Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.8
no.6
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pp.234-240
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2007
The electrical properties and dc aging behavior for specified stress state of system, which is composed of quaternary Zn-Pr-Co-Cr, were investigated for different $Dy_2O_3$ addition doping level. As $Dy_2O_3$ doping level increased, the density decreased in the range of 5.51-4.90 $g/cm^3$, reaching maximum at 0.5 mol% and the average ZnO grain size decreased in the range of 17.7-6.0 ${\mu}m$. The incorporation of $Dy_2O_3$ significantly improved the non-ohmic properties, above 30 in non-ohmic coefficient, compared with that of undoped samples. The samples with the best performance of non-ohmic properties were obtained for $Dy_2O_3$ doping level of 1.0 mol%, with 49 in non-ohmic coefficient and 2.6 ${\mu}A/cm^2$ in leakage current. The samples with the highest stability were obtained for $Dy_2O_3$ doping level of 0.5 mol%.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.03a
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pp.178-178
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2003
II-Ⅵ족 반도체 중에서 넓은 밴드갭을 가지는 ZnO에 Mn 이온을 doping할 경우 Tc가 상온보다 높을 것이라는 이론적 계산이 2000년 Science에 발표되었다. 이후 ZnO에 전이금속 이온을 doping하여 상온에서도 강자성을 나타내는 자성 반도체 (DMS)를 만들기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. Co-doped ZnO 박막은 PLD로 증착하였을 경우 Tc가 상온보다 높으나 재현성이 낮은 것으로 알려져 있었다. 그러나 최근 sol-gel 방법을 이용하여 Co-doped ZnO 박막을 제조하면 강자기 특성의 재현성을 높일 수 있다는 결과가 보고되었다. 이에 본 연구에서는 sol-gel 방법을 사용하여 여러 조성의 Co-doped ZnO 박막을 합성한 후 이들의 자성 특성을 검토하였다. 이러한 결과를 바탕으로 Co-doped ZnO 박막에서 강자성 발현의 근원을 규명하고자 (ⅰ) 조성에 따른 Co-doped ZnO의 Raman peak과 EXAFS peak의 변화를 측정하여 구조적 특성과 ZnO 내에서의 Co 이온의 상태를 분석하였으며, (ⅱ) Hall 효과 실험으로 carrier density를 측정함으로써 Fermi 준위에서의 파수 벡터의 크기를 산출하고자 하였다.
Kim, Mi-Jung;Choi, Hyun-Mo;Ur, Soon-Chul;Kim, Il-Ho
Korean Journal of Materials Research
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v.16
no.6
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pp.377-381
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2006
Skutterudite $CoSb_3$ doped with nickel was prepared by encapsulated induction melting, and its doping effects on thermoelectric properties were investigated. Single phase ${\delta}-CoSb_3$ was successfully obtained by encapsulated induction melting and subsequent heat treatment at 773 K for 24 h. Nickel atoms acted as electron donors by substituting cobalt atoms. Thermoelectric properties were remarkably improved by appropriate heat treatment and doping, and they were closely related to phase transitions and dopant activation. The maximum ZT(dimensionless figure of merit) was achieved as 0.2 at 600 K for the $Co_{0.93}Ni_{0.07}Sb_3$ specimen.
Amorphous Si and Co/Ti bilayers were sequentially evaporated onto 5- 10nm thick $\textrm{CoSi}_{2}$ and rapidly thermal-annealed(RTA) to form Co-polycide electrodes. Then, MOS capacitors were fabricated by doping poly-Si using SADS method. The C-V and leakage-current characteristics of the capacitors depending upon the RTA conditions were measured to study the effects of thermal stability of $\textrm{CoSi}_{2}$ and dopant redistribution on electrical properties of Co -polycide gates. Capacitors RTAed at $700^{\circ}C$ for 60-80 sec., showed excellent C-V and leakage-current characteristics due to degenate doping of poly-Si layers. But for longer time or at higher temperature, their electrical properties were degraeded due to $\textrm{CoSi}_{2}$ decomposition and subsequent Co diffusion. When making Co-polycide gate electrodes by SADS, not only degenerate doping of poly-Si layer. but also suppression of have been shown to be very critical.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.217-220
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1999
We investigated the effects of doping elements on the Bi-Sr-Ca-Cu-0 ceramics. The doping elements can be classified into groups depending on their supeconducting characteristics in the Bi -Sr-Ca-Cu -O structure. The first group of doping elements(Co, Fe, Ni and Zn) substitute into the copper site and can reduce the critical temperatures of the 2223 and 2212 phases. The second group of doping elements(Y and La) substitute into the Ca site and cause the disappearance of the 2223 phase and increase the critical temperatures in the 2212 phase.
