• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1993년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.88-89
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• 1993

• 한국안광학회지
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• 제3권1호
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• pp.223-228
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• 1998

$SiO_2-TiO_2-M_xO_y$ (M = Co, Cr or Cu)계의 비정질 박막을 현미경용 슬라이드 유리판 위에 전구체 용액을 스핀코팅방법으로 제조하였다. 전구체 용액은 tetraethyl orthosilicate, titanium trichloride, 그리고 코발트질산염, 크롬질산염, 구리질산염을 사용하여 합성하였다. X-선 회절분석 (${\theta}-2{\theta}$ scan)을 통하여 박막내에 $Co_3O_4$, $Cr_2O_3$, CuO 결정의 석출이 없는 비정질 박막임을 확인하였다. 코발트는 4면체배위의 $ Co^{2+}$로, 크롬은 4면체정배위의 $Cr^{6+}$로, 구리는 8면체배위의 $Cu^{2+}$로 존재하였다. 이 비정질박막의 표면에서 crack과 texture는 발견할 수 없었으며 파단면에서 박막악과 유리판 간의 계면은 균일한 조직을 보였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1320-1322
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• 1997

The distribution of coercivity in the thickness direction were investigated by using Kerr hysteresis loop tracer for the Co-Cr films deposited by Facing Targets Sputtering apparatus. It $H_{c{\bot}}(S)- H_{c{\bot}}(I)$ correlated strongly with ${\Delta}H_c$, which represents the degree of distribution of coercivity. Furthermore, the Cr content was varied in order to improve the coercivity of intial growth layer $H_{c{\bot}}(I)$ took a maximum value of 750 Oe and the distribution of coercivity became sharper at the Cr content of 25 at.%.

• Metals and materials international
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• 제24권6호
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• pp.1285-1292
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• 2018

Microstructural properties of as-grown and annealed CoCrFeMnNi high entropy alloy (HEA) oxynitride thin films were investigated. The CoCrFeMnNi HEA oxynitride thin film was grown by magnetron sputtering method using an air gas, and annealed under the argon plus air flow for 5 h at $800^{\circ}C$. The as-grown film was homogeneous and uniform composed of nanometer-sized crystalline regions mixed with amorphous-like phase. The crystalline phase in the as-grown film was face centered cubic structure with the lattice constant of 0.4242 nm. Significant microstructural changes were observed after the annealing process. First, it was fully recrystallized and grain growth happened. Second, Ni-rich region was observed in nanometer-scale range. Third, phase change happened and it was determined to be $Fe_3O_4$ spinel structure with the lattice constant of 0.8326 nm. Hardness and Young's modulus of the as-grown film were 4.1 and 150.5 GPa, while those were 9.4 and 156.4 GPa for the annealed film, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.550-552
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• 2003

We prepared $Co_{77}Cr_{20}Ta_3$ Magnetic layer for perpendicular magnetic recording media with introduce Two-step methode and Amorphous Si Underlayer on slide glass substrate. The thickness of magnetic layer were 100nm, and Underlayer were varied from 5 to 100 nm. The multi layer Properties of crystal structure were examined with XRD. Prepared thin films showed improvement of dispersion angle of c-axis orientation ${\Delta}{\theta}_{50}$ caused by inserting Buffer-layer and amorphous Si underlayer.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.178-179
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• 2002

CoCrPt alloy films are one of the most promising candidates for high-density perpendicular magnetic recording media due to their strong perpendicular magnetic anisotropy (PMA) and high coercivity [1]. In order to achieve high-density magnetic recording media, it is essential to characterize the magnetoelastic properties since experimental and theoretical research has revealed a significant magnetoelastic contribution to the magnetic properties in magnetic thin films. (omitted)

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.6-8
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• 2002

In order to prepare magnetic recording layer with a good quality crystallographic characteristic. We prepared $Co_{77}Cr_{20}Ta_3$ layer for perpendicular magnetic recording media on slide glass substrate by Two-Step Methode. The thickness of magnetic layer was fixed 100 nm and buffer layer were varied from 10 to 50 nm, and input current was varied from 0.2[A] to 0.5[A]. The surface morphology and crystal orientation of the CoCrTa films were examined with XRD. Prepared thin films showed improvement of dispersion angle of c-axis orientation ${\Delta}{\theta}_{50}$ caused by inserting buffer layer.

