Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.49
no.1
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pp.85-91
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2012
In this paper, we implemented a Ka-band frequency synthesizer for millimeter wave seeker. we designed for high frequency resolution and frequency hopping response time in the digital synthesis method which uses DDS(Direct Digital Synthesizer). but frequency bandwidth was limited low frequency because DDS output frequency was limited 1/2 by system clock. thus, frequency synthesizer was converted to Ka-band using the frequency multiplier ${\times}4$ and local oscillator. proposed frequency synthesizer was bandwidth 500MHz, frequency switching time was $0.7{\mu}s$, spurious level was suppressed below -52dBc. phase noise was -99dBc/Hz at offset 100kHz and flatness was ${\pm}1dB$.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.49
no.10
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pp.148-158
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2012
This paper presents the design of the incremental delta-sigma ADC. The proposed circuit consists of pre-amplifier, S & H circuit, MUX, delta-sigma modulator, and decimation filter. Third-order discrete-time delta-sigma modulator with 1-bit quantization were fabricated by a $0.18{\mu}m$ CMOS technology. The designed circuit show that the modulator achieves 87.8 dB signal-to-noise and distortion ratio (SNDR) over a 5 kHz signal bandwidth and differential nonlinearity (DNL) of ${\pm}0.25$ LSB, integral nonlinearity (INL) of ${\pm}0.2$ LSB. Power consumption of delta-sigma modulator is $941.6{\mu}W$. It was decided that N cycles are 200 clock for 16-bits output.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.48
no.12
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pp.73-81
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2011
As high speed digital systems continue to use components with faster edge rate and clock speeds, transmission of the digital information, it can bring about many troubles. The increasing requirement for controlled impedance PCBs becomes both a critical success factor and a design challenge to implement a system. Especially, the noise sources in high frequency digital systems include the noise in power supply, ground and packaging, and they destroy the fidelity of signals. Therefore PCB design with impendence matching is needed to improve fidelity of signal in H/W. In this paper, we have developed an impedance control and analysis tool for multi-layer PCB design, and simulates the tracks controlled impedance with the test coupon. So, it can save the design time and support the economical PCB design.
Park, Chulkyu;Jang, Kichang;Kim, Hyojae;Choi, Joongho
Journal of IKEEE
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v.18
no.2
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pp.263-271
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2014
This paper presents design of the second-order sigma-delta modulator for converting voltage and temperature signals to digital ones in Battery Management IC (BMIC) for mobile applications. The second-order single-loop switched-capacitor sigma-delta modulator with 1-bit quantization in 0.13-um CMOS technology is proposed. The proposed modulator is designed using switched-opamp technique for saving power consumption. With an oversampling ratio of 256 and clock frequency of 256kHz, the modulator achieves a measured 83-dB dynamic range and a peak signal-to-(noise+distortion) ratio (SNDR) of 81.7dB. Power dissipation is about 0.66 mW at 3.3 V power supply and the occupied core area is $0.425mm^2$.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.44
no.9
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pp.54-58
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2007
Development of high performance LTPS TFTs contributed to open up new SOP technology with various digital circuits integrated in display panels. This work introduces the current mode logic(CML) gate design method with which one can replace slow CMOS logic gates. The CML inverter exhibited small logic swing, fast response with high power consumption. But the power consumption became compatible with CMOS gates at higher clock speed. Due to small current values in CML, layout area is smaller than the CMOS counterpart even though CML uses larger number of devices. CML exhibited higher noise immunity thanks to its non-inverting and inverting outputs. Multi-input NAND/AND and NOR/OR gates were implemented by the same circuit architecture with different input confirugation. Same holds for MUX and XNOR/XOR CML gates. We concluded that the CML gates can be designed with few simple circuits and they can improve power consumption, chip area, and speed of operation.
