4}-{SnO_2}$(5 wt.%) thick film heat treated at $600^{\circ}C$ showed higher sensitivity to i-${C_4}H_{10}$ and CO gases than other thick-films. ${Co_3}{O_4}-{SnO_2}$(5 wt.%) thick film heat treated at $600^{\circ}C$ showed the sensitivity of 170 % to 3000 ppm iso-${C_4}H_{10}$ gas and 100 % to 100 ppm CO gas at the working temperature of $250^{\circ}C$. The response time to i-${C_4}H_{10}$ and CO gases showed rise time of about 10 seconds and fall time of about $3{\sim}4$ minutes. The selectivity to i-${C_4}H_{10}$ and CO gases was enhanced in the ${Co_3}{O_4}-{SnO_2}$(5 wt.%) thick film.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.100-103
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2001
In order to investigate the magnetic properties of CoCr-based bilayered thin films on kind of underlayer, we introduced amorphous Si layer to Co-Cr(-Ta) magnetic layer as underlayer. With the thickness of CoCr, CoCrTa single layer, crystalline orientation and perpendicular coercivity was improved. It was revealed that by introducing the Si underlayer, the c-axis orientation of CoCr, CoCrTa magnetic layer was improved largely. However, with increasing Si film thickness, perpendicular coercivity and saturation magnetization of Cocr/si, CoCrTa/Si bilayered thin films was decreased. Grain size of bilayered thin films became larger.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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