• 한국자기학회지
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• 제3권3호
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• pp.208-214
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• 1993

Ta을 미량 첨가한 Co-Cr-Ta 박막의 높은 수직보자력의 원인을 알아보기위하여 회전우력자력계 (torque magnetometer)와 진동시료형 자력계(VSM)를 이용하여 Co-Cr 박막과 Co-Cr-Ta 박막의 수직자기이방 성에너지를 조사하였다. Co/sub 81.7/Cr/sub 16.7/Ta/sub 1.6/ 박막의 수직이방성에너지는 동일 기판온도에 서 성막한, 비슷한 용질원자량의 Co/sub 81/Cr/sub 19/ 박막보다 높았다. 그 원인을 분석하기 위하여 as- sputtered 상태의 박막들을 annealing 처리한 후 수직자기이방성에너지의 변화를 조사하였다. annealing 처 리에 의해 수직자기이방성에너지는 감소하였다. 이러한 annealing 처리에 의한 수직자기이방성에너지의 감 소량은 CoCrTa 박막의 경우 더 켰으며, annealing 처리후의 수직자기이방성에너지는 이원계 및 삼원계 박막 에서 비슷한 값을 보였다. 이는 Ta 첨가에 의해 as-sputtered 박막내 용질원자의 편석(segregation) 정도가 증가하며, 이러한 편석 의 증가로 박막내에 형태자기이방성의 기여가 증가하여 수직자기이방성에너지의 증가가 있었던 것으로 해석 된다. 또한 이 러한 용질원자의 편석의 증가에 의한 수직자기이방성에너지의 증가로 박막의 보자력도 증가 한 것으로 생각된다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2000년도 International Symposium on Magnetics The 2000 Fall Conference
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• pp.348-349
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• 2000

• 한국자기학회지
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• 제11권5호
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• pp.184-188
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• 2001

DC-스퍼터를 이용하여 기판온도를 실온과 20$0^{\circ}C$로 변화시켜 , 균일한 내부구조를 갖는 구조와 결정립내부에 미세한 자가정렬나노구조(SONS)를 갖는 Co-22%Cr 합금 박막을 각각 제조하고 이들의 미세구조와 도메인구조를 투과전자현미경(TEM)과 자기력현미경(MFM)을 이용하여 확인하였다. Co가 먼저 부식되도록 조치하고 관찰한 투과전자현미경 결과, 실온에서 제작된 박막의 경우에는 결정립 내부가 균일한 조성을 보인 반면, 기판온도가 20$0^{\circ}C$인 Co-22%Cr합금 박막은 결정립 내부에 SONS를 형성하여 판상의 미세 Co-과잉상을 가지는 특이한 미세구조를 가지는 것을 확인하였다. 자기력현미경에 의해 확인된 결과, SONS가 없는 시편(기판온도를 실온으로 유지한 경우)은 주기 5000 정도의 미로형 도메인(domains)이 생겼다. 미로형 도메인은 결정간의 교환에너지가 큰 경우 발생하는 구조로서 고밀도 자기기록이 불리할 것이 예상되었다. 이와 비교해서 SONS가 생성된 (기판온도를 20$0^{\circ}C$로 유지한 경우)시편은 주기 500 정도의 매우 미세한 구형 도메인을 보였다. 미세구형 도메인은 각 도메인간의 교환에너지가 작아 열적 변화에도 데이터가 안정하므로 고밀도 기록에 유리하다고 예상되었다.