We have built a near-infrared imaging camera with a PtSi array detector manufactured by the Mitsubishi Company. The PtSi detector is sensitive in the wavelength range 1 to $5{\mu}m$. Quantum efficiency of PtSi is much lower than that of InSb and HgCdTe types. However, the PtSi array has advantages over the latter ones: (i)The read-out noise is very low; (ii)the characteristics of the array elements arc uniform and stable; (iii)it is not difficult to make a large PtSi array; and (iv) consequently the price is affordably low. The array used consists of $512{\times}512$ pixels and its size is $10.2\;mm{\times}13.3\;mm$. The filter wheel of the camera is equipped with J, H, K filters, and an aluminum plate for measuring the dark noise. The dewar is cooled with liquid nitrogen. We have adopted a method of installing the clock pattern and the observing softwares in the RAM, which Gill he easily used for other systems. We have developed a software with a pull-down menu for operating the camera and data acquisition. The camera has been tested by observing $\delta$ Orionis.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.16
no.10
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pp.914-924
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1991
It has been generally used for PLL(Phase Locked Loop) to be synthesized randomly chosen frequency state, but the PLL locking time was inevitable element. A direct digital synthesizer. Which makes output frequency directly in sine wave by a phase accumulating method, could be leiminate the defect, although a phase distortion in frequency spectrum. In order to improve this disadvantage, the phase accumulating method is reconsidered in the side of he output wave formula expression. A new mechanism is proposed, and it is constructed by a most suitable logic elements. The spectrum of synthesized sine waveform is simulated and compared with a measured value, and it’s the coherence frequency hoppong state with the PN(Pseudo Noise) code sequence is confirmed. In this results, the power levels of phase distortion harmonics are decreased to 10~25dB and bandwidths are increased to 420kHz.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.27
no.10C
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pp.963-972
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2002
An 8192-point pipelined FFT/IFFT processor core is designed, which can be used in multi-carrier modulation systems such as DUf-based VDSL modem and OFDM-based DVB system. In order to improve the signal-to-quantization-noise ratio (SQNR) of FFT/IFFT results, two-step convergent block floating-point (TS_CBFP) scaling is employed. Since the proposed TS_CBFP scaling does not require additional buffer memory, it reduces memory as much as about 80% when compared with conventional CBFP methods, resulting in area-and power-efficient implementation. The SQNR of about 60-㏈ is achieved with 10-bit input, 14-bit internal data and twiddle factors, and 16-bit output. The core synthesized using 0.25-$\mu\textrm{m}$ CMOS library has about 76,300 gates, 390K bits RAM, and twiddle factor ROM of 39K bits. Simulation results show that it can safely operate up to 50-㎒ clock frequency at 2.5-V supply, resulting that a 8192-point FFT/IFFT can be computed every 164-${\mu}\textrm{s}$. It was verified by Xilinx FPGA implementation.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.16
no.5
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pp.675-681
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2016
A 41dB gain control range $6^{th}$-order band-pass receiver front-end (RFE) using CMOS switched frequency translated impedance (FTI) is presented in a 40 nm CMOS technology. The RFE consists of a frequency tunable RF band-pass filter (BPF), IQ gm cells, and IQ TIAs. The RF BPF has wide gain control range preserving constant filter Q and pass band flatness due to proposed pre-distortion scheme. Also, the RF filter using CMOS switches in FTI blocks shows low clock leakage to signal nodes, and results in low common mode noise and stable operation. The baseband IQ signals are generated by combining baseband Gm cells which receives 8-phase signal outputs down-converted at last stage of FTIs in the RF BPF. The measured results of the RFE show 36.4 dB gain and 6.3 dB NF at maximum gain mode. The pass-band IIP3 and out-band IIP3@20 MHz offset are -10 dBm and +12.6 dBm at maximum gain mode, and +14 dBm and +20.5 dBm at minimum gain mode, respectively. With a 1.2 V power supply, the current consumption of the overall RFE is 40 mA at 500 MHz carrier frequency.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.4
no.2
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pp.417-426
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2000
In this paper, CE-CPSK(Constant Envelope Continuous Phase Shift Keying) modulated DS/SS(Direct Sequence Spread Spectrum) transceiver with 908 MHz carrier frequency and 1.5 MHz PN clock rate is proposed. To overcome the effect of nun-linear power amplifier, CE-CPSK modulation method which has the constant envelope and continuous phase characteristics is proposed. To analyze the DS/SS receiver performance with respect to code tracking loop, multipath fading channel is characterized as a two-ray Rayleigh fading channel. To compensate the demerit of analog delay locked loop, digital delay locked loop is employed for code tracking loop. Simulation and experimental examination has been carried out in AWGN(Additive White Gaussian Noise) and Rayleigh fading channel environment in order to prove validity of the proposed method.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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