The effect of Co dopant on the (La, Sr)MnO3 cathode was investigated. La2Zr2O7 and SrZrO3 were formed as the reaction products between YSZ and LSMC. The reactivity of LSMC with YSZ increased with increasing Co content. However, the cathodic polarization resistance decreased with increasing Co doping. Therefore, doping Co at Mn site in the (La, Sr)MnO3 cathode was effective on controlling the polarization resistance of the cathode. The polarization property of LSMC-YSZ composite(60 wt%: 40 wt%) cathode was better than that of LSMC single cathode.
(F,Ga) co-doped ZnO thin film on glass substrate was fabricated via a simple non-alkoxide sol-gel spin-coating. Contrary to the F single doped ZnO thin film, the (F,Ga) co-doped thin film showed a significant reduce in electrical resistivity after a second post-heat-treatment in reducing environment. The resulting decrease in electrical resistivity with Ga co-doping is considered to be resulted from the increases both carrier density and mobility. The optical transmittance of the (F,Ga) co-doped thin film in the visible range showed higher transmittance with Ga co-doping compared with F single doped ZnO thin film.
The co-doping effect of aliovalent metal ions such as Mg2+, Ca2+, Sr2+, Ba2+, and Zn2+ on the photoluminescence of the Y2O3:Eu3+ red phosphor, prepared by spray pyrolysis, is analyzed. Mg2+ metal doping is found to be helpful for enhancing the luminescence of Y2O3:Eu3+. When comparing the luminescence intensity at the optimum doping level of each Mg2+ ion, the emission enhancement shows the order of Zn2+ ≈ Ba2+ > Ca2+ > Sr3+ > Mg2+. The highest emission occurs when doping approximately 1.3% Zn2+, which is approximately 127% of the luminescence intensity of pure Y2O3:Eu3+. The highest emission was about 127% of the luminescence intensity of pure Y2O3:Eu3+ when doping about 1.3% Zn2+. It is determined that the reason (Y, M)2O3:Eu3+ has improved luminescence compared to that of Y2O3:Eu3+ is because the crystallinity of the matrix is improved and the non-luminous defects are reduced, even though local lattice strain is formed by the doping of aliovalent metal. Further improvement of the luminescence is achieved while reducing the particle size by using Li2CO3 as a flux with organic additives.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.83-84
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2007
Sn-filled and Ni-doped $CoSb_3$ skutterudites were prepared by encapsulated induction melting, and their filling and doping effects on thermoelectric properties were investigated. Single phase ${\delta}-CoSb_3$ was successfully obtained by encapsulated induction melting and subsequent heat treatment at 823K for 5 days. Nickel atoms acted as electron donors by substituting cobalt atoms. Thermoelectric properties were remarkably improved by Sn filling and Ni doping.
Polyaniline (PANI)/Polyimide (PI) membranes were prepared and the effects of PANI contents and doping on the structural properties and gas separation properties were studied. The polyamic acid (PAA) solution was prepared by the polycondensation reaction of 4,4'-(hexafluoroisopropylidene) diphthalic anhydride (6FDA) and 4,4'-oxydianiline (ODA) in 1-methyl-2-pyrrolydinone (NMP) solvent. The PANI/PI blends were obtained by mixing PAA solution and PANI solution, and were doped with 1 M aqueous HCl solution for 24 h. The structural characterizations of the as-cast and doped membranes were examined by FT-IR, XRD, and TGA. The gas permeation experiments with $H_2$, $CO_2$, $O_2$, $N_2$, and $CH_4$ were carried out by variable pressure method at $30^{\circ}C$ and 5 atm. For all gases tested, the permeability coefficients of the blends decreased with increasing PANI content and the magnitude of permeability was in the order of $H_2$ > $CO_2$ > $O_2$ > $N_2$ > $CH_4$. The permeability for PANI/PI membranes decreased after the doping process while the permselectivity increased. For $H_2/CH_4$ separation, the doped PANI/PI (75/25) membrane has a permselectivity of 991.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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